中国团队实现碳纳米管CFET架构重大突破

在半导体工艺不断逼近物理极限的背景下，互补场效应晶体管（CFET）技术成为延续摩尔定律的关键候选方案。CFET通过将n型和p型场效应晶体管垂直堆叠，替代传统平面并排布局，能最大限度提升逻辑密度、缩短互连距离并显著减小标准单元面积。目前业界普遍认为，CFET是继FinFET和栅极全环绕（GAA）纳米片之后最具潜力的器件架构。

近日，据权威媒体报道，中国科研团队在碳纳米管基CFET架构上取得重大突破。研究人员利用碳纳米管的优异电学特性和超薄结构，成功实现了高性能垂直堆叠互补逻辑单元。实验数据显示，该架构在保持高开关比和低亚阈值摆幅的同时，有效抑制了寄生效应，展示出媲美硅基先进节点器件的竞争力。碳纳米管天生具备的高载流子迁移率和原子级厚度，为CFET的进一步微缩提供了天然优势。

行业分析指出，这一进展不仅验证了碳基电子在三维集成中的可行性，还为未来1纳米以下制程节点的逻辑器件设计提供了全新思路。与硅基CFET相比，碳纳米管CFET在工艺温度、沟道材料和能效上具备潜在的成本与性能优势。尽管碳纳米管器件的均匀性和大规模制造仍是挑战，但此次突破标志着中国在下一代半导体基础研究领域迈出重要一步。业界期待该技术未来能与先进封装、3D集成深度融合，助力延续计算系统能效的提升轨迹。