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IGBT管/模块
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耗散功率(Pd)：395W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：90A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.1V@75A,15V复制
描述：IGBT管/模块 IKW75N65EH5复制库存：5004复制
最小包 : 240复制
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RoHS
批次：两年内
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安装类型：表面贴装型复制
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A复制
栅极电荷：64nC复制
输入类型：标准复制
描述：IGBT-沟槽型场截止-600V-20A-150W-表面贴装型-PG-TO252-3复制库存：2570复制
最小包 : 2500复制
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批次：26+
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耗散功率(Pd)：52W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：10A复制
集电极脉冲电流(Icm)：15A复制
描述：IGBT管/模块 2.7V@15V,5A 650V 52W 10A TO-252(DPAK)复制库存：2490复制
最小包 : 2500复制
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RoHS
批次：26+
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：88W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：12A复制
描述：IGBT-沟槽型场截止-650V-12A-88W-表面贴装型-DPAK复制库存：2489复制
最小包 : 2500复制
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RoHS
批次：22+
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IGBT类型：FS(场截止)复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：6A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：1.8V复制
描述：650V/6A/-40~+175℃/TO-252/替代STGD5H60DF复制库存：2394复制
最小包 : 2500复制
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RoHS
批次：25+
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2500+￥1.37
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IGBT 类型：沟道复制
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V复制
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A复制
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：12A复制
描述：The RC-Drives 600 V, 4 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor复制库存：2334复制
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批次：25+
1+￥3.08
2500+￥2.95
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：73W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：14A复制
描述：采用专有的沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，600V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制库存：2181复制
最小包 : 2500复制
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：349W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：80A复制
描述：IGBT管/模块 600V 349W FS(场截止) 80A TO-247AC-3复制库存：2107复制
最小包 : 30复制
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RoHS
批次：26+
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描述：未分类复制
库存：2048复制
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批次：两年内
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耗散功率(Pd)：250W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：50A复制
集电极脉冲电流(Icm)：100A复制
描述：IGBT管/模块 GT50JR22(S1WLD,E,S TO-3P-3复制库存：2009复制
最小包 : 25复制
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批次：26+
1+￥5.15
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耗散功率(Pd)：288W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.35kV复制
集电极电流(Ic)：20A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：1.85V@20A,15V复制
描述：IGBT管/模块 IHW20N135R5复制库存：1914复制
最小包 : 240复制
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批次：两年内
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耗散功率(Pd)：288W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.35kV复制
集电极电流(Ic)：20A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：1.85V@20A,15V复制
描述：IGBT管/模块 IHW20N135R5复制库存：7复制
最小包 : 240复制
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批次：两年外
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：166W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：40A复制
描述：IGBT管/模块 650V 166W FS(场截止) 40A D2PAK复制库存：1898复制
最小包 : 1000复制
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批次：24+
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：390W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：160A复制
描述：使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制库存：1703复制
最小包 : 600复制
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批次：26+
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IGBT类型：NPT(非穿通型)复制
耗散功率(Pd)：60W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV复制
集电极电流(Ic)：5.3A复制
描述：IGBT管/模块 1.2kV 60W NPT(非穿通型) 5.3A TO-252AA复制库存：1660复制
最小包 : 2500复制
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IGBT类型：NPT(非穿通型)复制
耗散功率(Pd)：60W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV复制
集电极电流(Ic)：5.3A复制
描述：IGBT管/模块 1.2kV 60W NPT(非穿通型) 5.3A TO-252AA复制库存：10复制
最小包 : 2500复制
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批次：两年外
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1+￥4.2826
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耗散功率(Pd)：150W复制
集射极击穿电压(Vces)：450V复制
集电极电流(Ic)：25A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：1.25V@6A,4V复制
描述：IGBT-450V-25A-125W-表面贴装型-DPAK复制库存：1578复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥4.28
2500+￥4.11
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合计￥4.28
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：35.7W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：18A复制
描述：IGBT管/模块 IKA15N60T复制库存：1489复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥5.2
500+￥4.99
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耗散功率(Pd)：428W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：75A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2V@75A,15V复制
描述：IGBT管/模块 IKW75N60T复制库存：1440复制
最小包 : 240复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥20.55
240+￥20
量大可议价
合计￥20.55
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耗散功率(Pd)：375W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：60A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2V@60A,15V复制
描述：IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-375W-通孔-TO-247复制库存：1400复制
最小包 : 600复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥10.81
600+￥10.5
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安装类型：通孔复制
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：14.7A复制
栅极电荷：87nC复制
输入类型：标准复制
描述：IGBT-沟槽型场截止-600V-14.7A-35.7W-通孔-PG-TO220-3复制库存：1330复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥6.47
500+￥6.23
量大可议价
合计￥6.47
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耗散功率(Pd)：200W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：60A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.5V@20A,15V复制
描述：IGBT管/模块 600V 200W 60A 0.22mJ复制库存：1321复制
最小包 : 600复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥12.16
600+￥11.8
量大可议价
合计￥12.16
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IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：483W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：120A复制
描述：IGBT CRG60T60AK3HD复制库存：1300复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥9.14
100+￥7.88
1250+￥7.5
2500+￥7.25
量大可议价
合计￥9.14
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描述： HOME APPLIANCES复制
库存：1200复制
最小包 : 240复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥6.09
240+￥5.8
量大可议价
合计￥6.09
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IGBT类型：FS(场截止)复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：60A复制
耗散功率(Pd)：258W复制
描述：IGBT管/模块 650V 258W FS(场截止) 60A复制库存：1200复制
最小包 : 600复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：23+
1+￥5.98
600+￥5.75
量大可议价
合计￥5.98
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耗散功率(Pd)：480W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV复制
集电极电流(Ic)：75A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.2V@40A,15V复制
描述：IGBT管/模块 IKW40N120T2复制库存：1199复制
最小包 : 240复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥15.45
240+￥15
量大可议价
合计￥15.45
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描述：IGBT管/模块 SGT60N60FD1PN复制
库存：1193复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥8.01
30+￥7.63
量大可议价
合计￥8.01
￥12领取
数据手册复制
IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：380W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：40A复制
描述：IGBT管/模块 SGT40N60FD2PN复制库存：1186复制
最小包 : 600复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥4.28
600+￥4.1
量大可议价
合计￥4.28
￥12领取
数据手册复制
IGBT类型：FS(场截止)复制
耗散功率(Pd)：375W复制
集射极击穿电压(Vces)：600V复制
集电极电流(Ic)：80A复制
描述：IGBT管/模块 600V 375W FS(场截止) 80A复制库存：1150复制
最小包 : 600复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥9.36
600+￥8.99
量大可议价
合计￥9.36
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