DZT5551-13国产替代
参数对比
| 参数项 | DIODES(美台) DZT5551-13 |
JSMSEMI(杰盛微) CZT5551-JSM |
对比结论 |
|---|---|---|---|
| 封装 | SOT223 | SOT-223 | 封装规格完全一致，尺寸微小差异，兼容性良好 |
| Collector-Base Voltage VCBO |
180 V | 180 V | 两者一致 |
| Collector-Emitter Voltage VCEO |
160 V | 160 V | 两者一致 |
| Emitter-Base Voltage VEBO |
6 V | 6 V | 一致 |
| 最大集电极电流 IC |
600 mA | 600 mA | 一致 |
| 峰值集电极电流 ICM |
1A | — | DIODES产品标注更完整，国产未给出 |
| 最大功耗 PD |
2 W | 2 W | 一致 |
| 工作温度范围 TJ, TSTG |
-55～+150°C | -65～+150°C | 国产替代型号下限更低，但实际影响较小 |
| 热阻<brRθJA | 62.5 °C/W | 62.5 °C/W | 一致 |
| VCE(sat) (10mA/1mA) | ≤0.15 V | ≤0.15 V | 一致 |
| VCE(sat) (50mA/5mA) | ≤0.20 V | ≤0.20 V | 一致 |
| VBE(sat) (10mA/1mA) | ≤1.00 V | ≤1.00 V | 一致 |
| VBE(sat) (50mA/5mA) | ≤1.20 V | ≤1.00 V | 国产最大值更优 |
| DC增益 hFE (1/10/50mA) | ≥80/≥80/≥30 | ≥80/≥80/≥30（最大250） | 最小值一致，最大值相近 |
| 频率特性 fT | ≥100 MHz (最大300 MHz) | ≥100 MHz (最大300 MHz) | 一致 |
| 输出电容 Cobo | ≤6 pF | ≤6 pF | 一致 |
| 噪声系数 NF | ≤8 dB | ≤8.0 dB | 一致 |
| 其它小信号参数 | 有详细参数（如hfe、存储时间等） | hfe有标注，存储时间、上升/下降时间未标注 | DIODES参数更丰富，国产满足常规参数 |
| 产品图片 |  |
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JSMSEMI(杰盛微)CZT5551-JSM
CZT5551-JSM为杰盛微（JSMSEMI）推出的SOT-223封装高压NPN晶体管，适用于高压放大和开关应用。该器件具有较高的集电极-基极耐压（180V）、集电极-发射极耐压（160V），最大集电极电流达600mA，适合用于大功率、高电压场合。其最大功耗为2W，热阻与国际品牌型一致。主要电气特性严格对标国际型号，且部分参数如工作温度范围更宽（下限达-65°C）。在小信号频率、增益、饱和压降及噪声指标方面均展现出良好的兼容性，是国内高性价比且可靠的DZT5551-13替换选项，适合于电子、汽车、仪器仪表等行业批量应用。
应用领域
- 高压信号放大电路
- 高压开关控制模块
- 电源管理及电压转换器中高压驱动
- 仪表及工业自动化高压驱动电路
- 汽车电子高压驱动及功率放大器
产品特点
- 高耐压（集电极-基极耐压180V，集电极-发射极耐压160V）
- 最大集电极电流600mA，适用于大功率场合
- 低饱和压降（最大0.15V@10mA，0.20V@50mA）
- DC电流增益高，范围可达30～250
- SOT-223标准封装，兼容国际主流封装尺寸
- 优异的热阻特性，最大功耗2W
- 噪声系数低，适合小信号应用
- 工作温度范围广（-65~+150°C）
产品优势
经数据手册对比，JSMSEMI（杰盛微）CZT5551-JSM在关键电气参数（极限电压、电流、功耗、增益、饱和压降、噪声、频率特性及封装）均实现与DIODES DZT5551-13高度对标，满足原型号绝大多数应用需求。其温度下限更低，有利于极端环境应用；部分参数如VBE(sat)最大值更优，短时内能降低器件损耗。封装尺寸高度兼容，无需PCB改动。国产化可保证稳定供应与更优性价比，是大批量采购与对国产替代需求电源、电机、汽车电子、仪器等领域的首选。总体而言，CZT5551-JSM具有电气参数全面对标、环境适应性更好、成本和供货优势明显等特点。
注：以上参数来源于数据手册，实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)
