富士胶片投资30亿日元 扩建美国亚利桑那CMP浆料产能

要点

• 富士胶片将向美国亚利桑那州的半导体材料基地投资约30亿日元
• 增强铜布线用CMP浆料产能，并新设面向前工程、后工程的多品种生产设备
• 建立可将含先进封装在内的新产品从开发快速推进至量产的体制

亚利桑那基地增产铜布线用CMP浆料

富士胶片（Fujifilm）于10月14日宣布，将在其位于美国亚利桑那州梅萨市（Mesa）的半导体材料生产与开发基地，增强铜布线用CMP浆料的生产能力，同时新设面向先进封装（Advanced Packaging）等用途的多品种生产设备。此次总投资额约为1800万美元（约合30亿日元），新设备计划于2027年投入运行。

CMP浆料（CMP Slurry）是CMP工艺中使用的研磨剂。半导体表面往往同时存在硬度各异的布线与绝缘膜并形成凹凸，CMP工艺通过化学反应与机械研磨，将这些表面均匀地平坦化。

全球居前列的铜布线用CMP浆料扩产

富士胶片此次扩产的对象，是在先进逻辑芯片与先进存储器的布线形成工序中使用的铜布线用CMP浆料。据该公司介绍，其铜布线用CMP浆料在全球拥有顶级份额，在AI相关需求扩大的背景下，面向先进逻辑与先进存储器的需求正在增长。

在美国，除了总部位于美国的大型半导体厂商持续进行设备投资外，总部位于亚洲的半导体厂商也在不断新建工厂。基于这样的市场环境，富士胶片决定提升亚利桑那基地的供应能力——该基地是CMP浆料生产与开发的核心基地之一。此外，该基地除CMP浆料外，还生产光刻（Photolithography）周边材料、薄膜形成材料等。

新设覆盖先进封装的多品种生产设备

此次投资除用于铜布线用CMP浆料扩产的设备投入外，还将新设可多品种生产CMP浆料的设备，以应对从前工程到后工程日益多样化的半导体制造工艺。

以往，CMP主要应用于半导体前工程中布线层形成等环节。但随着高密度连接多颗芯片的先进封装不断普及，后工程对高精度平坦化技术的重要性也在上升，此次举措正是为回应这类需求的扩大。

具体而言，新设备将生产用于布线工序BEOL（Back End of Line）的CMP浆料，用于在晶圆表面形成晶体管、电容器、电阻等元件的FEOL（Front End of Line）的CMP浆料，以及用于连接FEOL所形成晶体管端子与布线层最底层的中段工序MOL（Middle of Line）的CMP浆料等前工程用产品；此外还包括对铜与绝缘膜进行平坦化、以实现芯片或晶圆直接键合的混合键合（Hybrid Bonding）等先进封装用CMP浆料。公司表示，将以此应对半导体结构与制造工艺的多样化。

让研发成果快速走向量产

亚利桑那基地还设有负责CMP浆料全球研发的研发中心。新设的多品种生产设备还将承担一项职能：把该中心开发出的CMP浆料迅速转移到量产设备上。

通过让生产基地与研发设施相邻，开发出与客户制造工艺相匹配的材料，并建立能把成果灵活转入量产的体制，富士胶片希望加速向新业务领域拓展。

从前工程到后工程全面布局半导体材料

富士胶片的产品线覆盖光刻胶（Photoresist）、光刻周边材料、CMP浆料、post-CMP清洗剂（Post CMP Cleaner）、薄膜形成材料、高纯度工艺化学品等前工程材料；在后工程方面，则提供以聚酰亚胺（Polyimide）为代表的感光性绝缘膜材料“ZEMATES（ゼマテス）”。此外，面向图像传感器，该公司还推出了由彩色滤光片材料等构成的功能性材料群“Wave Control Mosaic（ウエイブ コントロール モザイク）”，长期展开品类广泛的半导体材料业务。

这些半导体材料的生产基地分布在日本、美国、欧洲、台湾、韩国等全球各地。公司一直推进就近于客户半导体工厂进行生产与供应的“地产地消”，以及提供技术支持与联合开发的“地援”。

此次投资将提升美国铜布线用CMP浆料的供应能力，并通过让亚利桑那基地的研发功能与多品种生产功能协同联动，加强对以美国为中心的先进半导体需求的响应。该公司表示，除先进工艺外，还将把覆盖成熟工艺（Legacy Process）、从前工程到后工程的材料产品组合与全球稳定供应体系统一起来，以扩大在半导体材料市场的事业规模。