2026年全球射频器件市场达558亿美元，防务汽车卫星通信接棒增长

据Yole Group预测，2026年全球射频（RF）器件市场规模将达558亿美元，与上年持平。报告称，受存储器短缺影响，智能手机出货量预计同比下降约13%，导致与终端数量密切相关的RF前端模块、RF SoC和分立器件需求低迷。

不过，Yole Group将本轮放缓视为阶段性调整，而非市场增长触及“天花板”。在智能手机出货于2027—2028年恢复正常后，2029年起防务、汽车、卫星通信和6G相关需求将接棒拉动增长，RF市场预计到2031年扩大至约720亿美元。

防务、汽车与卫星通信成为新增长轴

从应用看，汽车领域受雷达、V2X和ADAS普及推动，预计到2031年市场规模将超过50亿美元。防务与航空航天领域则受雷达和电子战升级、各国政府采购、量产型无人机及反无人机系统需求带动，预计将达到约40亿美元。

卫星通信方面，低轨卫星星座和用户终端对RFIC的需求预计扩大。通信基础设施市场也将在5G持续升级和早期6G Massive MIMO推动下，于2031年扩大至约40亿美元。

美国企业占销售额约55%

从区域看，美国企业占全球RF器件销售额约55%，在移动与消费、防务与航空航天领域保持优势。Qualcomm位居首位，Broadcom、Skyworks、Qorvo、Murata（村田制作所）、NXP等紧随其后。

中国企业份额约14%，Maxscend、Vanchip、Smarter Micro、HiSilicon等正扩充国内供应链；面向6G，相关企业也在加强通信基础设施用GaN和LDMOS产能。

欧洲企业约占10%，以NXP和Infineon为核心主导车载领域，但在防务用途上依赖外部半导体厂商。日本和韩国合计约占10%，在滤波器和RF SoC方面具备优势。

GaN市场2031年将达27亿美元

RF芯片出货量预计将从2025年的1.47亿颗降至2026年的1.38亿颗，随后在2031年恢复至1.7亿颗。

从材料看，CMOS、RF-SOI、FD-SOI、SiGe、BAW等硅基技术凭借成本和集成度优势支撑量产市场；在高功率、高频和高性能应用中，GaAs、GaN等化合物半导体将引领增长。

GaAs仍将是移动终端功率放大器的主力材料。随着在Massive MIMO、雷达、电子战和卫星通信中的应用扩大，GaN预计到2031年达到27亿美元规模。

滤波器方面，低频段SAW由日本企业主导；面向中频段5G和Wi-Fi 6/7的BAW则由美国和日本企业供应。

RF市场的竞争焦点正从智能手机出货规模，转向面向防务与航天、汽车、6G的高性能器件，以及各国及各地区供应链的构建。