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商品分类

场效应管(MOSFET)

展示方式：

品牌

ABB

AF(晶岳)

AGM-Semi(芯控源)

ALJ(龙晶微)

ALLPOWER(铨力)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

10-SMD

12-MLP(5x4.5)

12-POWER3.3X5

1212-8

1212-8S

类型

1个N沟道

1个P沟道

N沟道

N沟道+P沟道

P沟道

数量

1个N沟道

1个N沟道+1个P沟道

1个N沟道；1个N沟道

1个P沟道

2个N沟道

配置

三相桥

全桥

共源

共源；共漏

共漏

漏源电压(Vdss)

1.05kV

1.2kV

1.5kV

1.7kV

100V

连续漏极电流(Id)

1.02A

1.03A

1.03A；700mA

1.05A

1.066A

导通电阻(RDS(on))

0.015mΩ@10V

0.2mΩ@10V

0.31mΩ@10V

0.35mΩ@10V

0.37mΩ@10V

栅极电压(Vgs)

-6V~10V

-6V~22V

10V；-6V

12V

15V

阈值电压(Vgs(th))

1.05V

1.06V

1.15V

1.1V

1.1V@250uA

输入电容(Ciss)

0.05pF

1.001nF

1.002nF

1.0039nF

1.003nF

输出电容(Coss)

0.45pF

1.002nF

1.006nF

1.012nF

1.013nF

耗散功率(Pd)

0.36mW

0.47mW

0.49mW

0.65mW

0.7mW

栅极电荷量(Qg)

0.45pC@4.5V

1.02nC@4.5V

1.04nC@10V

1.04nC@4.5V

1.05nC

反向传输电容(Crss)

0.025pF

0.07pF

0.17pF

0.1pF

0.27pF

工作温度

-25℃~+125℃

-25℃~+150℃

-25℃~+175℃

-25℃~+85℃

-30℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

L2N7002KLT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：380mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制

库存：2575886复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0618

3000+￥0.049

量大可议价

合计￥0.06

现在下单最快1小时发货

L2N7002LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：1958047复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0529

3000+￥0.042

量大可议价

合计￥0.05

现在下单最快1小时发货

CJ2101复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-323(SC-70)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：1.4A复制

导通电阻(RDS(on))：210mΩ@1.8V复制

描述：场效应管(MOSFET) 290mW 20V 1.4A 1个P沟道复制

库存：1063593复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.15876

3000+￥0.1404

量大可议价

合计￥0.16

现在下单最快1小时发货

L2N7002SWT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SC-70复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：380mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制

库存：842162复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0827

3000+￥0.0657

量大可议价

合计￥0.08

现在下单最快1小时发货

2N7002复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：778194复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.077004

3000+￥0.061128

量大可议价

合计￥0.08

现在下单最快1小时发货

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