IRF640PBF国产替代
参数对比
| 参数项 | VISHAY (威世) IRF640PBF |
JSMSEMI (杰盛微) IRF640NPBF-JSM |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 最大漏源电压 (VDS) | 200 V | 200 V | 参数一致 |
| 最大漏极持续电流 (ID) | 18 A | 18 A | 参数一致 |
| 最大脉冲电流 (IDM) | 72 A | 72 A | 参数一致 |
| 门源最大电压 (VGS) | ±20 V | ±20 V | 参数一致 |
| 单次脉冲雪崩能量 (EAS) | 580 mJ | 262.7 mJ | VISHAY更高 |
| 雪崩电流 (IAS) | 18 A | 7.3 A | VISHAY更高 |
| 重复雪崩能量 (EAR) | 13 mJ | 157.62 mJ | JSMSEMI更高 |
| 最大功耗 (PD) | 125 W | 104 W | VISHAY更高 |
| 封装规格 | TO-220AB | TO-220-3L | 尺寸不同 |
| 工作温度范围 (TJ,Tstg) | -55~+150 ℃ | -55~+150 ℃ | 参数一致 |
| 热阻(结到壳) (RthJC) | 1.0 ℃/W | 1.2 ℃/W | VISHAY更优 |
| 热阻(结到环境) (RthJA) | 62 ℃/W | 60 ℃/W | JSMSEMI更优 |
| 漏源击穿电流 (IDSS) | ≤ 25 μA (常温)；≤250 μA (TJ=125℃) | ≤1 μA (常温) | JSMSEMI更优 |
| 门源漏电流 (IGSS) | ±100 nA | ±100 nA | 参数一致 |
| 门源阈值 (VGS(th)) | 2.0～4.0 V | 2.0～4.0 V | 参数一致 |
| 导通电阻 (RDS(on)) | ≤0.18 Ω (VGS=10V,ID=11A) | ≤0.15 Ω (VGS=10V,ID=9A) | JSMSEMI更优 |
| 输入电容 (Ciss) | 1300 pF | 1200 pF | JSMSEMI更优 |
| 输出电容 (Coss) | 430 pF | 161 pF | JSMSEMI更优 |
| 反向传输电容 (Crss) | 130 pF | 70 pF | JSMSEMI更优 |
| 总门电荷 (Qg) | ≤70 nC | 38 nC | JSMSEMI更优 |
| 门源电荷 (Qgs) | ≤13 nC | 6 nC | JSMSEMI更优 |
| 门漏电荷 (Qgd) | ≤39 nC | 16 nC | JSMSEMI更优 |
| 开通延迟 (td(on)) | 14 ns | 40 ns | VISHAY更优 |
| 上升时间 (tr) | 51 ns | 33 ns | JSMSEMI更优 |
| 关断延迟 (td(off)) | 45 ns | 166 ns | VISHAY更优 |
| 下降时间 (tf) | 36 ns | 60 ns | VISHAY更优 |
| 续流二极管电压 (VSD) | ≤2.0 V | ≤1.4 V | JSMSEMI更优 |
| 二极管反向恢复时间 (trr) | ≤610 ns | 182 ns | JSMSEMI更优 |
| 二极管反向恢复电荷 (Qrr) | ≤7.1 μC | 1.29 μC | JSMSEMI更优 |
| 产品图片 |  |
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JSMSEMI(杰盛微)IRF640NPBF-JSM
IRF640NPBF-JSM是JSMSEMI推出的高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装设计。该器件支持200V高压操作，最大漏极电流为18A，广泛适用于对功率密度和开关速度有较高要求的电源及功控场合。产品具备较低的导通电阻（≤0.15Ω），门电荷参数优异，显著提升系统效率与开关性能，适合用于UPS、SMPS、PFC等诸多行业级应用。其耐高温、快速开关、低损耗等特点满足复杂工业电源场景的需求，是IRF640PBF的国产理想替代方案。
应用领域
- 开关型电源（Switch Mode Power Supply, SMPS）
- 不间断电源（Uninterruptible Power Supply, UPS）
- 功率因数校正（Power Factor Correction, PFC）
- 高压大功率电源转换模块
- 工业功率驱动与逆变器
产品特点
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- dv/dt能力提升
- 低导通电阻
- 低门电荷
- 优化反向恢复性能
- 支持高温高压工作环境
产品优势
与IRF640PBF相比，IRF640NPBF-JSM在导通电阻、门电荷、输入/输出电容等关键参数上均表现更优，能有效减少器件损耗、提升系统开关效率，适用于更高频率及更高能效的应用场合。同时，其二极管反向恢复时间与电荷显著优化，抑制开关噪声、提高续流性能，有助于改善电源电路EMI特性。漏源击穿电流比进口型号更优，降低静态损耗，且国产供应，保障交付周期和成本竞争力。但在雪崩耐受参数（EAS）上略低，如需超高雪崩耐受场合建议评估系统环境。总体来看，IRF640NPBF-JSM是IRF640PBF的高性价比国产替代方案，适合绝大多数工业电源与功控场合。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)。
