光迅科技102亿元高端光电子项目开工，聚焦硅光芯片与CPO

11月1日，武汉光谷宣布，光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期已开工建设。项目落址于武汉东湖综合保税区高端光电子器件产业基地。

该项目总投资102亿元。按规划，项目占地面积约16.63万平方米，建设周期14个月，预计于2027年底竣工交付。

项目将聚焦下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎及全光交换，目标是构建覆盖开发、验证与量产的一体化链条。项目全面投产后，预计可支撑年产超过1000万只高速光模块，增强光迅科技在高端光电子器件和硅光芯片领域的研发与大规模制造能力。

产品组合将覆盖下一代全光通信与光互连解决方案，包括速率从800G到12.8T的高速光模块和光引擎。

光迅科技是中国信息通信科技集团（CICT）旗下重要子公司，也是中国首家上市的光器件企业，同时是行业内少数具备芯片、器件、模块及完整解决方案垂直整合能力的企业之一。

业绩增长与产能扩张双轮驱动2026年发展

2026年，光迅科技在财务业绩和产能扩张两方面均提速。

根据三季报，公司第三季度实现营业收入50.73亿元，同比增长54.27%；归属于上市公司股东的净利润7.02亿元，同比增长102.62%；扣除非经常性损益后的净利润7.04亿元，同比增长121.06%。三项指标均创单季度新高，整体毛利率也升至25.52%。

产品方面，光迅科技400G和800G光模块持续批量出货，1.6T产品已进入规模交付阶段；面向数据中心互连（DCI）应用的相干光模块出货量也连续创下新高。

技术方面，光迅科技在OFC 2026上发布了800G ZR Lite可插拔模块，并首次推出3.2T单模硅光NPO模块，完成全系统级验证；同时推出了320×320端口光路交换（OCS）产品。

产能扩张同步推进。公司在武汉综合保税区产业园的二期基地已于6月投产，新增产能将在下半年逐步释放。其存货、在建工程和合同负债均环比显著增长，显示生产准备和产能扩张节奏加快。

此外，光迅科技已完成35亿元定向增发，并启动赴港上市筹备工作，同时继续拓展海外制造产能。