三星据称为控制成本暂缓高NA EUV量产,待代工业务好转

三星据称为控制成本暂缓高NA EUV量产,待代工业务好转

英特尔已率先在18A Panther Lake处理器的特定光刻层中,导入ASML高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)光刻机进行量产,成为全球首家将该尖端设备用于商业生产的芯片制造商。相比之下,三星电子尽管早已安装两台High-NA EUV系统,却迟迟未开启大规模生产。

据韩国《朝鲜日报》引述多位观察人士分析,三星此举意在控制成本。由于代工业务仍处于低谷,公司在正式采用新一代光刻设备前,希望能看到更清晰的盈利改善信号。机构预测,高NA EUV单台设备价格超过3.5亿欧元,且运营成本极高,对良率和产能爬坡提出更大挑战。

分析认为,三星可能正等待其2纳米及以下节点工艺成熟,以及客户需求明朗化,再全面导入高NA EUV。与其竞争对手台积电和英特尔积极布局相比,三星选择了更保守的推进节奏,以确保在代工业务扭亏为盈前,不会因设备折旧和高昂的研发开销进一步拖累财务。