[新闻] 闪迪据称完成首款HBF产品流片,目标2027年送样、2028年量产闪迪在投资者日披露已完成首款高带宽闪存(HBF)产品流片,计划2027年送样、2028年量产,与SK海力士联合定义的HBF标准进入产品化阶段。2026-08-17 11:05:0418行业资讯
中芯国际二季度毛利率环比增5.2个百分点至25.3%,三季度指引26%至28%中芯国际2026年第二季度营收30亿美元,毛利率环比上升5.2个百分点至25.3%,公司预计三季度毛利率达26%至28%。2026-08-17 10:19:0412行业资讯
南亚科技传评估云林、屏东建12英寸厂,布局1d DRAM与定制化内存,投资额上看3000亿新台币南亚科技传出计划在云林与屏东新建12英寸晶圆厂,锁定1d DRAM与定制化内存,整体投资金额预估将突破3000亿新台币。2026-08-17 10:06:038行业资讯
三星或改造器兴研发线用于代工,瞄准英伟达2nm HBM基础裸片需求三星电子被传出考虑将器兴园区在建的NRD-K Line 2从研发线转为代工产线,用于生产2nm HBM基础裸片,以争取英伟达未来HBM订单。2026-08-17 09:35:038行业资讯
中国前两大晶圆代工厂产能告急:中芯国际与华虹扩产计划何去何从?中芯国际与华虹最新业绩会显示产能利用率分别达93.7%和102.8%,产能吃紧下两家代工厂的扩产节奏与产能分配策略受到市场关注。2026-08-17 09:22:0310行业资讯
RB161L-40TE25国产替代本次整理了罗姆RB161L-40TE25与国产富芯森美SS54A的全维度参数对比,二者封装一致支持一对一直接替换,国产替代款在耐压、电流承载、耐温范围等多项指标表现更优,还具备突出的价格优势。2026-08-17 08:44:1411行业资讯
光安伦Vertilite拟投资50亿元在常州建设InP激光芯片基地Vertilite(光安伦)与江苏常州签署协议,拟投资约50亿元建设高端光通信芯片及器件研发制造基地,重点布局InP激光芯片,服务光通信和数据中心市场。2026-08-17 08:40:0311行业资讯
AMS1117-3.3国产替代本次内容对美国原厂AMS1117-3.3与国产萨科微同型号产品展开全维度参数对比,国产款核心参数基本持平,在输入适配范围、静态功耗、售价上优势显著,是高性价比的优质替代方案。2026-08-17 08:32:1216行业资讯
微碧半导体发布两款高频GaN HEMT新品 助力功率产业升级微碧半导体近期推出两款全新E-MODE GaN HEMT器件,性能远超传统硅基MOSFET,适配快充、充电桩、数据中心电源等多场景,为高频功率转换领域注入新动力。2026-08-14 17:22:3818品牌资讯