英特尔被曝考虑为14A2引入双面供电，以在芯片密度竞赛中追赶台积电与三星

英特尔正在进一步细化其1.4纳米级制程的演进路径，而供电架构的革新成为关键筹码。根据韩国媒体ETNews的报道，多位知情人士透露，英特尔最初计划在其14A节点上全面部署名为PowerDirect的背面供电网络，这被视为该公司在先进封装和供电技术上追赶对手的重要一步。然而，为了在与台积电和三星的密度竞赛中取得更显著的优势，英特尔如今正在评估为后续的增强型节点14A2引入双面供电方案。

背面供电技术将电源布线从晶圆正面移至背面，从而在正面释放出更多空间用于信号互连，这本身就有利于提高逻辑单元的密度。而英特尔考虑的双面供电架构则更进一步，可能在晶圆正面也保留部分经过优化的供电网络，与背面的主供电路径形成互补。这种设计有望在不影响信号完整性的前提下，进一步压缩标准单元面积，提升每平方毫米的晶体管数量。

业界分析指出，如果英特尔在14A2上成功实施该双面供电策略，其逻辑密度表现或将对台积电的A14工艺和三星的1.4纳米级节点形成直接压力。英特尔正试图通过激进的技术迭代，重拾其在晶圆代工领域的领导地位，而供电架构的创新已成为工艺微缩之外的另一条性能赛道。目前英特尔尚未对相关传闻作出官方回应，但其即将于下半年举行的技术论坛可能披露14A系列节点的更多细节。