总投资20亿元：浙江衢州获批建设GaAs及InP高端化合物半导体衬底项目

近日，浙江省投资在线审批监管平台公示信息显示，一个面向高端化合物半导体材料的衬底项目已通过备案审批，即将在衢州市启动建设。该项目总投资额达20亿元人民币，折合约2.8亿美元，核心产品为砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）单晶衬底。

化合物半导体衬底是制造射频芯片、光通信激光器、探测器以及高亮度LED等器件的关键基础材料。当前，5G/6G高频通信、光模块向800G/1.6T速率演进，以及新一代Micro LED显示技术的商业化提速，均对GaAs和InP衬底的大尺寸、低缺陷及规模化生产能力提出更高要求。该项目的落地，有望增强国内在上述高端衬底领域的自主供应水平。

衢州近年来着力打造集成电路材料产业集聚区，在硅基材料、特种气体等环节已形成一定集群效应。本次批准的化合物半导体衬底项目，将进一步拓展当地在第二、三代半导体材料领域的布局。据公开信息，项目规划了长晶、切片、抛光及检测等全流程产线，目标面向国内外射频与光通信器件厂商提供6英寸及以上的高质量衬底产品。

业内分析认为，随着全球半导体产业链重构及中国本土化配套需求攀升，核心材料端的投资热度持续升温。该项目的启动不仅能缓解国内化合物半导体衬底长期依赖进口的局面，也将为下游芯片设计与制造环节提供更具韧性的供应保障。