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商品分类

IGBT管/模块

展示方式：

品牌

AOS

CJ(江苏长电/长晶)

CRMICRO(华润微)

IXYS

Infineon(英飞凌)

品牌归属地

中国大陆

国际

封装/规格

10-SSOP

62mm

D-PAK(to-252)

D2PAK

DPAK

IGBT类型

FS(场截止)

IGBT模块

NPT(非穿通型)

耗散功率(Pd)

1.1kW

1.25kW

1.4kW

1.6kW

105W

集射极击穿电压(Vces)

1.2kV

1.35kV

1.6kV

3kV

400V

集电极电流(Ic)

100A

10A

115A

120A

12A

集电极脉冲电流(Icm)

100A

120A

15A

180A

240A

集射极饱和电压(Vce(sat))

1.25V@6A,4V

1.35V@40A,15V

1.4V

1.55V

1.65V@30A,15V

栅极阈值电压(Vge(th))

1.25V@4V,6A

1.3V@1mA

2.2V@15V,50A

2.5V@0.25mA

2.6V@15V,25A

导通损耗(Eon)

1.01mJ

1.13mJ

1.17mJ

1.23mJ

1.25mJ

关断损耗(Eoff)

1.05mJ

1.1mJ

1.23mJ

1.2mJ

1.32mJ

开启延迟时间(Td(on))

1.1us

100ns

116ns

120ns

12ns

集电极截止电流(Ices)

10uA

1mA

200uA

250uA

25uA

关断延迟时间(Td(off))

1.2us

100ns

104ns

105ns

106ns

反向恢复时间(Trr)

1.6us

100ns

103ns

121ns

130ns

栅极电荷量(Qg)

100nC

100nC@15V

100nC@300V

102nC@15V

110nC@20A,15V

输入电容(Cies)

1.011nF

1.044nF

1.05nF@25V

1.127nF

1.17nF

输出电容(Coes)

1.17nF

100pF

108pF

115pF

116pF

反向传输电容(Cres)

1.1nF

1.47pF

100pF

104pF

107pF

工作温度

-40°C ~ 175°C（TJ）

-40℃~+125℃

-40℃~+150℃

-40℃~+175℃

-40℃~+175℃@(Tj)

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

CRG75T75AK5SD复制

品牌：CRMICRO(华润微)复制

封装：TO-247复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

复制

描述：-

库存：7830复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

1+￥9.47

1000+￥9.14

量大可议价

合计￥9.47

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NCE10TD60BK复制

品牌：NCE（新洁能）复制

封装：TO-252复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

IGBT类型：FS(场截止)复制

耗散功率(Pd)：83W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：20A复制

描述：采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制

库存：5000复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

1+￥1.5876

2500+￥1.512

量大可议价

合计￥1.59

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NCE10TD60BK复制

品牌：NCE（新洁能）复制

封装：TO-252复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

IGBT类型：FS(场截止)复制

耗散功率(Pd)：83W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：20A复制

描述：采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制

库存：569复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年外

9.8折

1+￥1.555848

量大可议价

合计￥1.56

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IKW75N65EH5复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：TO-247-3复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

耗散功率(Pd)：395W复制

集射极击穿电压(Vces)：650V复制

集电极电流(Ic)：90A复制

集射极饱和电压(VCE(sat))：2.1V@75A,15V复制

描述：IGBT管/模块 IKW75N65EH5复制

库存：4279复制

最小包 : 240复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥9.25

240+￥8.9

量大可议价

合计￥9.25

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IKD10N60RATMA1复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：TO-252-3(DPAK)复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

安装类型：表面贴装型复制

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A复制

栅极电荷：64nC复制

输入类型：标准复制

描述：IGBT-沟槽型场截止-600V-20A-150W-表面贴装型-PG-TO252-3复制

库存：2570复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥3.44

2500+￥3.3

量大可议价

合计￥3.44

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AOD5B65MQ1E复制

品牌：AOS复制

封装：D-PAK(TO-252)复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

耗散功率(Pd)：52W复制

集射极击穿电压(Vces)：650V复制

集电极电流(Ic)：10A复制

集电极脉冲电流(Icm)：15A复制

描述：IGBT管/模块 2.7V@15V,5A 650V 52W 10A TO-252(DPAK)复制

库存：2470复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥1.66

2500+￥1.58

量大可议价

合计￥1.66

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