存储行业多空交织：DRAM涨幅放缓 CXMT与HBM受关注

存储器行业正面临多重担忧：中国竞争对手的技术进步、高带宽内存（HBM）规格可能发生变化，以及AI资本开支能否持续。不过，据《工商时报》（Commercial Times）报道，机构投资者仍看好行业长期前景，支撑因素包括AI推理需求持续扩大，以及成熟存储器产品新增供给有限。市场预计，2026年第四季度DRAM合约价将环比上涨约20%。

报道指出，这一涨幅较第二季度的约80%和第三季度的40%明显放缓，主要原因是比较基数抬高、终端市场购买力走弱，以及长期协议（LTA）下的价格上限逐步生效。

长鑫存储4F² DRAM取得进展，量产仍存不确定性

中国长鑫存储（CXMT）宣布下一代4F² DRAM架构取得进展，引发市场对供给可能扩张的担忧。据《工商时报》报道，机构投资者指出，与主流6F²设计相比，该架构理论上可将存储单元面积缩小约33%，但更小的单元未必能带来每片晶圆可用比特数的同比例提升。

MoneyToday补充称，CXMT的宣布尚未显著影响DRAM现货价格，现货价格仍在上涨。MoneyToday援引业内人士警告，量产仍面临良率、漏电流和数据保持等挑战。报道还称，目前尚不清楚CXMT的4F²设计适用于整个DRAM单元还是仅限特定区域；该技术全面商业化普遍预计在2028年之后。

中国存储厂商也在成为美国科技巨头寻求降价的潜在筹码。据Chosun Biz报道，随着存储成本上升，苹果和特斯拉等公司已提出转向长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）等中国供应商的可能性。不过分析师认为，考虑到中国供应商在定价竞争力、可供货量和销售市场方面的限制，短期内价格压力有限。

英伟达HBM取舍与AI存储需求展望

在存储供应仍然紧张之际，GPU厂商正考虑降低HBM容量，以支持更高的GPU出货量。据《工商时报》报道，如果英伟达将Rubin Ultra从12-Hi HBM切换到8-Hi HBM，同时保持每颗GPU的堆栈数量和每层DRAM容量不变，则每颗GPU的HBM容量将下降约33%，而同等DRAM裸片供给理论上可支持多出50%的GPU。

这一变化也会影响定价。TrendForce指出，尽管8-Hi HBM堆栈使用的DRAM裸片少于12-Hi堆栈，但两者都需要一个基础裸片（base die）。由于8-Hi堆栈存储容量更低，基础裸片在每Gb成本中的占比更高。因此，预计2027年8-Hi HBM每Gb成本将比12-Hi高出10%至20%。

《工商时报》援引的机构投资者指出，更大的AI模型、更长的上下文窗口以及不断增长的KV cache（键值缓存）需求，正推动对更大存储容量和带宽的需求，尤其是服务器DRAM和企业级SSD。随着主要存储厂商优先发展高端产品，他们预计行业供需平衡将比以往周期更具韧性。