据韩联社报道，三星电子劳资双方的最近一轮薪资谈判宣告破裂，三星电子工会将转向罢工前置程序。
三星电子工会联合斗争本部将在3月9日-18日举行罢工行动投票，力争在月中前获得罢工权。如果投票获得全体工会成员的多数支持，工会计划在4月召开全体工会成员大会，并将于5月21日至6月7日举行全国总罢工。
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三星电子近期劳资谈判的关键点是&nbsp;OPI&nbsp;绩效：这部分奖金基于超额利润，但三星电子为&nbsp;OPI&nbsp;设置了年薪&nbsp;50%&nbsp;的上限并以相对复杂模糊的经济增加值&nbsp;(EVA)&nbsp;作为计算依据。与此同时，SK&nbsp;海力士的&nbsp;OPI&nbsp;绩效无上限并将全部营业利润作为计算基准。
这一区别导致三星电子员工的&nbsp;OPI&nbsp;收入在半导体业务走势强劲的当下显著低于SK海力士，引起了反对意见。
工会方的目标是取消&nbsp;OPI&nbsp;绩效的上限，但三星电子提出的替代方案是允许员工选择&nbsp;20%&nbsp;经济增加值或是&nbsp;10%&nbsp;营业利润作为&nbsp;OPI&nbsp;的来源，并在特定情况下对业绩出色的部门额外支付收入。
三星电子工会联合斗争本部由非企业工会三星电子支部、全国三星电子劳动工会、三星电子劳动工会同行组成，会员约&nbsp;8.9&nbsp;万人，占三星电子员工总数的&nbsp;60%&nbsp;以上。
此前，该工会本部与三星进行了约三个月的工资谈判。然而，由于劳资双方在取消绩效奖金上限的问题上仍存在严重分歧，工会于2月19日宣布谈判破裂，并向韩国国家劳动关系委员会申请调解。
韩国国家劳动关系委员会在3月3日举行的第二次调解会议上作出中止调解的决定，工会随即改组为联合斗争总部，并开始争取罢工权。
三星电子员工年薪近来持续增长。据韩国CXO研究所发布的报告，三星电子员工（不包括正式高管）的平均年薪约为&nbsp;1.5亿韩元（约合&nbsp;106000&nbsp;美元），较&nbsp;2024&nbsp;年的&nbsp;1.3亿韩元增长了&nbsp;19.2%。
存储芯片作为当下炙手可热的半导体，带动三星电子的营收和利润持续创新高。三星2025年第四季度营收93.8万亿韩元，同比增长23.8%，环比增长9%；营业利润20.1万亿韩元，同比飙升209.2%，均创下韩国企业单季最高纪录。
若三星电子员工真发生罢工，市场担忧高带宽存储器（HBM）等核心产品的生产将受到影响。

谈崩！三星员工，计划全面罢工

半导体行业协会（SIA）最新数据，2026年1月全球半导体销售额为825亿美元，与2025年12月的796亿美元相比增长了3.7%，比2025年1月的565亿美元增长了46.1%。
&ldquo;在2025年半导体行业创纪录的销售总额之后，全球芯片市场在今年1月继续保持增长，超过了12月的业绩，并远远超过了去年1月的销售量，&rdquo;SIA总裁兼首席执行官约翰&middot;内弗（John Neuffer）表示。&ldquo;亚太地区和中国的需求是推动年增长的主要动力，全球销售额预计将在2026年达到约1万亿美元。&rdquo;
<section><img src="https://yibeiic-shop.oss-cn-hangzhou.aliyuncs.com/media/user/10575/image/20260309/1773038788347530.jpg" alt="1773038788347530.jpg" /></section>
在地区方面，与去年相比，亚太地区/其他地区（82.4%）、中国（47.0%）、美洲（34.9%）和欧洲（26.1%）的1月份销售额都有所增长，但日本的销售额下降了（-6.2%）。与上个月相比，1月份中国（5.8%）、亚太地区/其他地区（5.0%）、欧洲（5.3%）和美洲（1.2%）的销售额都有所增加，但日本的销售额下降了（1.7%）。
世界半导体贸易统计组织（WSTS）也发布了&nbsp;2025&nbsp;年全年半导体市场结果，其中包括最终确定的第四季度数据。
2025年全球半导体销售额达到7956亿美元，同比增长26.2%，创下行业历史上最强劲的年度增长之一。这一增长势头在年内持续加速，2025年第四季度营收达到2389亿美元，较2024年第四季度增长38.4%，反映出多个关键应用领域，特别是数据中心基础设施和人工智能相关系统的强劲需求。

狂飙 46.1%！2026 年 1 月全球半导体销售额创强劲开局

3月9日，据韩国经济日报报道，英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin，其核心零部件HBM4（第6代高带宽内存）供应权被三星电子和SK海力士独占，全球第三大内存厂商美光意外出局，无缘顶级AI芯片供应链。
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半导体行业消息显示，三星和SK海力士已正式进入英伟达Vera Rubin核心供应商名单，被暂定为HBM4独家供应商。此前长期为英伟达供应HBM3E的美光，未出现在此次Vera Rubin用HBM4供应名单中，业内预计，美光或仅能为Rubin系列中端AI推理加速器（如Rubin CPX）提供HBM4，与顶级产品无缘。
三星与SK海力士能够脱颖而出，核心在于满足了英伟达严苛的性能与良率要求。英伟达对HBM4设定两档质量测试标准，分别为每秒10Gb和每秒11Gb运行速度，其中三星已基本通过测试，上月已向英伟达交付少量HBM4成品，SK海力士则仍在优化产品，全力冲刺11Gb测试标准。
值得一提的是，三星晶圆代工业务还获得英伟达额外订单，将采用8纳米工艺重新生产GPU RTX 3060，进一步深化双方合作。
据悉，Vera Rubin实物将在3月16日GTC 2026英伟达开发者大会上首次亮相，预计今年下半年正式发布。为碾压AMD、博通等竞争对手，英伟达正全力将其性能提升至现有产品的5倍以上，而HBM4正是其性能突破的关键。
英伟达自去年起就将HBM4视为Vera Rubin成功的核心，要求其运行速度远超JEDEC规定的8Gb标准，达到10Gb以上，同时大幅提升容量。Vera Rubin将搭载16颗HBM4，总容量达576GB，显著高于AMD下一代AI加速器MI450的432GB。
HBM4订单的争夺堪称全球内存厂商的&ldquo;必争之战&rdquo;，一旦进入英伟达供应链，不仅意味着技术实力获得行业认可，更能锁定稳定的业绩增长。目前，HBM4供应竞争已聚焦于三星与SK海力士之间，两家企业最早可能于本月启动量产（HBM4从晶圆投片到封装需6个月以上）。
美光虽未完全错失HBM4市场，但已与英伟达顶级AI芯片供应链失之交臂，未来仅能聚焦中端产品供应，行业竞争格局进一步向头部集中。

英伟达新AI王炸内存曝光，韩厂成最后赢家

安世半导体全新推出NEX10058三通道 AMOLED 偏置电源 IC，专为新一代高规格 AMOLED 显示屏打造，助力终端实现更高亮度、更长续航与更优系统效率，进一步丰富安世显示电源芯片阵容，强力赋能中高端智能手机市场。
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NEX10058 精准解决 AMOLED 屏幕对大电流、低功耗的严苛要求，可完美适配主流品牌 AMOLED 手机方案。
该产品突破小封装高亮度电流瓶颈，支持1600nits超高亮度场景，输出电流高达1A，大幅优于行业主流 600&ndash;800mA 水平，保证全功率工况下稳定可靠。
凭借超低导通电阻设计，NEX10058 导通损耗较竞品降低近一半，有效提升续航表现，尤其在暗色显示场景下优势明显。芯片完全兼容最新 DDIC 标准，支持双路 1.2V 单线逻辑接口，可与新一代手机显示驱动芯片无缝对接。
同时，NEX10058 支持2.5V&ndash;5.0V宽输入电压，适配硅负极电池等新一代电池技术，提升整机能效。
产品关键参数：
<ul>
<li>ELVDD/ELVSS/AVDD 三路独立输出</li>
<li>组合输出电流最高1A</li>
<li>AVDD 电流150mA</li>
<li>开关频率1.45MHz</li>
<li>集成 UVLO、SCP、OTP 等完善保护</li>
<li>采用WLCSP25超小封装</li>
</ul>
NEX10058 支持与主流竞品BOM 对 BOM 兼容，在关键性能上全面超越，兼具高性能与成本优势，是下一代 AMOLED 手机的理想选择。
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安世半导体全新推出NEX10058 AMOLED 偏置电源 IC

恩智浦半导体正式发布首款量产级10BASE-T1S PMD收发器，一举打破以太网部署的成本与复杂性壁垒，将经济高效的以太网连接拓展至智能边缘，为软件定义汽车（SDV）和工业架构升级提供关键支撑。
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此次推出的全新PMD收发器系列，包含两大核心产品：面向汽车应用的TJA1410与面向工业控制、楼宇自动化应用的TJF1410。这两款器件标志着以太网技术的重大演进，助力OEM厂商将低成本多点以太网部署延伸至网络边缘，为加速向软件定义架构转型，奠定统一且可扩展的网络基础。
两款器件兼具CAN总线的简洁性与稳健的以太网数据通路，大幅降低规模化部署的系统成本。其中，TJA1410已通过汽车功能安全相关应用的全面认证，且两款器件均符合最新的Open Alliance TC14规范，具备优异的电磁兼容性（EMC）性能，适配汽车、工业等复杂应用环境。
该系列 PMD 收发器采用创新架构，把传统以太网 PHY 分为数字与 PMD 两部分，数字部分集成到主机 MCU 或交换机，PMD 专注模拟信号处理，大幅降低 10Mb 以太网部署成本，兼具 CAN 总线般便捷性，解决边缘部署痛点。
面对汽车与工业控制向软件定义架构加速转型，TJA1410 与 TJF1410 以可靠、紧凑、低引脚数特性，带来接近 CAN 总线的易用性。
借助 10BASE-T1S 单点低成本 SPE 方案，可简化布线、减少网关，统一边缘设备至以太网骨干，助力 OEM 实现 AI 传感器融合、OTA 等高级功能，加快系统转型。
全新器件在汽车领域可助力整车厂将以太网扩展至车身、舒适及区域架构，并满足功能安全；在工业控制与楼宇自动化领域，推动传统总线向安全可扩展的以太网迁移，加速数字化升级。
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恩智浦副总裁 Ritesh Saraf 表示，10BASE-T1S 让以太网直达终端节点，新 PMD 收发器降低了成本与复杂度，为下一代软件定义架构提供高性价比、安全的以太网方案，树立行业新标杆。

恩智浦推出首款10BASE-T1S PMD收发器

DRAM大厂南亚科技重磅发声，明确表态DRAM缺货涨价潮将持续至2028年，叠加业绩的爆发式增长，再次印证存储行业高景气度仍在持续。3月3日，南亚科技披露2026年2月业绩，合并营收达新台币156.07亿元，同比暴涨586%，环比增长1.9%，实现连续四个月创历史新高。
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累计2026年1-2月，南亚科技合并营收达新台币309.17亿元，同比暴涨597%，亮眼业绩背后，是当前DRAM市场供不应求的火爆现状。据悉，南亚科技2025年四季度及全年营收已实现成倍增长，其中四季度净利润更是暴涨804.2%，持续收获行业红利。
3月4日，南亚科技总经理李培瑛在接受媒体采访时进一步明确，当前DRAM供应缺口依然巨大。他表示，AI产业的发展将持续较长时间，且会从云端渗透至终端，未来几年DRAM需求将保持快速增长；而供应端新增产能虽会陆续释放，即便到2028年下半年供给有所增加，能否填补现有缺口仍需持续观察。
南亚科技副总经理庄达人也给出明确判断，DRAM价格将逐季调涨，预期3月业绩表现会进一步向好，同时强调，DRAM短缺态势至少持续至2028年，公司对短期市场保持审慎乐观态度。
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谈及近期业务布局，李培瑛表示，公司将重点优化既有产能获利能力，提升高性能产品比重，拓展定制化AI专案，同时加速新厂产能建设，计划导入先进1B/1C/1D DRAM制程，从2027年初开始阶段性装机、扩充产能。
南亚科技将在台湾新北新建 12 英寸 DRAM 厂，最大月产能 4.5 万片，采用10nm制程，2027 年初装机、下半年量产，并计划招聘1500 人。
公司 2026 年资本支出大增2.7 倍至500 亿新台币，2028 年上半年有望新增月产能 2 万片。因产能紧缺，不排除再建新厂。
价格方面，去年四季度利基型 DRAM 涨幅超30%，公司将继续涨价，涨幅略低于上季度。
受市场不确定性影响，李培瑛表示，当前客户更倾向于签订较长期合约，甚至愿意接受价格锁定、保量保价的合作模式，南亚科技将根据客户过往合作情况，推行差异化合作策略，保障双方利益。
李培瑛认为，大陆 DRAM 厂商主要聚焦手机与云端，并非利基型消费市场，短期内对市场影响有限。庄达人补充，AI DRAM 受专利限制，主流厂商仍不会采用大陆产品，大陆先进产能也以 HBM 为主，对行业冲击不大。
南亚科技目前大陆市场营收占比超 30%，美国 DRAM 需求快速增长，预计提升 2&ndash;3 倍，美国营收占比将持续提高。
对于中东局势，李培瑛表示，当地 DRAM 用量极少，欧洲含中东营收仅占 5%，中东不足 1%，对公司几乎无直接影响。

南亚科技官宣：DRAM缺货涨价潮持续至2028年

美国芯片巨头博通交出炸裂成绩单：AI业务成为绝对引擎，直接点燃盘后股价。
截至2月1日的2026财年第一季，博通营收暴涨29%至193亿美元，刷新历史纪录。AI业务贡献84亿美元，同比猛增106%，远超预期。定制AI加速器和AI网络需求正在爆发。
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净利润表现同样彪悍：经调整每股盈余2.05美元，超分析师预期的2.03美元；EBITDA达131亿美元，同比增30%，也创历史新高。
现金流稳健：季度运营现金流82.6亿美元，自由现金流80.1亿美元。董事会批准每股0.65美元股息，同时抛出100亿美元股票回购计划。
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<ul>
<li>下一季更猛</li>
</ul>
博通预计第二季营收约220亿美元，同比再涨47%，远超标普205亿美元的预期。AI芯片收入剑指107亿美元。
CEO陈福阳放话：无论哪家软件公司最终在AI竞赛中胜出，都要大举采购博通的定制AI芯片。

博通AI芯片狂飙106% 盘后跳涨4%

3 月 4 日，上海松江官方发布消息，尼西半导体科技（上海）有限公司打造的全球首条 35 微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线正式建成投产，标志我国在高端功率半导体超薄晶圆制造领域实现关键突破，为高端功率芯片规模化量产提供核心支撑。
晶圆是芯片制造的核心基底，厚度直接决定芯片性能与散热能力。35 微米厚度仅为普通头发丝直径的一半，厚度低于 50 微米后极易碎裂，加工难度极高，长期是行业技术难题。
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尼西半导体通过多项工艺创新攻克难关，将35 微米厚度误差严格控制在 &plusmn;1.5 微米，采用化学腐蚀技术消除92% 的研磨应力损伤，碎片率控制在0.1% 以内。切割环节采用定制化激光技术，切割良率提升至98.5%，11 微米切缝宽度让芯片有效面积利用率提升约 10%。
产线核心设备实现自主突破，研磨机加工精度达0.1 微米，键合机单日产能约 400 片，测试环节单日产能可达12 万颗成品芯片。临时键合机、研磨机、激光切割机等核心装备均为联合研发，实现工艺与装备自主可控。
35 微米超薄晶圆可显著降低芯片热阻、提升功率循环寿命，适配新能源汽车、5G 基站、大功率快充等高功率密度场景。同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可实现手机快充模块体积缩小、电动汽车电控单元减重，兼顾能效与成本优化。
此次投产填补国内超薄晶圆加工应用空白，推动我国半导体高端制造向更精密、更自主方向迈进，为新能源与通信领域核心器件升级奠定坚实基础。

全球首创！国产 35 微米超薄晶圆产线正式投产

受AI需求强劲爆发带动，亚洲芯片行业迎来双重爆发：不仅规模较小的芯片企业纷纷跟进头部厂商，掀起集体涨价潮，该地区芯片企业2026年资本支出更同比大增25%，达到创纪录的1360亿美元。
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据机构分析及TrendForce预估，韩国、中国台湾、日本、中国大陆的领先芯片制造商及封测企业，已承诺2026年合计投入超1360亿美元，较去年增长超25%。值得关注的是，此次涨价潮覆盖广泛，众多芯片及组件企业纷纷提价，这也是自2022年底芯片市场调整以来，大量中小企业首次跟进涨价。
台积电旗下代工企业世界先进率先发力，已告知部分客户，受AI领域电源相关芯片需求激增影响，2026年第一季度将涨价约5%，第二季度再进一步上调10%至15%。该公司表示，2026年将维持去年创纪录的700亿新台币（约22.2亿美元）资本支出，暂不披露涨价具体细节。
这一趋势表明，AI基础设施的繁荣，不仅让尖端处理器制造巨头受益，更辐射至外围、配套芯片供应商，带动全产业链分享行业红利。
全球产能第一的芯片基板供应商欣兴电子同步行动，在加码资本支出的同时持续提价。自2025年第四季度以来，该公司已多次上调基板价格，本季度将推出更大幅度涨价；同时将2026年支出计划从254亿新台币上调至创纪录的340亿新台币，重点扩大AI芯片所用高端芯片基板产能。
专业存储芯片制造商华邦电子表现更为激进，承诺2026年投入421亿新台币，规模几乎是去年的8倍。该公司专注于NOR闪存芯片及传统定制DRAM芯片，明确表示2026年第一季度产品平均价格将上涨超30%。
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目前，美国近期对伊朗的袭击，是否及在多大程度上影响全球经济与科技供应链，仍有待观察。AI需求驱动亚洲芯片行业量价齐升，头部企业加码资本支出扩产，涨价潮持续蔓延，行业景气度有望持续攀升。

AI需求引爆，亚洲芯片企业集体提价

受AI行业爆发式增长影响，内存芯片短缺、价格飙升的态势愈演愈烈，行业内已出现内存价格&ldquo;按小时计费&rdquo;的极端模式，对于缺乏议价能力的中小企业而言，这场价格风暴已然成为致命的生存危机。
当前市场环境下，中小企业的采购决策早已脱离冷静的成本评估：若未能立即下单并支付询价款，短时间内就可能面临价格大幅暴涨的风险，报价俨然成为与企业生死绑定的&ldquo;定时炸弹&rdquo;。
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卖家掌握着市场绝对控制权，在定价和时间上拥有绝对主导权，每一秒的延迟都意味着采购成本的攀升。市场数据显示，供应商对预付款、现金交易的需求愈发强烈，成为当前市场的常态。
行业分析显示，全球有超20万家半导体及电子产品客户对内存有刚性需求，但市场话语权高度集中：大型云服务提供商、头部车企、苹果三星等手机巨头，凭借强大实力可抵御价格上涨压力。
尽管这类顶级企业不足100家，但内存制造商为维护合作关系，会优先满足其订单需求。真正的受害者，是剩余19万多家缺乏谈判筹码的中小企业&mdash;&mdash;自2025年下半年起，飙升的内存价格持续侵蚀利润，让企业举步维艰。
2026年以来，内存缺货与涨价态势持续升级，部分中小企业被迫下调需求预测，采取&ldquo;止损求生&rdquo;策略。随着内存价格居高不下，这种需求削减态势预计将进一步蔓延，直接导致内存市场整体需求下滑。
目前业界焦点集中在：集体需求下降是否会揭开&ldquo;内存短缺&rdquo;的假象？若大量中小企业因无法承受高昂溢价退出市场，原本紧张的产能或将意外转为供应过剩，这也成为2026年内存行业最大的不确定因素。内存芯片价格暴涨倒逼行业洗牌，中小企业生存承压，市场供需格局或迎来反转，需警惕产能由缺转剩的风险。

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