英飞凌投11亿欧元建全球首座300mm GaN功率半导体量产基地

要点：

英飞凌将在欧洲设立采用300mm晶圆的GaN功率半导体量产设施。
计划到2034年在菲拉赫基地投资约11亿欧元，并预计2027年底前投产。
300mm化后，单片晶圆可生产的芯片数量为200mm的2.3倍。

英飞凌（Infineon Technologies）10月27日宣布，将在奥地利菲拉赫基地建设采用300mm晶圆的GaN（氮化镓）功率半导体量产设施。该公司称，这将是全球首个采用300mm晶圆的GaN功率半导体量产设施。公司计划到2034年在菲拉赫基地现有洁净室设施投入约11亿欧元，并同时利用现有基础设施和升级后的基础设施。产能将根据市场需求启动，预计2027年底前开始生产。

300mm化使单片晶圆芯片产出提升至2.3倍

英飞凌于2024年宣布在全球首次成功加工300mm GaN晶圆，此后持续推进面向客户送样的开发。此次投资将把该300mm GaN晶圆技术转移到面向客户产品供应的量产设施。与原有200mm晶圆相比，300mm晶圆面积更大；对于相同尺寸的芯片，单片晶圆可制造2.3倍数量的芯片。这将提升生产效率，并推动GaN功率半导体制造成本下降和供应能力扩大。同时，公司计划利用菲拉赫基地现有洁净室和制造基础设施，以高效、具成本效益的方式建设新增制造能力。

面向AI数据中心、机器人等需求

GaN是与Si（硅）相比可实现更高开关速度和更高效率电力转换的下一代功率半导体材料，能够在抑制电力转换过程中的能量损耗和发热的同时，推动电源、逆变器等产品的小型化、高性能化和能效提升。英飞凌列举的300mm GaN功率半导体用途包括AI数据中心、能源基础设施、e-mobility（电动出行）、机器人、消费电子等。

尤其是在AI数据中心，随着AI加速器性能提升，电力消耗和电力密度增加，配电和电压转换带来的损耗与发热成为课题。公司表示，将通过采用GaN的高效电源解决方案，应对AI数据中心电力转换的高效率化和高功率密度化需求；在e-mobility和机器人领域，也预计将在电源和电机控制电路小型化的同时，抑制电力损耗和冷却需求的用途中扩大应用。

获欧洲半导体法框架下3亿1900万欧元补助

此次投资属于欧洲半导体法（European Chips Act）支持对象，欧盟委员会已批准奥地利政府提供3亿1900万欧元的国家补助。奥地利联邦经济、能源和旅游部预计将在规定期限内作出正式补助决定。该补助除了扩大欧洲半导体制造能力外，还将促进与大学和研究机构的跨境合作，并改善初创企业、中小企业获取创新技术和产品的渠道。

菲拉赫基地被定位为该公司功率电子和新半导体材料的全球能力中心。奥地利法人雇用的约5800人中，约4800人在该基地工作。该基地与大学、研究机构、初创企业及产业界合作伙伴合作，推进功率电子相关研发和制造；通过设立新的300mm GaN制造设施，公司希望强化研发与量产的联动，缩短研究成果向产业规模制造转移的时间。