卓胜微电子拓展光互连市场 硅光工艺进入最终认证阶段

8月26日，卓胜微电子在投资者关系活动记录中披露，公司正战略性地拓展光互连市场，目前光芯片与电芯片业务并行推进，其硅光工艺已进入最终认证阶段。

卓胜微表示，此次向光互连领域的战略延伸基于长期的行业分析，并与其核心射频业务具有高度协同效应。

从技术层面看，光互连与射频同属高频高速领域。公司自有的“卓胜微工艺平台”涵盖SOI（绝缘体上硅）和SiGe（硅锗）等特色工艺，使核心技术能力得以迁移复用。在运营层面，其Fab-Lite（轻晶圆厂）模式也能平滑复制到光互连业务中。

公司强调，其在SiGe工艺方面具备强大的量产能力，同时硅光工艺已达到最终设计冻结阶段。面向光通信等新兴应用，基于12英寸晶圆线开发的特色SOI与SiGe工艺，在底层技术逻辑和平台架构上与射频前端制造高度相通。

由于这些工艺依赖于硅基异质集成，共享核心制造与集成能力，从而可在统一平台上实现多器件兼容。

此次扩张并非盲目的跨界转型，而是依托卓胜微现有工艺平台向光、电芯片领域延伸。目前12英寸线SOI产能约为每月9000片晶圆，后续将随新产品导入逐步调整设备与产能规划。

除光互连外，卓胜微还在推进BCD电源管理工艺技术，作为面向AI数据中心及新兴市场的关键布局。光芯片、电芯片与高性能电源管理将成为与主营业务射频并行的新增长方向。

从行业视角看，AI算力需求的爆发正推动高速互连需求增长，驱动芯片厂商加速布局光通信及特色代工工艺。