三星与SK海力士Hot Chips展示HBM新路线：zHBM能效提升70%

在Hot Chips 2026大会上，韩国存储巨头三星和SK海力士展示了各自不同的HBM发展路径。据Wccftech和ServerTheHome报道，三星规划了从标准HBM到定制HBM、再到zHBM的三步演进路线，并声称与标准HBM4e堆栈相比，zHBM可带来70%的能效提升和230%的DRAM带宽增长。

SK海力士则更侧重于先进封装技术，比较了CoWoS-S、CoWoS-L和Intel EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）对HBM堆栈及硅中介层在机械应力和热应力方面的不同影响。不过，其演讲在定制HBM方面的细节相对较少。

三星的cHBM与zHBM路线图

据Wccftech报道，三星在推进zHBM路线图之前，正更加重视定制HBM（cHBM）。与标准HBM的基础芯片主要处理数据和测试功能不同，cHBM采用先进逻辑工艺增加类似SoC的功能，有望从xPU上卸载工作负载，释放更多硅片面积用于计算。

向先进逻辑的转变使三星能够用更紧凑的D2D（Die-to-Die）接口取代传统HBM PHY。Wccftech指出，从HBM4到HBM5，三星预计这种方法将大幅减少PHY和D2D接口占用的面积。但将更多逻辑集成到更小尺寸中也会导致热量集中，产生需要管理的局部热热点。

三星正通过其为cHBM4设计的Heat Path Block（HPB）来解决这一问题。报道补充说，HPB覆盖了PHY面积的50%，旨在将峰值温度降低超过35%，以平衡更紧密的逻辑-存储集成带来的收益与热成本。

Wccftech指出，在cHBM之后，三星正在开发名为zHBM的新型HBM架构，该架构将HBM直接垂直堆叠在XPU之上。报道强调，通过紧密耦合存储与计算，这种方法减少了硅片占用面积，同时无需传统的2.5D中介层。

能效是zHBM的关键卖点。ServerTheHome解释称，通过消除SerDes并降低数据对齐开销，三星旨在大幅降低I/O功耗，从而在系统层面创造额外的计算和热余量。

这一能效提升可转化为可观的系统级收益。Wccftech报道，三星声称zHBM相比标准HBM4e堆栈可实现70%更高的能效和230%更大的DRAM带宽，该架构还能为XPU释放8.3%的额外功耗。

据Wccftech，三星提出的配置是将四个zHBM堆栈直接置于XPU顶部。ServerTheHome引用了一个例子：采用四个zHBM堆栈与1200W GPU搭配的系统级封装，可大幅提升带宽，同时节省约100W功耗。

SK海力士以新型封装技术应对HBM散热墙

另一方面，SK海力士在Hot Chips 2026上的重点更多在于缓解HBM封装过程中产生的热量。据Wccftech报道，与三星的HPB（Heat Path Block）类似，SK海力士正在开发自家的局部热热点解决方案，名为I-HBM。

报道补充说，该技术将一种高导热、电绝缘的冷却材料嵌入HBM D2D PHY区域内靠近热点的位置，形成专用热路径，可进一步将热阻降低超过30%。根据此前Sisa Journal的报道，SK海力士计划以其iHBM封装结构支持HBM5等下一代产品，同时采用其专有的Advanced Mass Reflow Molded Underfill（MR-MUF）技术。

Wccftech指出，虽然SK海力士已经在16层HBM3e中使用先进的MR-MUF，但该公司也在探索混合键合作为16层以上HBM的关键路径，将更细的间距与更高的性能相结合，同时利用更好的导热性来提升效率。

值得注意的是，SK海力士还对Intel的EMIB表示了认可。Wccftech称，在其2.5D HBM路线图中，SK海力士将EMIB与CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S并列，突显了HBM集成先进封装选项的日益多样化。此外，据Wccftech报道，有传闻称SK海力士与Intel正在探讨成立一家聚焦存储的合资企业。

ServerTheHome进一步解释，SK海力士比较了包括CoWoS-S、CoWoS-L和EMIB在内的主要先进封装方案，展示了每种架构对HBM堆栈和硅中介层施加的不同机械与热应力。报道补充说，封装选择最终决定了HBM堆栈必须承受的应力程度。

值得一提的是，根据ZDNet五月的报道，SK海力士正在利用自家HBM对基于Intel EMIB的2.5D封装技术进行研发，同时也在审查相关材料和组件供应商，为未来量产做准备。据称，该公司正在测试使用Intel提供的EMIB集成基板，将HBM与逻辑半导体进行集成。