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商品分类

IGBT管/模块

展示方式：

品牌

ANHI(安海)

AOS

BELLING（贝岭）

BOURNS

CJ(江苏长电/长晶)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

10-SSOP

27-POWERDIP 模块(1.205",30.60mm)

62mm

AG-ECONO2B-711

IGBT类型

FS(场截止)

IGBT模块

NPT(非穿通型)

PT(穿通型)

耗散功率(Pd)

1.004kW

1.04kW

1.071kW

1.07kW

1.091kW

集射极击穿电压(Vces)

1.1kV

1.2kV

1.35kV

1.3kV

1.4kV

集电极电流(Ic)

10.8A

100A

104A

105A

108A

集电极脉冲电流(Icm)

100A

100uA

105A

10A

10uA

集射极饱和电压(Vce(sat))

1.15V

1.17V

1.1V

1.25V

1.25V@6A,4V

栅极阈值电压(Vge(th))

1.13V@15V,100A

1.25V@4V,6A

1.2V@1mA

1.2V@250uA

1.35V@15V,32A

导通损耗(Eon)

1.01mJ

1.03mJ

1.04mJ

1.05mJ

1.06mJ

关断损耗(Eoff)

1.03mJ

1.05mJ

1.06mJ

1.11mJ

1.12mJ

开启延迟时间(Td(on))

1.1us

100ns

101ns；89ns

108ns

10ns

集电极截止电流(Ices)

1.5mA

1.6mA

100uA

10uA

14uA

关断延迟时间(Td(off))

1.15us

1.2us

10.8us

100ns

101ns

反向恢复时间(Trr)

1.08us

1.2us

1.32us

1.35us

1.4us

栅极电荷量(Qg)

1.032uC@15V

1.25uC

1.25uC@600V,15V

1.65uC@15V

10.6nC

输入电容(Cies)

1.011nF

1.01nF

1.03nF

1.044nF

1.05nF

输出电容(Coes)

1.17nF

100pF

101pF

104pF

105pF

反向传输电容(Cres)

1.1nF

1.47pF

1.4nF

1.55nF

1.7nF

工作温度

-30℃~+150℃

-40°C ~ 140°C（TJ）

-40°C ~ 175°C（TJ）

-40℃~+125℃

-40℃~+125℃@(Tj)

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

CRG75T75AK5SD复制

品牌：CRMICRO(华润微)复制

封装：TO-247复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

复制

描述：-

库存：7779复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：25+

满赠至高98元老客礼包

1+￥9.16

1000+￥8.85

合计￥9.16

现在下单最快1小时发货

IKD06N60RF复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：TO-252复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

耗散功率(Pd)：100W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：6A复制

集射极饱和电压(VCE(sat))：2.5V@6A,15V复制

描述：IGBT管/模块 IKD06N60RF复制

库存：7000复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

满赠至高98元老客礼包

1+￥1.67

2500+￥1.6

合计￥1.67

现在下单最快1小时发货

STGW39NC60VD复制

品牌：ST(意法半导体)复制

封装：TO-247复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

耗散功率(Pd)：250W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：80A复制

集射极饱和电压(VCE(sat))：2.4V@30A,15V复制

描述：IGBT管/模块 2.4V@15V,30A 600V 250W 80A复制

库存：6300复制

最小包 : 600复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

满赠至高98元老客礼包

1+￥7.59

600+￥7.3

合计￥7.59

现在下单最快1小时发货

NCE10TD60BK复制

品牌：NCE（新洁能）复制

封装：TO-252复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

IGBT类型：FS(场截止)复制

耗散功率(Pd)：83W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：20A复制

描述：采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制

库存：5000复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

满赠至高98元老客礼包

1+￥1.5087

2500+￥1.4552

合计￥1.51

现在下单最快1小时发货

NCE10TD60BK复制

品牌：NCE（新洁能）复制

封装：TO-252复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

IGBT类型：FS(场截止)复制

耗散功率(Pd)：83W复制

集射极击穿电压(Vces)：600V复制

集电极电流(Ic)：20A复制

描述：采用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术，600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能，且易于并联操作。复制

库存：532复制

最小包 : 2500复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年外

满赠至高98元老客礼包

9.8折

1+￥1.478526

合计￥1.48

已优惠-￥0.03

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IKW40N120H3复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：TO-247-3复制

类目：IGBT管/模块复制

￥12领取

数据手册复制

IGBT类型：FS(场截止)复制

耗散功率(Pd)：483W复制

集射极击穿电压(Vces)：1.2kV复制

集电极电流(Ic)：40A复制

描述：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）复制

库存：5220复制

最小包 : 240复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

满赠至高98元老客礼包

1+￥12.87

240+￥12.5

合计￥12.87

现在下单最快1小时发货

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