英伟达NVHBM推动定制HBM转折 美光三星调整基础裸片策略

英伟达在8月发布的NVHBM，可能成为定制HBM的转折点。该架构将内存控制器（memory controller）移入HBM基础裸片（base die），使基础裸片承担更重要的角色，并已开始改变存储厂商获取基础裸片的方式。

在此背景下，美光与三星已释放出不再完全依赖内部基础裸片的信号。据The Elec报道，美光表示，其与英伟达共同设计的NVHBM以及JEDEC标准的HBM4E，都将采用由外部晶圆代工厂制造的基础裸片。

三星的动作更受关注：ZDNet此前报道称，三星也在为NVHBM等定制HBM推进双轨策略，根据客户需求，将其HBM核心裸片（core die）与三星晶圆代工或主要竞争对手台积电制造的基础裸片搭配。

美光认为NVHBM价值更高

据The Elec报道，在HBM4方面，美光将1-beta（1β）核心裸片与内部基础裸片搭配。HBM4E则代表更广泛的转变：核心裸片转向美光更先进的1-gamma（1γ）制程——大致相当于三星和SK海力士的1c世代——而基础裸片生产则移出美光自有晶圆厂，报道称台积电预计将承接这一角色。

不过，外包转变似乎并未以牺牲盈利能力为代价。The Elec援引首席运营官Manish Bhatia称，美光预计NVHBM将拥有更高平均售价（ASP）并带来更强利润率。Bhatia表示，HBM本身已有溢价，而NVHBM增加的定制化创造了更大价值，一旦商业化，可能转化为强劲的投资回报率（ROI）。

根据英伟达说法，与标准HBM4E相比，NVHBM可提供最高30%的内存带宽提升，并降低15%的HBM功耗，同时为XPU计算裸片（compute die）释放最多25%的面积。The Elec解释，NVHBM采用的定制输入/输出（I/O）物理层（PHY）可将I/O PHY占用的封装面积进一步减少多达67%。ZDNet还指出，亚马逊的Annapurna Labs也将在其下一代Trainium 4 AI加速器中采用该技术。

定制HBM浪潮也延伸至SK海力士。据Newsis报道，这家存储厂商正与英伟达在定制HBM解决方案上密切合作。报道补充称，在今年早些时候的英伟达GTC上，SK海力士展示了基于其Stream DQ技术的定制HBM概念，该技术旨在持续管理数据并向计算处理器供给数据，同时优化内存与处理单元之间的数据流。

定制HBM推进也在加深SK海力士与台积电的代工合作。EDAILY报道称，SK海力士已经为其HBM4基础裸片使用台积电12nm逻辑制程，而台积电更先进的3nm制程正被优先用于HBM4E及未来定制HBM产品。报道预计，随着更多客户特定功能移至基础裸片，两家公司的合作将更加紧密。

三星NVHBM基础裸片的意外合作伙伴

值得注意的是，ZDNet援引行业消息称，随着定制HBM成形，三星正在重新思考其传统上内部完成基础裸片的策略。尽管三星迄今通过System LSI和晶圆代工部门内部供应HBM基础裸片，但如今正为NVHBM等产品采取双轨方式。

报道指出，在新模式下，三星的HBM核心裸片可能根据客户需求，与三星晶圆代工或代工竞争对手台积电制造的基础裸片搭配。对于台积电制造的基础裸片，三星内存业务部门预计将负责芯片设计与优化支持——这与其传统上依赖System LSI和三星晶圆代工的做法明显不同。