瑞银预测中国浸没式DUV光刻机2至5年内量产，EUV十年仍难

据彭博社及BigGo Finance援引瑞银（UBS）的分析报道，中国有望在未来2至5年内实现浸没式深紫外（DUV）光刻机的高产量生产，但未来十年内研发出极紫外（EUV）光刻工具的可能性不大。中国正加速推进先进芯片制造设备的自主研发，但在光刻技术领域，其与荷兰阿斯麦（ASML）的差距仍有数年之遥。

瑞银指出，中国的专利活动激增，尤其是在光源及激光子系统方面，这被视作技术成熟度提升的关键指标，意味着中国正在取得进展。分析师表示，中国当前的技术能力大致相当于阿斯麦2004年前后的水平，而阿斯麦大约在15年后才开始大规模生产EUV系统。

作为参照，彭博社提到，阿斯麦的浸没式DUV光刻机单价接近9000万美元（约合3.63亿林吉特），而最先进的EUV系统单价则超过2亿美元。

尽管技术差距仍然巨大，出口管制已经对阿斯麦在华业务造成影响。EUV系统仍被禁止出口到中国，而北京方面推动半导体自主可控的努力也在进一步抑制需求。依据阿斯麦最新业绩，按出货地点统计，2026年第二季度中国占其净系统销售额的14%，低于第一季度的19%。

中国DUV与EUV进展成为焦点

瑞银做出上述评估之际，北京正推进一项由国家支持、行事隐秘的本土EUV光刻系统研发计划。BigGo Finance的报道称，该项目被比作中国的“曼哈顿计划”，反映出这一被认为对中国半导体战略至关重要的举措背后所投入的巨大资源。

路透社2025年末的一项调查进一步揭示了该计划的规模：中国已超越研究阶段，研制出EUV原型机。这台机器于2025年初完成，目前正在进行测试，据称几乎占据整个工厂楼层。消息人士告诉路透社，该系统已能运行并产生EUV光，但尚未制造出可工作的芯片。

另一方面，路透社7月的一篇报道指出，中国已开始量产自主研发的浸没式DUV光刻机。主导生产工作的是上海埃斯纳电子科技集团——一家鲜为人知的中国国有企业，据称已引入多家国内领先光刻初创企业的团队。

据The Information报道，中国为其DUV光刻机制定了具体路线图，计划今年生产约5台，2027年生产约20台。

中国芯片制造商拥抱国产设备

与此同时，随着中国半导体投资热潮带动国内市场机遇增长，本土设备制造商正在赢得更多认可。南华早报援引高盛预测称，中国晶圆厂设备支出将从今年的约443亿美元升至2027年的530亿美元，2028年进一步增至607亿美元。

这一支出激增也为本土设备供应商提供了强劲动力，尤其是在存储领域。报道指出，NAND闪存巨头长江存储（YMTC）在2022年遭美国出口限制前，其晶圆厂设备约有一半来自美国供应商；如今，长江存储正转向以国产设备为主的晶圆厂建设。