TLB启动AI服务器SOCAMM3基板开发 2028年量产

据业内人士消息，存储基板专业厂商 TLB 已启动面向人工智能（AI）服务器的下一代低功耗内存模块标准 SOCAMM3（Small Outline Compression Attached Memory Module 3）基板开发，并正与韩国及海外两家主要内存制造商合作。

TLB 正从早期阶段参与这一后续标准的开发。其 SOCAMM2 基板已于2026年初进入量产，近期销售激增。业内观察人士预计，TLB 有望在下一代继续保持在专用 AI 服务器内存基板市场的地位。

业内消息称，10月22日，TLB 最近与两家现有内存客户就 SOCAMM3 基板设计和制造工艺展开讨论。目前该标准尚未最终确定。内存制造商预计将先与供应商开发基板设计，再将其纳入标准。SOCAMM3 基板预计于2028年量产。

开发过程中，内存制造商不仅会指定基本基板设计，还会指定铜箔层压板（CCL）供应商。三星电子、SK海力士和美光会从 Doosan、台湾 EMC 和 ITEQ 中选择符合各自规格的 CCL，并在开发阶段敲定选择。

SOCAMM 标准旨在让主要用于智能手机等移动设备的低功耗双倍数据速率（LPDDR）内存能够以可拆卸模块形式安装到 AI 服务器中。Nvidia 最初为其 AI 服务器开发了这一形态，SOCAMM2 随后成为半导体标准组织 JEDEC 下的标准。Nvidia 的 Vera CPU 目前每个 CPU 使用八个基于 LPDDR5X 的 SOCAMM2 模块，最高可提供1.5TB 内存容量和1.2TB/s 带宽。尺寸方面，TLB 的 SOCAMM 基板为90毫米×14毫米，明显小于传统服务器寄存式双列直插内存模块（RDIMM）的133.35毫米×31.25毫米。

SOCAMM2 基板需经过五次 buildup（积层）循环，即电路层通过微孔堆叠并连接。SOCAMM3 基板预计需要比 SOCAMM2 更多的积层循环。层数增加会提高制造复杂性，尤其是在形成连接各层的微孔等工艺中。

“SOCAMM3 可能比上一代更贵，因为它需要更多积层，”一位行业官员表示，“对基板制造商而言，这创造了增加收入的机会。”

将采用 SOCAMM3 的系统尚未披露。不过，预计2028年的生产时间表与 Nvidia 的路线图一致。Nvidia 在2026年3月举行的 GTC 大会上宣布，计划于2028年推出 Feynman 图形处理器（GPU）和新型中央处理器（CPU）Rosa。SOCAMM3 可能在2028年 CPU 换代时被采用。

SOCAMM 市场供应正难以跟上需求。市场研究机构 TrendForce 在2026年6月报告称，Nvidia 已将 Vera Rubin 每个 SOCAMM 模块的原计划内存容量减半。三大内存制造商分配的 LPDDR5X 供应量仅相当于 Nvidia 需求的约60%。TrendForce 预计短缺将持续至2027年。

SOCAMM2 基板已显著提振 TLB 财务表现。第二季度产量和收入均增至上一季度的三倍以上。由于 SOCAMM2 基板需要反复积层，其生产时间超过传统内存模块基板的两倍，售价也约为后者的两倍。

据行业估算，TLB 的 SOCAMM 基板收入2026年约为700亿韩元，2027年预计约为1400亿韩元。证券公司预计，TLB 2026年总营收将同比增长约40%，达到3500亿至3700亿韩元；在 SOCAMM 增长和产能扩张推动下，2027年营收可能升至约4500亿韩元。

为迎接需求上升，TLB 已于2025年第三季度开始在其安山第二工厂和越南设施投资积层设备。这些投资比竞争对手近期开始扩大相关产能早了约一年。

公司计划于11月在越南北宁省 Yen Phong 工业园开始建设第二工厂。新工厂将建在现有第一工厂旁，面积为其两倍，目标于2027年第四季度全面投产。第二工厂将配备钻孔、镀铜、电路形成和表面处理设备，这些工艺是第一工厂所不具备的。此前，第一工厂负责外形加工、检测和包装等下游工艺，以及2026年新增的积层工艺，中间工艺则在 TLB 安山总部完成。第二工厂投运后，公司将在越南完成整个制造流程。

第二工厂投运后，TLB 全公司有效月产能将从2万平方米翻倍至4万平方米。到2028年，公司将拥有理论上年营收能力达7000亿至8000亿韩元的生产基础。

不过，由于制造复杂性高且客户认证要求严格，SOCAMM 基板预计暂时仍将仅在 TLB 安山总部生产。