三星、SK海力士升级中国NAND工厂，最高升至286层

三星、SK海力士推进中国NAND工厂升级

随着AI带来的需求从DRAM延伸至NAND，三星电子与SK海力士正在升级各自位于中国的关键生产设施。路透社报道称，三星计划将西安工厂由约200层NAND提升至286层V9 NAND；SK海力士已获准在大连工厂生产最高240层NAND，并可能就300层以上技术的研发向美国政府申请许可。

中国仍是这两家公司重要的NAND制造基地，这也凸显了工厂升级的重要性。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产量的30%至35%，在SK海力士NAND总产量中的占比更高，达到40%至45%。

长江存储竞争加剧升级紧迫性

来自中国长江存储（YMTC）的竞争压力上升，使上述升级更显紧迫。路透社称，这家中国芯片企业的NAND产品线以160层和232层产品为主，但已限量生产294层芯片，并计划突破300层。

美国出口限制增加复杂性

不过，美国出口限制仍是重大障碍。路透社称，两家芯片制造商若要在中国工厂安装美国制造的设备，必须每年获得许可；美国政府则在2025年表示，不会批准相关工厂的技术升级或产能扩张。

三星与SK海力士向路透社确认，相关升级正在与美方密切协调下推进，但拒绝披露详细生产计划。报道援引知情人士称，两家公司都寻求在中国工厂生产200层以上NAND，使其技术更接近韩国本土的生产标准。

路透社进一步称，三星在一个名为“Monami”的内部项目下推进相关计划，“Monami”在法语中意为“我的朋友”，三星计划将上述工厂转向286层V9 NAND。与此同时，SK海力士据报计划将大连工厂从当前的192层NAND技术升级至240层或更高。

韩国本土NAND技术竞赛同步升温

在中国之外，这两家存储巨头也在推进NAND技术。据Seoul Economic Daily报道，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），并加大对英伟达的供货，同时开始量产并供应V10 NAND；其面向约500层的下一代V11研发也在加速。

另一方面，Bloter指出，SK海力士正加快向321层NAND切换，以满足不断增长的需求。报道称，该技术已在2026年第二季度（2Q26）成为其最大的NAND生产细分，预计到年底其约一半的韩国本土NAND产能将转向321层产品。