TSMC应NVIDIA要求评估3D-DRAM生产

• TSMC据报应NVIDIA要求，评估生产下一代DRAM“单片式3D-DRAM”（monolithic 3D-DRAM）。
• 若计划落地，TSMC业务范围将从先进逻辑制造与先进封装扩展至DRAM本体生产。
• 生产地点、投资额和量产时间尚未明确，未来可能与Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology形成竞争。

美国网络媒体The Information报道称，TSMC正在评估生产下一代DRAM“单片式3D-DRAM”。报道援引两名了解TSMC内部情况的人士称，该公司是在大客户NVIDIA提出要求后，开始制定生产计划。此后，多家海外媒体跟进报道相关消息。

与HBM4合作不同，将涉足DRAM本体制造

TSMC已在HBM4开发中与SK hynix合作，但该合作限于HBM用逻辑电路制造和先进封装，并不涉及存储单元本身的生产。若报道中的单片式3D-DRAM生产计划属实，TSMC将正式参与DRAM本体制造。这意味着其角色将从逻辑半导体代工和先进封装提供者，进一步延伸至先进内存制造。

据称TSMC考虑生产的3D-DRAM，是一种在单个DRAM die内部将存储单元垂直多层化、以提高存储密度的下一代单片式DRAM技术。它与以往被称为3D-DRAM、通过堆叠多个DRAM die并封装而成的HBM在结构上不同。目前，Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology等主要DRAM厂商正推进面向商业化的研发。

新建工厂或收购现有工厂均有可能

若计划执行，TSMC可能新建DRAM制造工厂，也可能通过收购现有半导体工厂并将其转用于内存生产。此前已有先例：Micron于今年3月以18亿美元从Powerchip Semiconductor Manufacturing（PSMC）收购其位于台湾铜锣的Fab P5，并进行了面向先进内存生产的改造。不过，TSMC的3D-DRAM量产启动时间、制造规模、设备投资额，以及计划是否已经最终确定，均未公开。

在AI服务器需求扩大的背景下，内存供应短缺和价格上涨持续存在。若TSMC实现上述布局，其以先进逻辑半导体为主力的业务领域将扩展至DRAM本体制造，并可能改变由三星、SK hynix、Micron三家大厂近乎垄断的DRAM市场竞争环境。

对NVIDIA及其他AI半导体设计企业而言，TSMC若同时生产DRAM，将增加先进内存的采购来源，有望增强供应链韧性，并提升采购时的价格谈判能力。