SK海力士据称将于2026下半年重启大连工厂二期扩建，新增V8 NAND产能

随着NAND闪存价格走出谷底，数据中心和AI应用的存储需求持续升温，全球主要存储芯片制造商正重新激活搁置的扩产项目。继宣布在韩国龙仁投入约500亿美元建设大型NAND闪存园区后，SK海力士在中国的产能布局也传出最新进展。

据韩国媒体News Tomato消息，SK海力士计划于2026年下半年重启大连工厂第二期扩建工程。该工厂前身为英特尔3D NAND闪存厂，SK海力士在2021年完成第一阶段收购交割，2025年全面接管后，原规划的二阶段扩产因行业供过于求而长期延宕。

此次重启将直接导入SK海力士最新一代V8 NAND工艺。该技术基于更高堆叠层数设计，在单颗芯片容量、写入性能和功耗控制上均有显著提升，特别切合当下企业级固态硬盘和HBM配套存储的需求。大连二期扩建后将形成每月数万片晶圆的增量产能，使该工厂的总产出再上一个台阶，从而进一步强化SK海力士在NAND市场的全球地位，也为中国境内的存储供应链带来新的本地化供应支撑。