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3·15品质承诺：让每一颗元器件都有可靠来源

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X-Ray 无损检测直击内部结构，多起真伪鉴别实景案例，直观分辨翻新假货，降低采购损耗。

 X Ray透视元器件鉴别假货案例

10月21日，英飞凌科技（Infineon Technologies）在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布，扩大与英伟达（NVIDIA）在AI数据中心供电领域的合作。双方将基于氮化镓（GaN）功率器件，联合开发面向800V直流（800V DC）架构的高压中间总线转换器（IBC）解决方案。
此次扩大合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC供电计划之上，重点面向高功率AI机架的功率转换，同时支持服务器机架的热插拔维护。
高压IBC是AI数据中心供电链中的关键部件。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合，以高频开关技术覆盖800V转50V、800V转12V等多种转换配置，相关解决方案面向NVIDIA面向AI工厂的MGX开放模块化参考架构。
该供电架构面向单机架功耗最高达1 MW的AI计算系统，预计从2027年开始逐步部署。
英飞凌与NVIDIA最早于2025年5月宣布在800V DC数据中心供电领域展开合作，初期计划覆盖碳化硅（SiC）和GaN技术。
最新扩展更强调GaN在中间总线转换中的应用。相关解决方案旨在提升功率密度、降低整个供电链的功率损耗，并减少冷却硬件需求；同时支持服务器主板的受控预充电和放电，以及在机架保持运行状态下进行热插拔，从而帮助降低数据中心维护期间发生服务中断的风险。
除基于GaN的IBC外，英飞凌还为NVIDIA的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护组件及其他功率产品，覆盖从电网到AI处理器的供电链。
NVIDIA的800V DC架构旨在简化传统数据中心中多级AC-to-DC和DC-to-DC转换环节，减少转换级数及相关组件数量。
该生态系统汇聚功率半导体供应商、电源系统制造商和数据中心基础设施提供商。英飞凌是参与该生态的供应商之一，其产品组合覆盖SiC、GaN和硅基功率器件。

英飞凌在NVIDIA GTC大会上宣布扩大与英伟达合作，基于氮化镓功率器件联合开发800V直流架构高压中间总线转换器，面向最高1MW的AI机架，预计2027年起部署。

英飞凌携手英伟达扩大AI数据中心800V直流供电合作

<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">从光刻配套走向多场景光源</h2>
26年来，Gigaphoton的业务一直围绕准分子激光器（excimer laser）展开，这类设备被安装在全球晶圆厂的DUV扫描机旁。每台重达4吨的KrF和ArF光源内含超过8000个零件，置于曝光设备下方的subfab（洁净室下层设备层），为现代芯片多数层的光刻提供光源。Gigaphoton是日本工程机械巨头小松（Komatsu）的全资子公司，自2000年成立以来已交付超过2500台光源，目前约有1400名员工。
这项核心业务表现良好。但在10月SEMICON West的简报会上，总裁兼CEO Tatsuo Enami及其团队提出，Gigaphoton的光源在晶圆厂内的用途远不止光刻。“由于波长更短，它可以在各处得到利用，”Enami说。公司正推进传统扫描机业务之外的四个方向：面向先进封装的准分子激光加工、紧凑型EUV光源、用于光化性掩模检测与量测的EUV光，以及用于保护晶圆厂免受下一轮氖气供应冲击的气体回收。第五项工作是利用脉冲激光沉积（PLD）制造超导线材，瞄准聚变能。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">先进封装：用光刻激光打孔</h2>
AI和HPC推动芯片制造商转向异质集成，性能既取决于晶体管微缩，也取决于芯粒（chiplet）在基板上互连的密度。芯片间连接需要短而高密度的互连，这意味着极小孔径的通孔。Gigaphoton称，芯粒封装在裸片边缘需要直径5 µm至10 µm的通孔，而供电和PCB连接的通孔仍处于80 µm至100 µm范围，且往往位于同一面板上。
现有工具难以兼顾这种组合。“如果使用CO₂激光，只能钻到30 µm，”Gigaphoton业务战略部企划部总经理Takehiko Tomonaga说。355 nm紫外激光可达到约10 µm。“但未来芯片间互连要求直径小于10 µm。”基于光刻的通孔成型可以更小，但会增加光刻胶、显影和刻蚀步骤及成本。
Gigaphoton的答案是G300K，这是一款由其光刻光源发展而来的248 nm KrF准分子激光器，针对封装基板超精细烧蚀设计。它提供300 W功率，重复频率最高4 kHz。该激光器并非逐孔钻孔，而是照射掩模，由投影光学系统将图案直接成像到有机介质上。Gigaphoton同时开发了光源和掩模投影光学系统。
关键差异在物理机制。在248 nm波长下，光子被Ajinomoto build-up film（ABF，味之素堆积膜）、聚酰亚胺和阻焊膜等有机材料强烈吸收，并直接打断分子键。材料以光化学方式而非热方式去除，因此几乎没有热影响区，熔融或碎屑也很少。据Gigaphoton称，结果是侧壁接近垂直，深度和直径可精确控制（3 µm通孔时锥角为87.6°），且不损伤下方铜层。该工艺也适用于玻璃。
由于通孔图案来自掩模，视场内所有通孔可一次成型，无论尺寸如何。“如果使用CO₂激光，一次只能钻一种直径。要钻另一种尺寸的孔，需要切换激光，”Tomonaga说。Gigaphoton展示了一次曝光在ABF中形成从10 µm到3 µm的八种不同通孔直径。近期结果显示，6.5 µm至3.5 µm的ABF通孔在干法除胶和种子层沉积后仍保持形状。公司规定G300K适用于ABF中5 µm及以下通孔、阻焊膜中10 µm及以下通孔，其路线图目标为3 µm通孔和0.5 µm线宽/间距。
线宽/间距可能是更大的收益所在。客户从钻孔开始，但同样的掩模投影方法也可用于图形化线路沟槽。“一旦客户开始使用准分子激光技术，他们会测试把通孔和线路都做在有机材料上，”Tomonaga说。由于准分子激光可直接图形化非光敏介质，它可能取代原本形成线路所需的光刻胶、硬掩模和刻蚀序列。“如果通过直接图形化同时打印通孔和线路，可以简化工艺，”他说，但称这是未来的目标。
采用尚处研发阶段。2025年11月，Gigaphoton在一家从事先进半导体研发的日本公司完成了G300K的安装，该设备集成到ORC Manufacturing的加工设备中，用于开发有机基板上的精细中介层。总体而言，公司已向多家设备供应商交付约10台激光器，芯片制造商也已开始在自有设施中进行工艺开发。Gigaphoton预计该技术将进入面向AI的2.5D和3D芯粒封装量产。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">紧凑型EUV光源：承袭光刻技术谱系</h2>
Gigaphoton自2002年起开发EUV光源。在该计划前半段，目标是EUV光刻这一最大市场。ASML最终采用了自己的光源设计，但Gigaphoton保留了相关技术和专利，并将工作转向需要更小、更低功率光源的检测与量测。
成果是一款锡激光等离子体（Sn-LPP）EUV光源，占地约3 m × 3 m，仅为光刻光源占地的一小部分。“与光刻EUV光源相比，它相对较小，后者像一个大型卡车或集装箱，”Gigaphoton企划部经理Jumpei Sato说，“但我们使用相同的光产生概念。”
这一概念用于大规模EUV光刻。从Gigaphoton光刻设计继承而来的液滴发生器将熔融锡液滴射入真空腔。每个液滴先被预脉冲激光击中，再被固态驱动激光击中，产生的等离子体发出13.5 nm光。氢气流减轻锡碎屑，补充系统维持锡供应。对检测工具制造商而言，使用与扫描机相同的等离子体物理本身就是卖点。
可靠性是重点。Gigaphoton已在20 kHz下连续运行该光源超过5500小时，等离子体点亮度为120 W/mm²·sr⁻¹，系统可用性超过90%。根据公司9月在SPIE Photomask Technology + EUV Lithography上公布的结果，40 kHz版本已达到超过240 W/mm²·sr⁻¹。40 kHz下的长期运行和集光镜反射率测试正在进行，60 kHz光源的开发也已启动。
同一平台可根据集光镜服务两类不同应用。采用多层近正入射集光镜时，光源提供以13.5 nm为中心、窄带高光谱纯度的光，用于成像和检测。移除该集光镜并改用掠入射镜，输出为宽带EUV，约12.5 nm至16.5 nm。该光强度约低1000倍，主要因为收集立体角从0.84 sr缩小到0.0005 sr，但携带的光谱信息多得多。
这种宽带软X射线光面向3D结构的散射测量。当宽带EUV从图形化目标反射时，衍射光在波长和角度上编码信息。将测量光谱与理想设计的模拟光谱比较，量测系统可提取关键尺寸、高度、侧壁角度和表面粗糙度，包括复杂3D器件中的埋藏特征。高次谐波产生（HHG）光源目前广泛用于EUV散射测量，但Gigaphoton认为，吞吐量和精度将需要更高亮度，而LPP光源可以提供。“这是我们正在关注的应用之一，”Jumpei Sato说，“但市场还没有成熟。”
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">光化性掩模检测：为大而复杂的掩模提供亮度</h2>
更近期的机会是光化性掩模检测，即以曝光所用的同一13.5 nm波长检测EUV掩模。EUV掩模是反射式多层堆叠，重要缺陷包括极微小颗粒以及埋藏在多层膜中的3D形貌和相位缺陷，DUV检测工具无法准确分辨。在13.5 nm下检测可呈现扫描机所见的缺陷形态，从而评估其对晶圆良率的可能影响。
这对光源提出高要求。光化性图形化掩模检测（APMI）和复检工具需要高亮度以保证吞吐量，同时需要稳定性、可用性和碎屑控制以连续运行。Gigaphoton的EUV光源就是为此设计。“光化性掩模检测要求EUV光源不仅提供高亮度，还要具备持续检测运行所需的稳定性、可靠性和光学性能，”Jumpei Sato说。集光镜性能尤其受关注。Gigaphoton正在测量高重复频率辐照下集光镜反射率在现场如何变化，这是决定光源维护前可运行多久的关键因素。
两个趋势正在提高门槛。第一是掩模复杂性。在领先节点，掩模制造商和用户正采用先进掩模类型，包括相移EUV掩模，其精细特征更难检测和量测。Tomonaga表示，这正是EUV散射测量和光谱技术以及宽带版本光源可能发挥作用之处。
第二是掩模尺寸。业界正在评估从当前6英寸掩模转向更大的6 × 12英寸掩模，主要是为了缓解高数值孔径（high-NA）EUV曝光场缩小的问题。面积翻倍意味着相同时间内需要检测的面积翻倍。“掩模越来越大，检测双倍面积需要更高吞吐量。为此，客户开始要求更高功率，”Tomonaga说。Gigaphoton供应光源而非检测工具，因此通过设备制造商合作。其提高功率的路径是提高重复频率，从20 kHz到40 kHz并迈向60 kHz，正针对这一需求。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">氖气：为下一轮危机做准备</h2>
第四个方向与其说关乎光子，不如说关乎供应链。准分子激光气体主要是氖，约占KrF和ArF激光混合气体的95.5%，还含有少量氩或氪、氟和氙。激光器会持续消耗这种气体。“没有氖，激光器无法运行，”Tomonaga说，“如果没有激光气体，晶圆厂就无法运行。”
氖在空气中只占极小比例，作为大型空气分离装置（ASU）的副产品回收，这类装置通常依附于消耗氧气和氮气的钢厂或化工园区。2022年之前，全球大部分半导体级氖由乌克兰从俄罗斯和乌克兰生产的粗氖提纯。这使供应链脆弱。Gigaphoton算过两次氖危机：2014年俄罗斯吞并克里米亚后，氖价上涨约12倍；2022年俄乌冲突爆发后上涨约20倍。
Gigaphoton应对第一次危机的方式是为KrF激光器开发现场回收系统hTGM，于2017年发布。当时氖价已趋稳，销售缓慢。第二次危机来临时，需求猛增。Gigaphoton目前已在全球安装超过40套hTGM，连接超过220台KrF光源；公司称这每年避免约1800万升氖消耗，约占全球激光气体需求的8%。
公司的分析认为问题具有结构性和周期性。2022年后，气体供应商投资新的ASU产能，2026-2027年新氖产能将上线，包括日本、台湾和韩国的本土供应系统。美国和中国的系统已经存在。但一套大型ASU成本约1亿美元，上线需要两到三年，部分原因是接入钢厂必须等待钢厂检修计划。与此同时，Tomonaga说，正常时期氖售价约为每升25美分。“对气体供应商而言，价格如此稳定低廉时没有理由决定追加投资，”他说。供应商只有在看到危机价格下的订单后才会投资。据Gigaphoton估计，需求将在2030-2031年前后再次赶上供应，届时任何中断都可能引发新一轮价格飙升。
其答案是“减少、回收、循环利用”三部分战略。减少来自光源内部的eTGM技术，从源头降低氖消耗。回收指气体供应商和政府机构开展的厂外回收计划。循环利用是hTGM，在晶圆厂内收集并纯化使用过的激光气体。Gigaphoton还成功游说日本政府，为气体供应商的氖生产提供补贴。
9月，Gigaphoton将回收扩展到ArF光刻，推出用于ArF的hTGM。单台设备最多可连接五台ArF激光器，回收约50%的氖气，每年最多减少470千升气体消耗。它与KrF版本共享硬件，以加快产能爬坡。“由于业内只有两家公司支持准分子激光器，我们有责任思考如何向行业推出缓解方案，”Tomonaga说。目标是覆盖下一次供应短缺时新ASU产能到位所需的两到三年。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">还有一项：聚变</h2>
Gigaphoton的第五个新方向离晶圆厂最远。9月，它在一家日本高温超导（HTS）线材制造商安装了L300KZ，这是一款高脉冲能量KrF准分子激光器。该激光器用于脉冲激光沉积（PLD）：光束烧蚀稀土钡铜氧化物（REBCO）靶材，羽状物在金属带上沉积超导层。该带材被绕制成聚变反应堆中约束等离子体所需的高场磁体。这项工作属于日本Moonshot Research and Development Program（登月研发计划）的Goal 10。
Gigaphoton也把PLD视为重返半导体领域的途径。由于短波长准分子脉冲可在不加热的情况下沉积复杂化合物，靶材成分在薄膜中得以保留。这可能适用于RF器件、硅光子系统和其他先进电子器件的功能薄膜，以及超导互连。“如果你有一种非常复杂且不喜欢热的复合材料，PLD可能是一个很好的解决方案，”Tomonaga说。
总体来看，四项半导体相关努力有一个共同主题：复用已在光刻中验证的硬件、物理机制和可靠性工程。“在研发半导体光刻光源的同时，我们也在探索准分子激光器在其他领域应用的各种可能性，”Enami说，“我们将继续加快研发，向新领域扩展。”

Gigaphoton以光刻准分子激光器为基础，推进先进封装激光加工、紧凑型EUV光源、光化性掩模检测和氖气回收，并探索PLD超导线材应用。

Gigaphoton拓展多场景光源：先进封装、EUV检测与氖气回收

SK海力士已正式宣布，将停止审议旗下间接子公司Solidigm的上市方案。
这一决定距有关Solidigm可能上市的消息首次浮出水面已过去79天，也发生在金融监管部门在股东反对后明确将该上市方案归类为适用“双重上市”监管规定的次日。
SK海力士10月23日表示：“我们的海外子公司Solidigm此前一直在评估多种融资方案，以扩大产能、增强竞争力。但在综合考虑资本市场状况等因素后，我们决定不再考虑Pre-IPO融资和首次公开募股（IPO）。”
公司解释称，近期资本市场环境和股价走势促使其重新评估IPO当前是否仍是SK海力士及其现有股东最有利的选择。公司强调：“这一决定并不代表Solidigm的增长潜力或投资需求发生任何变化。”
Solidigm是SK海力士2021年收购英特尔NAND业务后设立的美国公司。2026年1月，SK海力士在美国设立中间控股公司AI Company，并将Solidigm置于其下。AI Company持有Solidigm 100%股权。
有关Solidigm潜在上市的消息最早于8月5日出现，显示该公司当时正在推进Pre-IPO融资。SK海力士在同日发布的监管澄清公告中表示，正在考虑多种提升竞争力的方案，但尚未敲定任何事项，并在9月4日的文件中重申了这一立场。此后路透社和彭博社报道称，Solidigm正在遴选承销商，并寻求最早于2027年登陆纳斯达克。
股东对该方案表示反对，理由是Solidigm单独上市会抹去已反映在SK海力士股价中的价值，并需要与新股东分享利润。在最初报道出现后的次日，即8月6日，SK海力士股价下跌超过10%。
相关争议随后进入韩国国会国政监查议程。
韩国金融监督院院长李灿珍（Lee Chan-jin）10月19日向国会政务委员会表示，韩国金融委员会（FSC）和金融监督院（FSS）均认为该上市方案属于双重上市监管规定的适用范围。
金融委员会委员长李亿远（Lee Eog-weon）在10月22日该委员会的全面监查中表示，Solidigm受双重上市指引约束，SK Square和SK海力士作为母公司必须基于对股东的受托责任履行五项义务。这五项义务包括：评估对股东的影响、制定股东保护措施、与股东沟通、就上市事项取得董事会决议（赞成或反对），以及进行信息披露。这意味着韩国的双重上市规定同样适用于海外上市。
SK海力士表示：“扩大Solidigm产能、增强其竞争力仍是重要优先事项。我们将探索多种方案，在支持Solidigm成长的同时提升现有股东的利益。”

SK海力士宣布停止审议子公司Solidigm的Pre-IPO和IPO方案，称综合资本市场环境后作出决定，不代表增长潜力或投资需求变化。韩国监管此前认定该方案适用双重上市规定。

SK海力士停止审议Solidigm上市方案，称不影响增长潜力

大德电子（Daeduck Electronics）宣布，将追加投资6150亿韩元，用于扩建半导体基板生产设施。此次公告距离该公司7月公布4970亿韩元投资仅三个月；2026年披露的三项新设施投资合计达1.325万亿韩元。
大德电子在10月22日的监管申报文件中表示，将向半导体生产设备及辅助设施投资6150亿韩元。该金额相当于公司截至2025年末合并权益的68.54%。投资将持续至2030年12月31日，资金将通过自有资金和外部借款筹措。
此前，大德电子已公布多项扩产投资。5月，该公司宣布投资2130亿韩元，在京畿道始兴市B1中心（B1 Center）建设倒装芯片芯片级封装（FC-CSP）生产工厂。7月，其又公布4970亿韩元投资，用于扩大倒装芯片球栅阵列封装基板（FC-BGA）、FC-CSP和存储基板产量。上述两个项目均计划于2027年底前完成。
大德电子还在获取更多生产基地。7月，该公司以528亿韩元收购Newflex的安山工厂。该收购与已披露的新设施投资分开计算。
据悉，这些投资旨在满足客户的长期数量需求。大德电子一直在与多家全球科技公司就FC-BGA、FC-CSP和存储基板洽谈长期协议（LTA）。公司正利用从客户处收到的预付款扩大产能。
大德电子在监管文件中表示，此次投资旨在扩大生产设备及辅助设施，以满足半导体市场日益增长的需求。

大德电子宣布追加投资6150亿韩元扩建半导体基板生产设施，投资持续至2030年底；今年多项扩产投资合计达1.325万亿韩元，旨在满足客户长期需求。

大德电子追加6150亿韩元投资扩建半导体基板产能

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安世”芯“时刻—新能源汽车48V系统

电子元器件供应商入驻圣禾堂在线平台有什么优势？圣禾堂在线四大优势:客户多、订单多、涉及行业多、流量多!

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我们从客户的入驻
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一个月之内
就已经产生了订单了对吧
这个效率还是非常的高的

供应商入驻圣禾堂在线有何优势？

Fabless 半导体公司 Global Technology 正与现代摩比斯（Hyundai Mobis）合作，启动车用半导体的首次量产。
在 10 月 21 日于板桥希尔顿逸林酒店举行的第二届 Auto Semicon Korea 2026（ASK 2026）上，Global Technology 首席执行官 Kim Min-sun 表示：“得益于现代摩比斯通过 ASK 生态体系提供的方向及积极合作，我们得以进入准入门槛较高的车用半导体市场。”他补充说：“以首款量产产品为基础，我们将把产品组合扩展至电源、通信和显示领域。”
此次进入量产的产品是用于汽车内饰氛围灯的 ID804 智能发光二极管（LED）多芯片模块（MCM）。该封装将红、绿、蓝（RGB）三色 LED 芯片与控制芯片集成在一起，已被选用于现代汽车与起亚车型。现代摩比斯提供了产品规格与验证要求，Global Technology 则按照这些标准设计芯片。
Global Technology 基于车用集成电路可靠性标准 AEC-Q100 和车用光电多芯片模块可靠性标准 AEC-Q102-003 建立了评估框架，并从初始设计阶段就引入旨在防止车辆电子系统发生故障的国际汽车功能安全标准 ISO 26262。公司还通过为项目配置专属项目经理并增聘专家，强化了开发与质量管理体系。
公司同时正在扩展车用产品组合。基于 ID804，公司正在开发一款面向汽车内饰氛围灯、集成电源供应与信号通信功能的半导体，以及一款下一代车用控制器局域网（CAN）通信芯片。
Global Technology 还在与现代摩比斯共同运营的研究实验室联合开发汽车显示背光驱动芯片。双方计划合作拓展海外市场。
在 ASK 展台，Global Technology 展示了其汽车电子系列产品，包括 ID804 模块、Micro CED 360 micro-LED 模块、隐藏式显示屏，以及采用分时驱动、可独立开关各背光分区的汽车显示背光单元（BLU）。

Global Technology与现代摩比斯合作启动车用半导体首次量产，首款ID804智能LED模块用于汽车氛围灯并获现代起亚车型采用，公司还将拓展电源、通信和显示产品线。

现代摩比斯与Global Technology量产车用半导体

圣禾堂在线今天给大家带来15款热门型号，有台湾亿光、江苏长电 / 长晶、乐山无线电、安世、安森美、先科、罗姆、富捷等。有需要采购，可直接私信！

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