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商品分类

场效应管(MOSFET)

展示方式：

品牌

AF(晶岳)

AGM-Semi(芯控源)

ALJ(龙晶微)

AOS

APEC(富鼎)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

10-SMD

16-SOIC

2-2U1A

2-5Q1S

3-PICOSTAR

类型

1个N沟道

1个P沟道

N沟道

N沟道+P沟道

P沟道

数量

1个N沟道

1个N沟道+1个P沟道

1个P沟道

2个N沟道

2个N沟道+2个P沟道

配置

全桥

共源

共漏

半桥

独立式

漏源电压(Vdss)

1.05kV

1.2kV

1.5kV

1.7kV

100V

连续漏极电流(Id)

1.03A

1.03A；700mA

1.05A

1.066A

1.13A

导通电阻(RDS(on))

0.37mΩ@10V

0.44mΩ@10V

0.51mΩ@10V

0.5mΩ@10V

0.65mΩ@10V

栅极电压(Vgs)

25V

40V

±10V

±12V

阈值电压(Vgs(th))

1.05V

1.06V

1.15V

1.1V

1.25V

输入电容(Ciss)

1.002nF

1.004nF

1.005nF

1.006nF

1.007nF

输出电容(Coss)

1.012nF

1.025nF

1.026nF

1.029nF

1.02nF

耗散功率(Pd)

0.47mW

0.49mW

0.65mW

0.7mW

0.9mW

栅极电荷量(Qg)

1.02nC@4.5V

1.04nC@10V

1.04nC@4.5V

1.05nC@10V

1.05nC@4.5V

反向传输电容(Crss)

0.025pF

0.17pF

0.1pF

0.27pF

0.2pF

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

-40℃~+150℃

-40℃~+175℃

-40℃~+85℃

-50℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

RK7002BMT116复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：250mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道复制

库存：1100828复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.09427

3000+￥0.0748

量大可议价

合计￥0.09

现在下单最快1小时发货

ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣

L2N7002LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：1085421复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0505

3000+￥0.0401

量大可议价

合计￥0.05

现在下单最快1小时发货

2N7002,215复制

品牌：Nexperia(安世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：300mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道复制

库存：975239复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.0705

3000+￥0.056

量大可议价

合计￥0.07

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2N7002复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：923701复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.07938

3000+￥0.062964

量大可议价

合计￥0.08

现在下单最快1小时发货

L2N7002SWT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SC-70复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：380mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制

库存：842262复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0827

3000+￥0.0657

量大可议价

合计￥0.08

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