消息称三星建设混合键合量产线，预计2029至2030年全面部署

三星电子据报在平泽园区正式筹建混合键合（Hybrid Bonding）专用量产线，初期导入约50台晶粒对晶圆（Die-to-Wafer，D2W）混合键合设备。该产线将专注于下一代高带宽存储器（HBM）的先进封装，旨在突破传统微凸块互连在堆叠层数上的物理限制，为HBM4及后续世代产品提供更高带宽和更低功耗的互连方案。

业界分析指出，混合键合省去了底部填充和微凸块，直接通过铜-铜键合实现晶粒间连接，可将互连间距缩小到个位数微米级，大幅提升信号密度与散热效率。三星这一布局与其近年积极切入AI存储市场的战略一致，预计2029年至2030年将进入全规模量产阶段，届时有望在HBM竞争中建立关键壁垒。目前量产线处于设备安装和工艺调试阶段，初期可能从特定客户或小批量产品开始验证。