[新闻] 铠侠开始BiCS 10 NAND送样,据报目标2027年在北上市工厂量产
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日本存储器大厂铠侠(Kioxia)于7月3日正式宣布,已开始出货基于第十代BiCS FLASH 3D NAND技术的1Tb容量TLC存储芯片样品,提前兑现了夏季启动送样的先前指引。此次送样的BiCS 10 NAND延续电荷陷阱型闪存结构,通过进一步增加垂直堆叠层数,在保持高可靠性的同时将单颗芯片存储密度提升至1Tb,为数据中心SSD及企业级存储带来更优的容量成本比。
按规划,这些样品在铠侠位于岩手县的北上市工厂生产,该工厂同时正为新一代3D NAND的大规模量产进行设备与工艺准备。根据目前设定的路线图,BiCS 10系列预计在2027年于北上市工厂进入大批量生产,届时将覆盖数据中心、企业级以及高端消费类固态硬盘市场,与竞争对手的200层以上产品正面交战。
当前,由AI和云计算驱动的存储需求持续推高对大容量高性能闪存的渴求,各主要原厂的技术竞争已进入白热化阶段。铠侠此次送样表明其在3D NAND堆叠竞赛中保持了关键节奏,后续量产能否顺利爬坡,将成为影响市场格局的重要一环。












