2月27日，高通于美国加州当地时间26日正式官宣，前英特尔代工高管Kevin O'Buckley将走马上任，自3月2日起出任高通全球运营与供应链执行副总裁，直接向高通执行副总裁、首席财务官兼首席运营官Akash Palkhiwala汇报工作。
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据悉，Kevin O'Buckley在半导体行业拥有三十年资深经验，此前在英特尔担任副总裁及晶圆代工部门服务总经理，主导英特尔代工业务的全球运营、先进封装、工艺技术及供应商合作等核心工作，还曾任职于IBM、格芯、美满等企业，在复杂半导体业务扩展、定制芯片交付领域积累了深厚资历。
履新后，Kevin O'Buckley将全面掌舵高通全球半导体业务，核心负责制造工程、代工及供应商合作、供应链和采购等关键领域，助力高通优化供应链布局、强化代工合作，适配其先进制程芯片的产能需求。
Akash Palkhiwala对此次任命给予高度认可，他表示：&ldquo;Kevin拥有深厚的运营专长、卓越的商业领导能力，以及数十年来在扩展复杂半导体业务和交付数据中心及边缘设备定制芯片产品方面的经验。他的领导将进一步加强我们的全球运营，我们将继续大规模交付业界领先的高性能、低功耗计算、人工智能和连接产品。&rdquo;
此次高通挖角英特尔核心代工高管，背后是其强化全球供应链韧性、拓展先进制程代工合作的战略考量，尤其是在高通重启三星2nm代工合作、推进多供应商布局的背景下，Kevin O'Buckley的加入将为其带来关键助力。

高通挖角英特尔代工高管Kevin O'Buckley

最近，北京大学电子学院邱晨光研究员披露，该院彭练矛院士团队在铁电晶体管研究领域取得重大突破，成功制备出迄今全球尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管器件，将铁电晶体管物理栅长缩减至1纳米极限，相关成果已发表于国际权威期刊《科学・进展》，彰显中国在芯片基础研究领域的顶尖实力。
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此次突破的核心的是团队的创新性技术&mdash;&mdash;通过纳米栅极结构设计，巧妙破解了铁电材料&ldquo;改变极化状态&rdquo;需高电压、高能耗的行业痛点，打破了传统铁电晶体管的物理局限。
&ldquo;我们持续精进工艺，将铁电晶体管的物理栅长缩减至极限1纳米，这一精度达到原子尺度，促成铁电层内部形成高强度电场，仅需0.6V电压激发，即可轻松翻转铁电极化。&rdquo;邱晨光表示，这一技术实现了能耗的跨越式提升，比国际最好水平整整降低了一个数量级，为低功耗芯片研发开辟全新路径。
与传统半导体逻辑晶体管相比，铁电晶体管（FeFET）拥有独特优势&mdash;&mdash;同时兼具存储和计算能力。&ldquo;它像人脑的神经元一样，将存储和计算功能合二为一，有望彻底打破传统计算架构中&lsquo;存储&rsquo;与&lsquo;计算&rsquo;分离导致的效率瓶颈。&rdquo;邱晨光解释道。
更值得关注的是，铁电晶体管&ldquo;存算一体&rdquo;的特性，高度契合AI芯片的进化方向，业内已将其视为神经形态计算领域最具潜力的新型基础器件，未来应用前景广阔。
邱晨光进一步解读技术原理：&ldquo;纳米栅的设计就好像是对电场进行了&lsquo;杠杆放大&rsquo;，能够以极低的电压代价，驱动铁电材料发生极化反转，从而在物理机制上实现了能耗的跨越式降低。&rdquo;这款超低工作电压、超低能耗的纳米栅铁电晶体管，不仅能为构建高能效数据中心提供核心器件支撑，更将为下一代高算力人工智能芯片奠定关键技术基础。
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北大团队突破1nm极限，制备全球最小铁电晶体管

2月24日，上交所官网显示，盛合晶微半导体有限公司（盛合晶微）科创板IPO成功通过上市审核委员会审议，成为马年首家科创板过会企业，开启国内先进封测企业对接资本市场的新征程。
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作为全球领先的集成电路晶圆级先进封测企业，盛合晶微此次IPO计划募集资金48亿元，聚焦核心业务升级：其中40亿元用于三维多芯片集成封装项目，8亿元投入超高密度互联三维多芯片集成封装项目建设，进一步扩大先进封装产能，强化技术领先优势。
招股书及公开信息显示，盛合晶微在先进封测三大核心领域均实现重大突破，技术实力稳居行业前列：
在中段硅片加工领域，公司是中国大陆最早实现12英寸凸块制造（Bumping）量产的企业之一，已稳定实现12英寸Bumping量产，更是国内第一家能够提供14nm制程Bumping服务的企业，填补了国内高端集成电路制造产业链的空白，目前拥有中国大陆最大的12英寸Bumping产能规模。
在晶圆级封装领域，盛合晶微成功实现12英寸大尺寸晶圆级芯片封装（晶圆级扇入型封装，WLCSP）的研发及产业化，涵盖适用于更先进技术节点的12英寸Low-K WLCSP，以及市场需求快速增长的超薄芯片WLCSP，2024年度其12英寸WLCSP收入规模位居中国大陆第一，市场占有率约31%。
在芯粒多芯片集成封装领域，公司2.5D业务和3D Package业务均已实现规模量产：2.5D业务已形成稳定规模销售，毛利率趋于平稳，2024年度在中国大陆2.5D收入规模排名第一，市场份额高达85%；3D Package业务则于2025年5月正式进入量产阶段，技术水平可全面对标全球领先企业，无明显技术代差。
值得关注的是，盛合晶微已成功从专业中段凸块（bumping）厂商，转型为中国大陆AI硬件加速的主导平台。2022-2024年间，公司实现69.77%的收入复合年增长率（CAGR），营收从16.33亿元增长至47.05亿元，实现从亏损到持续盈利的跨越，2025年上半年归母净利润已达4.35亿元。此次IPO不仅是为了补充资金、扩大产能，更是对&ldquo;晶圆代工-封装一体化&rdquo;（Foundry-Packaging Integration）模式估值的关键尝试，助力行业探索全新发展路径。
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关于未来发展，盛合晶微明确表示，将持续深耕先进封测领域，借鉴前段晶圆制造的先进制造与管理体系，深化质量管控；同时发挥前中后段芯片制造的综合优势，打造先进芯粒多芯片集成封装测试一站式服务能力，满足高算力、高带宽、低功耗等性能需求，助力我国集成电路产业链自主可控。

盛合晶微冲刺IPO，募资48亿加码芯片先进封装

2月26日，中芯国际正式发布公告，宣布其拟发行股份购买中芯北方49%股权的申请，已顺利获得上交所受理，标志着这场规模达406亿元的核心资产收购，迈出决定性一步，将进一步强化中芯国际在晶圆代工领域的龙头地位。
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公告明确披露，中芯国际于2月25日收到上交所出具的受理通知，上交所已依据相关规定，对公司报送的发行股份购买资产申请文件进行全面核对，确认申请文件齐备、符合法定形式，正式决定予以受理并依法开展审核工作。本次交易尚需通过上交所审核，并获得中国证监会同意注册后方可实施，最终获批时间仍存在不确定性。
根据申报稿细节，中芯国际此次收购的核心标的为中芯北方49.00%股权，交易价格高达406.01亿元，收购方式为向5名中芯北方核心股东发行股份。这5名股东分别为国家集成电路基金、集成电路投资中心、亦庄国投、中关村发展、北京工投，均为行业核心国资背景投资机构，此次交易完成后，中芯国际将实现对中芯北方的全资控股。
据悉，中芯北方成立于2013年，是中芯国际体系内核心的12英寸晶圆制造基地，拥有两条300mm生产线，总月产能达7万片，工艺覆盖65nm至28nm节点，涵盖通用逻辑、低功耗逻辑、混合电路等多个领域，产品广泛应用于手机、消费电子、汽车电子等终端场景，已实现大规模量产，且盈利能力强劲，2024年净利润同比增长近3倍。
此次收购的核心意义在于，中芯国际可通过全资控股中芯北方，进一步提升资产质量与业务协同效率，统筹调配产线资源、优化管理架构，减少关联交易成本，同时借助中芯北方成熟的产能与盈利优势，为自身先进制程研发及新产线建设提供稳定现金流支撑，助力国产半导体产业链自主可控。

中芯国际大手笔，百亿收购上交所受理

2月25日，韩国SK海力士正式宣布重磅投资计划：将斥资21.6万亿韩元（约合150.7亿美元），于2030年前在韩国龙仁市新建芯片生产线，全力加码高性能半导体产能，抢占AI时代发展先机。
据SK海力士在监管申报文件与声明中披露，这笔巨额投资将重点用于首座工厂的建设，同时同步推进第二至第六阶段的5个洁净室建设，加速产能落地。加上2024年7月已投入的9.4万亿韩元，该龙仁园区累计投资额将达31万亿韩元，规模堪称行业标杆。值得一提的是，首座洁净室启用时间将从原定的2027年5月提前至同年2月，大幅缩短投产周期。
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此次大规模投资绝非偶然，背后是全球半导体需求的结构性爆发。当前，人工智能、数据中心和高性能计算快速普及，市场对高性能、高密度半导体的需求持续飙升，尤其是AI应用核心部件HBM（高带宽内存）需求激增，而行业产能缺口短期内难以缓解，预计2027年底前都无法实现实质性供需平衡。
SK海力士明确表示，此次巨额投资核心目的，就是满足全球半导体中长期需求，同时加速自身技术迭代，进一步强化在先进存储领域的竞争力。据悉，龙仁新建工厂将主要生产次世代DRAM及AI所需的HBM，同时保留根据市场变化调整产品线的弹性，同步导入EUV微影等先进设备，提升制程能力与良率。

150亿美元！SK海力士在韩新建半导体工厂

2月26日，闪迪（Sandisk）与SK海力士昨日在闪迪美国总部，联合举办&ldquo;HBF规格标准化联盟启动会&rdquo;，标志着两大存储原厂正式启动高带宽闪存（HBF）的全球标准化进程，为AI生态协同发展筑牢基础。
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SK海力士明确表示，将与闪迪深度携手，共同推动HBF成为行业通用标准，为整个AI生态系统协同发展奠定核心基础。目前，双方已依托OCP框架，专门设立专项工作组，全面启动HBF的标准化制定工作，加速推动这项新型存储技术的产业化落地。
当前，AI产业已全面迈向以实际服务应用为导向的推理阶段。随着并发使用AI服务的用户量激增，快速、高效的存储系统成为AI推理落地的必要条件，而传统存储架构的短板日益凸显&mdash;&mdash;难以同时兼顾海量数据处理效率与高能效需求，成为制约AI推理规模化发展的瓶颈。
作为全新的存储解决方案，HBF的核心价值的就是打破这一瓶颈：它是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储阶层，专门弥合HBM高性能与固态硬盘大容量之间的市场空白，精准匹配AI推理场景对容量扩展性与能效的双重核心需求。在传统存储架构中，HBM负责提供最高带宽，HBF则与HBM深度协同，形成高效互补的存储体系。
除了填补技术空白，HBF还能为AI产业带来实际效益：不仅可大幅提升AI系统的扩展能力，还能有效降低企业总体拥有成本（TCO），兼具性能与性价比优势。业界普遍预测，以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案，其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张，成为AI存储领域的核心增长极。

闪迪+SK海力士启动HBF标准化

联电（2303）于25日正式公告，将向ASML采购半导体机器设备，交易总金额达新台币15.79亿元，助力自身产能优化与技术研发升级，契合其2026年资本支出及长期发展战略。
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公告详细披露，本次交易为一批设备采购，每单位平均价格与总金额一致，均为15.79亿元（新台币）；交易相对方为ASML SINGAPORE PTE. LTD.，双方属非关系人，交易具备独立性与公允性。
联电明确说明，本次交易的交付及付款条件将严格按照订单约定执行；交易采用议价方式确定，价格参考当前市场行情，由公司采购核定会负责决策，确保交易合规、定价合理。此次采购的设备，核心用途为供公司生产及研发使用，将进一步支撑联电深化22nm平台优势、推进先进封装等技术布局，助力其实现&ldquo;超越目标市场增长&rdquo;的年度目标。

联电斥资15.79亿新台币，向ASML采购半导体生产研发设备

SDV可针对ADAS、自动驾驶、车载娱乐等核心应用，实现持续功能更新、个性化体验及空中下载（OTA）升级，重塑汽车产业全价值链。但这场变革也带来巨大复杂性，亟需全新体系架构、强大工程工具及深度战略合作，才能满足车载场景严苛的性能、功耗与安全要求。
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为破解这一难题，德州仪器（TI）重磅发布TDA5系列SoC，该系列可提供10&ndash;1200 TOPS的安全可扩展AI性能，能效比超24 TOPS/W，在功耗与性能效率间实现最佳平衡，能以高成本竞争力，让先进自动驾驶功能覆盖整车厂全车型。其面向chiplet的可扩展架构（支持标准UCIe接口），可帮助整车厂突破传统SoC限制，灵活扩展计算能力，为未来自动驾驶需求的持续升级预留充足空间，最高可支持L3级自动驾驶。
安全性上，TDA5 SoC通过集成硬件安全架构实现跨域融合，助力整车厂满足ASIL‑D级功能安全标准，为车辆从基础驾驶辅助向高阶自动驾驶跨越奠定坚实基础。针对车载软件管理的复杂挑战，德州仪器与新思科技深度合作，为TDA5 SoC量身打造Virtualizer&trade;开发套件（VDK），依托电子数字孪生（eDT）技术，让工程师在ECU硬件尚未落地时，即可提前&ldquo;左移&rdquo;启动软件开发，将整车软件上市周期加速多达12个月，大幅缩短高阶自动驾驶商业化落地周期。
这款TDA5 VDK由新思科技与德州仪器联合开发，是面向跨域TDA5系列SoC的全面软件开发解决方案。其虚拟原型完整还原SoC虚拟化结构，涵盖应用处理、实时处理、多媒体、显示、连接、分析及安全等所有子系统，让开发人员可高效调试、分析软件，加快迭代周期并提升软件质量。
在此基础上，VDK进一步扩展高级调试与分析能力，让软件开发更高效、成本更低，这对引导程序、操作系统、设备驱动、中间件及多核平台并行软件等依赖硬件的底层软件而言至关重要。同时，VDK提供全面的可观测性与控制能力，实现非侵入式调试与分析，大幅加速软硬件关联调试及根因定位，提升开发效率。
VDK与德州仪器软件开发套件（SDK）的深度集成，为开发者提供了统一的软件开发基础平台。这一一体化方案源于双方紧密协作，经过充分验证，可高效支撑系统及相关软件的评估与构建。值得一提的是，VDK在德州仪器TDA5芯片流片前的软件开发中发挥关键作用，帮助开发人员在芯片量产前完成SDK的设计与优化，实现更早的软件验证与调试。
除了与TI SDK的集成，新思科技与德州仪器还联动埃森哲、斑马智行、QNX（黑莓子公司）等众多行业伙伴，将调试仿真工具、操作系统、感知与OTA中间件等，全面集成至TDA5虚拟原型，构建完善的集成生态解决方案。
随着汽车行业从传统分层供应链向SDV生态转型，这类深度合作可提供关键预集成解决方案，推动开发流程进一步&ldquo;左移&rdquo;。联合解决方案与CI/CD工具深度融合，可自动化软件构建、测试与部署流程，简化工作流、加快研发周期、提升代码质量；同时，VDK可与云服务商基础设施集成，进一步提升开发的可扩展性与灵活性，适配SDV时代的快速迭代需求。

新思科技VDK赋能TI TDA5 SoC

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2月25日，中微半导（证券代码：688380）正式发布2025年度业绩快报，披露全年初步核算经营数据。受益于车规级、工业控制芯片出货量爆发式增长及产品结构持续优化，公司实现全方位跨越式增长，净利润同比增幅超100%，圆满实现翻倍增长目标，交出一份惊艳行业的成绩单。
核心财务数据全线飘红，盈利端表现尤为亮眼，多项关键指标同比增幅超100%，增长势头强劲（单位：人民币元）：营收层面，全年实现营业总收入11.22亿元，较上年同期9.12亿元增长23.09%，营收规模稳步扩容；盈利层面，营业利润达3.10亿元，同比暴涨124.95%；利润总额3.05亿元，同比增长121.63%；归属于母公司所有者的净利润2.85亿元，同比增幅高达108.05%，净利翻倍落地。
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财务结构持续稳健，资产规模稳步扩张。截至报告期末，公司总资产达36.80亿元，较期初增长11.19%；归属于母公司的所有者权益31.78亿元，较期初增长6.16%。值得关注的是，公司股本维持4.00亿股不变，归属于母公司所有者的每股净资产从7.48元提升至7.94元，同比增长6.15%，盈利能力与资产质量双重提升。
业绩暴涨的背后，离不开三大核心因素的强力驱动，其中车规级芯片成为核心增长引擎：
其一，车规级与工业控制芯片出货量爆发。作为国内领先的智能控制解决方案供应商，中微半导以MCU研发设计为核心，深耕高端应用领域多年。2025年，依托持续的研发投入、产品迭代升级及优质综合服务，公司车规级、工业控制芯片出货量大幅飙升，其中车规级芯片出货量同比增加超650万颗，增幅达73%；同时测量类产品成功拓展市场份额，进一步为营收增长注入动力。公司旗下多款MCU产品贴合市场需求，其中CMS32F759、CMS32F737等触控MCU，广泛应用于大家电触控场景，工业级标准设计保障了产品高可靠性。
其二，产品结构优化，盈利能力持续提升。公司持续推进新产品推广与迭代，丰富产品矩阵的同时，不断优化产品结构、提升核心竞争力与毛利率。其中，32位机销售额占比由上年约32%提升至36%，产品综合毛利率从上年约30%升至34%，核心产品盈利贡献持续增强，这也是32位MCU在工业控制、汽车电子领域持续放量的直接体现，其旗下CMS32M67xx等高端电机控制MCU，凭借高主频、丰富外设等优势，适配多场景工业控制需求。
其三，非经常性损益大幅增加。2025年，公司持有的证券投资公允价值上升，其中长期持有的电科芯片股票表现亮眼，全年股价涨幅达33.05%，从上年末13.19元上涨至年末17.55元，为公司带来显著浮动收益，进一步放大盈利增长幅度。
报告明确，公司2025年营业利润、净利润等多项核心盈利指标增减变动幅度均超30%，核心源于两大逻辑：一是高端产品结构持续优化，32位MCU出货量与营收占比双增长，推动营收、毛利率同步提升；二是电科芯片股价上涨带动公允价值变动损益大增，助力盈利端实现翻倍突破。
亿配芯城（ICgoodFind）：中微半导2025年净利翻倍，车规级芯片与32位MCU发力，业绩与盈利能力双提升。

中微半导2025业绩快报：净利翻倍暴涨，车规级芯片成增长核心

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