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<section data-brushtype="text"><strong>机构：预估台积电及联电等晶圆代工、设计厂商明年Q1涨价10%</strong></section>
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<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/f98827a45d9446edaf6cafa1a4a8b579-bWNldV81OTkxMTg3MDQxMTYzNzU3NTMxMjIyMS5qcGc.jpg" width="401" height="232" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>外资高盛证券最新半导体研究报告指出，半导体市场明年仍延续供给吃紧盛况，晶圆代工涨价行情也会比预期好，该机构上调明年首季晶圆代工业者报价涨幅预估，由原预估的5%内，提升为5%至10%，亦即涨幅有机会比预期高一倍，台积电、联电、世界先进等业者将受惠。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>晶圆代工市况紧俏，以产品来看，高盛预期，12吋成熟制程晶圆、12吋先进制程晶圆（16至14纳米）、8吋晶圆明年首季可各季增5%至10%、5%至8%、5%至10%；台积电、联电、世界先进等晶圆代工厂应还有价格调涨的空间。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>随着整体终端市场库存状况未有太大改变，晶圆代工厂与客户签订长约，订单能见度高，加上其客户多元，有助保护其营运不受需求变动影响，因此，在台系半导体供应链中，高盛最为看好晶圆代工族群。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>IC设计厂方面，在晶圆代工价格调涨下，主要IC设计厂也将随之调整价格，以消弭成本增加的影响。高盛预期，联发科明年首季价格可望上调2%。瑞昱、硅力-KY在WiFi、电源管理芯片（PMIC）需求仍强劲的情况下，价格也有调整空间。联咏因面板驱动IC供不应求，本季部分产品价格也有调整可能；谱瑞-KY已在第3季调涨价格，因此本季应不会再上升。</p>
<p>&nbsp;</p>
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<section data-brushtype="text"><strong>传大基金管理公司华芯投资高官高松涛涉嫌内部交易</strong></section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/c64305a0053444dc9de403a86870bc2f-bWNldV80NjY2NzQ0NzIxNjM3NTc1MzIyNTkyLmpwZw.jpg" width="446" height="297" /></section>
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<p>媒体今日报道，据中央纪委国家监委驻国家开发银行纪检监察组、山东省监委消息：华芯投资管理有限责任公司原副总裁高松涛涉嫌严重违法，目前正在接受监察调查。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>据悉，高松涛出生于1970年6月，2019年11月至今任中国国家制造业转型升级基金股份有限公司总经理。此前，他曾先后担任中国工信部软件与集成电路促进中心主任助理、工信部软件与集成电路促进中心副主任、华芯投资管理有限责任公司（简称华芯投资）副总裁等职位。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>华芯投资成立于2014年8月，是中国国家集成电路产业投资基金（大基金）的唯一管理人，负责基金的投资运作。中国国家开发银行全资子公司国开金融有限责任公司在华芯投资出资45%。此外，华芯投资的股东还包括盈富泰克、元禾控股、中国移动等。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>根据相关媒体报道，高松涛最后一次公开露面是2021年9月6日-8日，以国家制造业转型升级基金总经理的身份到宜昌市进行调研。</p>
<p>&nbsp;</p>
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<section data-brushtype="text"><strong>传英特尔3纳米芯片明年将由台积电代工</strong></section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/a00b1733f02540ed9784d55b53fd8bd2-bWNldV8xNzAzNTk4NTQzMTYzNzU3NTMzNzczNS5qcGc.jpg" width="489" height="326" /></section>
<p>&nbsp;</p>
<p>处理器大厂英特尔加快IDM&nbsp;2.0策略进程，明、后两年将扩大芯片块（tiles）委由晶圆代工龙头台积电代工生产。据业界消息指出，英特尔明年底前将释出3纳米绘图芯片块（GPU tile）委由台积电代工，并采用先进封装整合自行生产的运算芯片块（compute tile），于2023年打造出最强中央处理器（CPU）Meteor Lake。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>据悉，英特尔今年已宣布将部份Xe架构GPU委由台积电代工，包括Xe-HPG架构Alchemist绘图芯片采用台积电6纳米制程，预期年底前开始量产投片，明年第一季将正式推出。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>英特尔针对高效能运算（HPC）打造的Xe-HPC架构Ponte Vecchio绘图芯片，其中的连结芯片块（Xe-Link tile）采用台积电7纳米生产，运算芯片块采用台积电5纳米生产。</p>
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<section data-brushtype="text"><strong>伟诠电订单满到明年上半</strong></section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/2566c963e43d4ffc9225087e6be3b953-bWNldV81NDA5OTA2ODU0MTYzNzU3NTM0OTA4MC5qcGc.jpg" width="548" height="274" /></section>
<p>&nbsp;</p>
<p>IC设计厂伟诠电（2436）在晶圆产能吃紧效应下，使客户追单动能不断。业内人士指出，伟诠电订单目前已一路至少满到2022年上半年。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>另外，再加上新产能支援到位，伟诠电将持续大啖全球各大笔电、智慧手机品牌大单，推动USB-PD及氮化镓（GaN）协议芯片出货再拚新高，同时带动2022年上半年缴出改写历史同期新高的成绩单。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>晶圆代工产能吃紧，让电源管理IC缺货情况已经延续一年时间，即便笔电市场当前正进入库存调整阶段，不过OEM／ODM厂担忧现在削减订单，2022年恐将面临缺货窘境，因此对于USB-PD及GaN协议芯片拉货动能依旧不减，让USB-PD及GaN协议芯片在当前依旧维持价格强势水平。</p>

外资高盛证券最新半导体研究报告指出，半导体市场明年仍延续供给吃紧盛况，晶圆代工涨价行情也会比预期好，该机构上调明年首季晶圆代工业者报价涨幅预估，由原预估的5%内，提升为5%至10%，亦即涨幅有机会比预期高一倍，台积电、联电、世界先进等业者将受惠。

预估台积电及联电等晶圆代工、设计厂商明年Q1涨价10%

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;二极管的英文是diode。二极管的正。负二个端子，一端称为阳极，一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。</p>
<p><strong>二极管的特性：</strong></p>
<p>（1）稳压二极管：</p>
<p>　　稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-05-31%2F06d0efdc06c7467099301d28397c20d1-bWNldV8zOTYwODE4NDcyMTYyMjQ1NTA1MDgzOC5qcGc%3D.jpg" width="465" height="328" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>（2）二极管反向特性：</p>
<p>　　在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。</p>
<p>（3）二极管的正向特性：</p>
<p>　　在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为&ldquo;门槛电压&rdquo;，锗二极管约为0.2V，硅二极管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗二极管约为0.3V，硅二极管约为0.7V），称为二极管的&ldquo;正向压降&rdquo;。</p>
<p>（4）击穿：</p>
<p>　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。</p>
<p>　　二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。</p>
<p>　　二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8&mdash;2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0&mdash;3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。</p>

二极管的英文是diode。二极管的正。负二个端子，一端称为阳极，一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。

二极管的四个特性

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。</p>
<p><strong>肖特基二极管特点</strong></p>
<p>　　1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。</p>
<p>　　2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与 PN 结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N 型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成。</p>
<p>　　在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。</p>
<p>　　当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。</p>
<p>　　肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。</p>
<p>　　采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-05-28%2F681294b32f5b4e97a44c1fa90ed5659c-bWNldV80OTE3OTA2ODczMTYyMjE5MDc3MzU1Ny5qcGc%3D.jpg" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>缺点</strong></p>
<p>肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值最大可以到200V。</p>

肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件

肖特基二极管的特点

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;重量传感器实际上是一种将质量信号转变为可测量的电信号输出的装置。用传感器首先要考虑传感器所处的</p>
<p>实际工作环境，这点对正确选用重量传感器至关重要，它关系到传感器能否正常工作以及它的安全和使用寿命，</p>
<p>乃至整个衡器的可靠性和安全性。在重量传感器主要技术指标的基本概念和评价方法上，新旧国标有质的差异。</p>
<h2>　<span style="font-size: 14pt;">　重量传感器工作原理</span></h2>
<p>　　1、结构组成</p>
<p>　　（下简称仪表）、称重传感器（下简称传感器）、连接件、限位装置及接线盒等零部件组成，还可以选配打</p>
<p>印大屏幕显示器、计算机和稳压电源等外部设备。</p>
<p>　　2、工作原理</p>
<p>　　被称重物或载重汽车置于承载器台面上，在重力作用下，通过承载器将重力传递至称重传感器，使称重传感</p>
<p>器弹性体产生变形，贴附于弹性体上的应变计桥路失去平衡，输出与重量数值成正比例的电信号，经线性放大器</p>
<p>将信号放大。再经A/D转换为数字信号，由仪表的微处理机（CPU）对重量信号进行处理后直接显示重量数据。配</p>
<p>置打印机后，即可打印记录称重数据，如果配置计算机可将计量数据输入计算机管理系统进行综合管理。</p>
<p>　　在称重传感器的弹性体上粘贴有应变计，组成惠斯登电桥。在无负荷时，电桥处于平衡状态，输出为零。当</p>
<p>弹性体承受载荷时，各应变计随之产生与载荷成比例的应变，由输出<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>即可测出外载重量，通过仪表的通讯接</p>
<p>口可以与上位机连接。</p>

 重量传感器实际上是一种将质量信号转变为可测量的电信号输出的装置

重量传感器的工作原理

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应。半导体材料的这种效应特别强。利用半导体材料做成的压阻式传感器有两种类型：一种是利用半导体材料的体电阻做成的粘贴式应变片；另一类是在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成扩散电阻，称扩散型压阻传感器。压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。频率响应高，体积小。它主要用于测量压力、加速度和载荷参数。&ensp;</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，必须要有温度补偿。</p>
<h2><span style="font-size: 14pt;">压阻式压力传感器组成</span></h2>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另- -面是与大气连通的低压腔。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20~60。在圆形硅膜片N型定域扩散4条P染质电阻条，并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某-晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;压力传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; 压阻式压力传感器主要由固定在硅杯上的硅杯膜片和外壳组成。硅膜片的上下有低压腔和高压腔，高压腔通入被测压力，低压腔与大气相通，检测表压力。也可以分別通入高、低压力，检测差压力。在被测压力或差压作用下，硅膜片产生应变，扩散电阻的阻值随应变而变化。传感器的外形结构因被测质性质和测压环境而有所不同。由硅杯膜片构成的压力传感器又称为扩散硅压力传感器。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;已经出现的集成压阻式压力传感器（又称固态压力传感器），采用大规模集成电路技术，将扩散电阻、检测放大电路、温度补傥电路乃至电源变换电路和微处理器集成在同一块中晶硅膜片上，兼有信号检测、处理（放大、运算、补偿）、记忆功能，从而大大地提高了传感器的稳定性和测量准确度。</p>

 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应。

压阻式压力传感器组成

<h2>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;<span style="font-size: 14pt;">环境光传感器特性</span></h2>
<p>　　环境光传感器具有暗电流小，低照度响应，灵敏度高，电流随光照度增强呈线性变化等特性；内置双敏感</p>
<p>元，自动衰减近红外，光谱响应接近人眼函数曲线；在选择适当的光传感器时的另一个考虑因素是选择一个带</p>
<p>有理想光谱响应的传感器。普通PIN光敏二极管或光敏电阻（无源或者有源）本身具有非常宽的光谱响应范围，</p>
<p>包括IR射线乃至UV射线。从理论上来说，用户需要选择一个仅能感应可见光（380~770nm）并削弱无用的IR、</p>
<p>UV信号的光传感器，有些传感器中还内置微信号CMOS放大器、高精度电压源和修正电路，输出电流大，工作</p>
<p>电压范围宽，温度稳定性好；可选光学纳米材料封装，可见光透过，紫外线截止、近红外相对衰减，增强了光</p>
<p>学滤波效果；符合欧盟RoHS指令，无铅、无镉，市面上的光敏电阻达不到以上标准。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/7228d65e203e4315b4643c0746d176b0-bWNldV82MjMzOTQyNzgyMTYzNzU2Nzg1Mzk4MS5qcGc.jpg" width="288" height="290" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<h2>　　<span style="font-size: 14pt;">环境光传感器的作用</span></h2>
<p>　　环境光传感器可以感知周围光线情况，并告知处理芯片自动调节显示器背光亮度，降低产品的功耗。例</p>
<p>如，在手机、笔记本，GPS等移动等手持设备应用中，显示器消耗的电量高达电池总电量的30%，采用环境光</p>
<p>传感器可以最大限度地延长电池的工作时间。</p>
<p>　　环境光传感器有助于显示器提供柔和的画面。当环境亮度较高时，使用环境光传感器的液晶显示器会自动</p>
<p>调成高亮度。当外界环境较暗时，显示器就会调成低亮度。环境光传感器需要在在芯片上贴一个红外截止膜，</p>
<p>甚至直接在硅片上镀制图形化的红外截止膜。</p>

　环境光传感器具有暗电流小，低照度响应，灵敏度高，电流随光照度增强呈线性变化等特性

环境光传感器特性及作用

<h2>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;<span style="font-size: 14pt;">热电阻传感器主要分为哪两种类型</span></h2>
<p>　　分金属热电阻传感器和半导体热电阻传感器2种类型。</p>
<p>　　金属热电阻传感器成本高，互换性好，一般用于工业使用，半导体热电阻传感器成本低，阻值变化高，一般用于冰箱空调等物品上，精度差。</p>
<h2>　　<span style="font-size: 14pt;">热电阻传感器的主要优点</span></h2>
<p>　　①测量精度高；热电阻传感器之所以有较高的测量精度，主要是一些材料的电阻温度特性稳定，复现性好。其次，与热电偶相比，它没有参比端误差问题；</p>
<p>　　②有较大的测量范围，尤其在低温方面；</p>
<p>　　③易于使用在自动测量和远距离测量中。</p>
<h2>　　<span style="font-size: 14pt;">热电阻传感器安装要求</span></h2>
<p>　　对热电阻的安装，应注意有利于测温准确，安全可考及维修方便，而且不影响设备运行和生产操作。要满足以上要求，在选择对热电阻的安装部位和插入深度时要注意以下几点：</p>
<p>　　1、为了使热电阻的测量端与被测介质之间有充分的热交换，应合理选择测点位置，尽量避免在阀门，弯头及管道和设备的死角附近装设热电阻。</p>
<p>　　2、带有保护套管的热电阻有传热和散热损失，为了减少测量误差，热电偶和热电阻应该有足够的插入深度：</p>
<p>　　（1）对于测量管道中心流体温度的热电阻，一般都应将其测量端插入到管道中心处（垂直安装或倾斜安装）。如被测流体的管道直径是200毫米，那热<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E9%98%BB">电阻</a>插入深度应选择100毫米。</p>
<p>　　（2）对于高温高压和高速流体的温度测量（如主蒸汽温度），为了减小保护套对流体的阻力和防止保护套在流体作用下发生断裂，可采取保护管浅插方式或采用热套式热电阻，浅插式的热电阻保护套管，其插入主蒸汽管道的深度应不小于75mm；热套式热电阻的标准插入深度为100mm；</p>
<p>　　（3）假如需要测量是烟道内烟气的温度，尽管烟道直径为4m，热电阻插入深度1m即可。</p>
<p>　　（4）当测量原件插入深度超过1m时，应尽可能垂直安装，或加装支撑架和保护套管。</p>

分金属热电阻传感器和半导体热电阻传感器2种类型

热电阻传感器的主要两种类型

<h2>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;<span style="font-size: 14pt;">热电阻温度传感器的接线方法</span></h2>
<p>　　国标热电阻温度传感器的引线主要一下有三种方式：</p>
<p>　　二线制：在热电阻的两端各连接一根导线来引出电阻信号的方式叫二线制：这种引线方法很简单，但由于连接导线必然存在引线电阻r，r大小与导线的材质和长度的因素有关，因此这种引线方式只适用于测量精度较低的场合</p>
<p>　　三线制：在热电阻的根部的一端连接一根引线，另一端连接两根引线的方式称为三线制，这种方式通常与电桥配套使用，可以较好的消除引线电阻的影响，是工业过程控制中的最常用的。</p>
<p>　　四线制：在热电阻的根部两端各连接两根导线的方式称为四线制，其中两根引线为热电阻提供恒定电流I，把R转换成电压信号U，再通过另两根引线把U引至二次仪表。可见这种引线方式可完全消除引线的电阻影响，主要用于高精度的温度检测。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/97ffdf91de0f483aaffca9fd2140bfaa-bWNldV8zNzg2NzMwOTUxMTYzNzU2Njg3MDQyNS5qcGc.jpg" width="331" height="247" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<h2>　　<span style="font-size: 14pt;">热电阻温度传感器四线接法原理</span></h2>
<p>　　热电阻温度传感器四线接法的原理是两根引线为热电阻提供恒定电流I，把R转换成电压信号U，再通过另两根引线把U引至二次仪表，从而把电阻信号通过引线传递到计算机控制装置或者其它一次仪表上。</p>
<p>　　在热电阻的根部两端各连接两根导线的方式称为四线制，其中两根引线为热电阻提供恒定电流I，把R转换成电压信号U，再通过另两根引线把U引至二次仪表。可见这种引线方式可完全消除引线的电阻影响，主要用于高精度的温度检测。</p>

二线制：在热电阻的两端各连接一根导线来引出电阻信号的方式叫二线制：这种引线方法很简单，但由于连接导线必然存在引线电阻r，r大小与导线的材质和长度的因素有关，因此这种引线方式只适用于测量精度较低的场合

热电阻温度传感器的接线方法

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;激光传感器是一种常用的传感器产品类型，由激光器、激光检测器和测量电路组成，具有精度高、速度快、量程大、抗光、点干扰能力强等优点。</p>
<h2><span style="font-size: 14pt;">激光传感器主要分类</span></h2>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;激光器按工作物质可分为 4种。</p>
<p>①固体激光器：它的工作物质是固体。常用的有红宝石激光器、掺钕的钇铝石榴石激光器 （即YAG激光器）和钕玻璃激光器等。它们的结构大致相同，特点是小而坚固、功率高，钕玻璃激光器是目前脉冲输出功率最高的器件，已达到数十兆瓦。</p>
<p>②气体激光器：它的工作物质为气体。现已有各种气体原子、离子、金属蒸气、气体分子激光器。常用的有二氧化碳激光器、氦氖激光器和一氧化碳激光器，其形状如普通放电管，特点是输出稳定，单色性好，寿命长，但功率较小，转换效率较低。</p>
<p>③液体激光器：它又可分为螯合物激光器、无机液体激光器和有机染料激光器，其中最重要的是有机染料激光器，它的最大特点是波长连续可调。</p>
<p>④半导体激光器：它是较年轻的一种激光器，其中较成熟的是砷化镓激光器。特点是效率高、体积小、重量轻、结构简单，适宜于在飞机、军舰、坦克上以及步兵随身携带。可制成测距仪和瞄准器。但输出功率较小、定向性较差、受环境温度影响较大。</p>
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<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/6210993d6b9d4407b36f885adb0a46ad-bWNldV8xNDk1MzA2NzEyMTYzNzU2NjE5MTMxNC5qcGc.jpg" width="405" height="212" /></p>
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<h3><strong>激光传感器主要功能</strong></h3>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光传感器常用于长度、距离、振动、速度、方位等物理量的测量，还可用于探伤和大气污染物的监测等。</p>
<p><strong>激光测长</strong></p>
<p>精密测量长度是精密机械制造工业和光学加工工业的关键技术之一。</p>
<p>现代长度计量多是利用光波的干涉现象来进行的，其精度主要取决于光的单色性的好坏。激光是最理想的光源，它比以往最好的单色光源（氪-86灯）还纯10万倍。因此激光测长的量程大、精度高。由光学原理可知单色光的最大可测长度L与波长&lambda;和谱线宽度&delta;之间的关系是L=&lambda;/&delta;。用氪－86灯可测最大长度为38.5厘米，对于较长物体就需分段测量而使精度降低。若用氦氖气体激光器，则最大可测几十公里。一般测量数米之内的长度，其精度可达0.1微米。</p>
<p><strong>激光测距</strong></p>
<p>它的原理与无线电雷达相同，将激光对准目标发射出去后，测量它的往返时间，再乘以光速即得到往返距离。由于激光具有高方向性、高单色性和高功率等优点，这些对于测远距离、判定目标方位、提高接收系统的信噪比、保证测量精度等都是很关键的，因此激光测距仪日益受到重视。在激光测距仪基础上发展起来的激光雷达不仅能测距，而且还可以测目标方位、运运速度和加速度等，已成功地用于人造卫星的测距和跟踪，例如采用红宝石激光器的激光雷达，测距范围为500～2000公里，误差仅几米。不久前，真尚有的研发中心研制出的LDM系列测距传感器，可以在数千米测量范围内的精度可以达到微米级别。常采用红宝石激光器、钕玻璃激光器、二氧化碳激光器以及砷化镓激光器作为激光测距仪的光源。</p>
<p><strong>激光测振</strong></p>
<p>它基于多普勒原理测量物体的振动速度。多普勒原理是指：</p>
<p>若波源或接收波的观察者相对于传播波的媒质而运动，那么观察者所测到的频率不仅取决于波源发出的振动频率而且还取决于波源或观察者的运动速度的大小和方向。所测频率与波源的频率之差称为多普勒频移。在振动方向与方向一致时多普频移fd=v/&lambda;，式中v 为振动速度、&lambda;为波长。在激光多普勒振动速度测量仪中，由于光往返的原因，fd =2v/&lambda;。这种测振仪在测量时由光学部分将物体的振动转换为相应的多普勒频移，并由光检测器将此频移转换为电信号，再由电路部分作适当处理后送往多普勒信号处理器将多普勒频移信号变换为与振动速度相对应的电信号，最后记录于磁带。这种测振仪采用波长为6328埃（┱）的氦氖激光器，用声光调制器进行光频调制，用石英晶体振荡器加功率放大电路作为声光调制器的驱动源，用光电倍增管进行光电检测，用频率跟踪器来处理多普勒信号。它的优点是使用方便，不需要固定参考系，不影响物体本身的振动，测量频率范围宽、精度高、动态范围大。缺点是测量过程受其他杂散光的影响较大。</p>
<p><strong>激光测速</strong></p>
<p>它也是基多普勒原理的一种激光测速方法，用得较多的是激光多普勒流速计（见激光流量计），它可以测量风洞气流速度、火箭燃料流速、飞行器喷射气流流速、大气风速和化学反应中粒子的大小及汇聚速度等。</p>

激光传感器是一种常用的传感器产品类型，由激光器、激光检测器和测量电路组成，具有精度高、速度快、量程大、抗光、点干扰能力强等优点

激光传感器的主要分类和主要功能

<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;激光位移传感器能够利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。激光位移传感器就是利用激光的这些优点制成的新型测量仪表，它的出现，使位移测量的精度、可靠性得到极大的提高，也为非接触位移测量提供了有效的测量方法。</p>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;激光位移传感器因其较高的测量精度和非接触测量特性，广泛应用于高校和研究机构、汽车工业、机械制造工业、航空与军事工业、冶金和材料工业的精密测量检测。激光位移传感器可精确非接触测量被测物体的位置、位移等变化，主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。</p>
<h2><span style="font-size: 14pt;">激光位移传感器测量及应用案例</span></h2>
<p>&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;激光位移传感器常用于长度、距离、振动、速度、方位等物理量的测量，还可用于探伤和大气污染物的监测等。</p>
<p>1、气缸筒的测量，同时测量：角度，长度，内、外直径偏心度，圆锥度，同心度以及表面轮廓。</p>
<p>2、金属薄片和薄板的厚度测量：激光传感器测量金属薄片（薄板）的厚度。厚度的变化检出可以帮助发现皱纹，小洞或者重叠，以避免机器发生故障。</p>
<p>3、电子元件的检查：用两个激光扫描仪，将被测元件摆放在两者之间，最后通过传感器读出数据，从而检测出该元件尺寸的精确度及完整性。</p>
<p>4、长度的测量：将测量的组件放在指定位置的输送带上，激光传感器检测到该组件并与触发的激光扫描仪同时进行测量，最后得到组件的长度。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-11-22/4823ee3bcf254953b526568be8c17489-bWNldV82MDk4ODgzODAxMTYzNzU2NTczODk1Mi5wbmc.png" width="401" height="263" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>5、均匀度的检查：在要测量的工件运动的倾斜方向一行放几个激光传感器，直接通过一个传感器进行度量值的输出，另外也可以用一个软件计算出度量值，并根据信号或数据读出结果。</p>
<p>6、尺寸测定：微小零件的位置识别；传送带上有无零件的监测；材料重叠和覆盖的探测；机械手位置（工具中心位置）的控制；器件状态检测；器件位置的探测（通过小孔）；液位的监测；厚度的测量；振动分析；碰撞试验测量；汽车相关试验等。</p>
<p>7、生产线上灌装级别的检查：激光传感器集成到灌装产品的生产制造中，当灌装产品经过传感器时，就可以检测到是否填充满。传感器用激光束反射表面的扩展程序就能精确的识别灌装产品填充是否合格以及产品的数量。</p>
<p>8、传感器测量物体的直线度：首先你需要2-3个激光位移传感器来进行组合式的测量。然后将3个激光位移传感器安装在于产线平行的一条直线上，并根据你所需要的测量精度来确定三个激光位移传感器之间的间距。最后，你需要让这一个物体以平行于激光位移传感器安装线上的方向前进。当产线与传感器的安装线是平行的情况下，三个传感器测出来的距离差别越大则此物体的直线度越差，三个传感器测出来的距离差别越小，说明此物体的直线度越好，你可以根据你所要测量物体的长度，以及三个传感器安装间的间距等数据来确立一个直线度的百分比，从而得到量化的信号输出，已达到检测物体直线度的目的。</p>

激光位移传感器能够利用激光的高方向性、高单色性和高亮度等特点可实现无接触远距离测量。

激光位移传感器测量及应用案例

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