Rapidus被曝2nm量产进度落后 关键里程碑未达

据彭博社援引知情人士消息，日本政府支持的芯片制造商Rapidus在推进2028年3月前量产2nm芯片的计划上据报进度落后。该公司尚未展示可工作的静态随机存取存储器（SRAM）单元，而这是其原预期在夏季达成的一项关键里程碑。据报，错过这一目标已使Rapidus至少落后计划数月，令其量产最后期限面临风险，并加大工程师加快开发进度的压力。

SRAM仍是先进芯片制造中的关键挑战。正如《EE Times Japan》此前指出，SRAM与大电流电路在全环绕栅极（GAA）工艺开发早期尤其容易出现问 题。彭博社还报道，Rapidus正在处理其洁净室设施中的粉尘与颗粒污染问题。

若延迟持续过久，可能危及政府对Rapidus的支持。该公司目标是在日本建立一座领先晶圆代工厂，并降低日本对台湾台积电（TSMC）的依赖。针对上述报道，Rapidus一名发言人向彭博社表示，公司仍完全致力于在2027财年下半年开始量产。不过，Rapidus以保密为由拒绝披露技术开发细节。

尽管据报技术受挫，Rapidus仍谋求增长

日本政府迄今已承诺向Rapidus提供超过2万亿日元资金。彭博社称，重大技术挫折也可能推迟该公司原计划于2032年进行的首次公开募股（IPO）。

Rapidus已在其北海道工厂启动试产，并于2025年7月宣布成功制造出可工作的晶体管，这被视为其先进芯片制造努力中的一个早期里程碑。彭博社指出，自那以来，公开披露的技术进展主要围绕工艺设计套件（PDK）的发布。

除技术障碍外，争取客户也是Rapidus面临的另一大挑战。据路透社报道，该公司已与包括Synopsys和Infosys在内的17家企业合作，帮助客户设计芯片，以争取制造订单。不过，报道也指出，一些潜在客户对于将生产从台积电等成熟代工厂转移出来仍持谨慎态度。一位高管担心，如果转向Rapidus未能成功，再回到台积电可能会很困难。

另据NHK报道，Rapidus首席执行官小池淳义（Atsuyoshi Koike）11月4日在札幌举行的日本贸易振兴机构（JETRO）论坛上表示，公司设想在北海道现有工厂附近再建三座晶圆厂和一座研发设施，目标是打造一个类似台湾的半导体产业集群。