&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
一、根据构造分类 　　半导体<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1">二极管</a>主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
1、合金扩散型二极管 　　它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
2、扩散型二极管 　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
3、合金型二极管 　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、键型二极管 　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
5、台面型二极管 　　PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管 　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7、接触型二极管 　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
8、外延型二极管 　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管 　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-05-25%2F21b1e9d00bd2482ab960ba06105cad0e-bWNldV81NTE1NTYyOTIxNjIxOTMwNDU4ODg5LmpwZw%3D%3D.jpg" width="544" height="362" />
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二、根据用途分类
1、混频用二极管 　　使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
2、整流用二极管 　　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用二极管 　　大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管 　　通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、检波用二极管 　　就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
6、放大用二极管 　　用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管 　　有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管 &nbsp;&nbsp; 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。***厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管 　　对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管 　　是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PIN Diode） 　　这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 　　它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管 （Tunnel Diode） 　　它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) 　　它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode） 　　它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管 　　具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管 　　TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管） 　　两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管 　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-05-25%2F8e958137cad74075bf048da1b8b2d8e3-bWNldV83OTM3MTIwOTkxMTYyMTkzMDQ0MTY4Ni5qcGc%3D.jpg" width="486" height="488" />
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三、根据特性分类 &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。
1、一般用点接触型二极管 &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
2、高反向耐压点接触型二极管 　　是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。
3、高反向电阻点接触型二极管 　　正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。
4、高传导点接触型二极管 　　它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。

 晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。

晶体二极管的分类及解析

<section data-tools="135编辑器" data-id="101848">
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<section data-brushtype="text">再创纪录！芯片交期逐月拉长，8月已达21周</section>
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/32e9b13760454627ab4e662e6dfcb991-bWNldV84MTMxNDgzMzIyMTYzMjMwNTAwNzM3OS5qcGc.jpg" width="569" height="322" />
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市场分析机构Susquehanna Financial Group近期最新发布的研究报告显示，8月份芯片交付时间比上月增加了6天，达到约21周。
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这已经是该公司2017年开始跟踪数据以来的最长等待时间，且芯片交期仍呈现不断延长的趋势：
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据市调机构最新数据显示，6月芯片订货交付周期延长至19.3周，比较前一月多了1.5周时间。
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海纳国际集团的研究显示，7月份的芯片交货期(从订购半导体到交货的时间差)较上月增加了8天以上，达到20.2周。
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/d9667a3ba8ed40dcafeaa95fbb7c580e-bWNldV8yODk4MDkwMjIzMTYzMjMwNTAyMDIxMy5qcGc.jpg" width="478" height="195" /></section>
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报告显示，半导体短缺阻碍了企业从新冠疫情中的复苏，尤其是汽车制造商。全球咨询公司AlixPartners估计全球汽车行业的销售额将损失约1100亿美元。
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<section data-tools="135编辑器" data-id="101848">
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<section data-brushtype="text">外泄客户订单？台积电同时开除7名员工</section>
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</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/ba6bdeed3c304ff7ba6cfc17a02be171-bWNldV8zMTU5MjA5MzA0MTYzMjMwNTAzMDUwMy5qcGc.jpg" width="541" height="406" /></section>
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据媒体报道，半导体业界近日盛传，台积电有7名员工在中秋节前夕一起被开除，其中包括设备相关主管与部门工程师等，这对台积电来说可能是首例。开除原因可能是其中有人跟投资与外泄客户订单商机有关，也有传言跟迟到早退又不实打卡的行径有关。
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该报导提到，台积电则证实已解雇7名员工，原因是「做出违背公司核心价值的不当行为，因情节重大，公司本着毋枉毋纵的原则，予以相应处分。」但并未透露详细原因，并对外泄客户订单等传言皆予否认，仅表示非同一部门，违反工作规范有别，对相关细节不便说明。
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据了解，员工数超过5万人的台积电过去虽陆续发生过解雇案例，之前曾发生资深工程师每月向厂商收取顾问费遭检举、也有因到内地同行就业遭解雇，但都属零星或单一案例，这次一批人遭严重惩处对台积电相当罕见，引起业界关注。
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<section data-tools="135编辑器" data-id="101848">
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<section data-brushtype="text">史上单月最猛！面板价暴跌30%，最高跌1294元</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/4fd95cd09f6e4c8186a6c94d0a792791-bWNldV82MjAwNjI3MTg1MTYzMjMwNTA0MzMwOC5qcGc.jpg" width="502" height="334" /></section>
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9月面板价格跌势再扩大，32吋、43吋面板价格9月下跌17美元，50吋以上的大尺寸电视面板更大跌20美元，写下史上单月最大跌幅。连续两个月大跌，电视面板价格又回到今年第一季的均价。
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TrendForce研究部资深副总邱宇彬表示，第四季面板跌势持续，不过近期面板厂陆续释出减产讯息，价格跌幅有机会收敛。
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邱宇彬表示，第三季电视面板采购动能转弱，面板厂期望透过降价刺激下游拉货，但是面板价格跌得凶，采购更为保守，恶性循环之下，9月电视面板价格跌幅比预期要来得大：
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<section data-role="paragraph">
32吋、43吋等小尺寸电视面板9月份大跌17美元（约人民币110元）
32吋面板均价跌破60美元（约人民币388元）
43吋面板均价则是下探100美元（约人民币647元）
其他包括50吋、55吋、65吋、75吋等大尺寸电视面板单月下跌20美元（约人民币130元），写下单月最大跌幅，55吋面板价格跌破了200美元（约人民币1294元）
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面板第三季跌幅超出预期，大尺寸电视面板平均有10～15％的跌幅，32吋、43吋等中小尺寸面板跌幅更高达三成以上，短短一个季度就把上半年的面板价格涨幅吐了回去。
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展望第四季，邱宇彬表示，电视面板跌价走势还会持续，不过这一波小尺寸电视面板跌幅甚巨，预期接下来跌幅有机会收敛。
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<section data-tools="135编辑器" data-id="101848">
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<section></section>
<section data-brushtype="text">美：华为续留贸易黑名单，并考虑将荣耀纳入实体清单</section>
</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/62f91b80d0b64bc0b7955d42539c21ab-bWNldV85NDUyNzcxMTYxNjMyMzA1MDU0MzIzLmpwZw.jpg" width="535" height="394" /></section>
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美国总统拜登提名的商务部次长人选艾斯特维兹周二(21日)表示，除非情况改变，否则预料华为将继续留在贸易黑名单上，并将检视华为是否透过荣耀，减少或回避美国制裁。
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华为在2019年遭川普政府以国安威胁列入实体清单，供应商必须申请许可才能供货，华为去年11月出售手机子品牌「荣耀」，原因是长期难以取得必要零组件。除了华为，美国也透过出口管制、禁止措施和行政命令，禁止中芯、TikTok和腾讯取得美国商品或触及美国消费者。
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华盛顿邮报近日报导，拜登政府正在考虑是否把荣耀也纳入实体清单，以回应国会议员向商务部长雷蒙多提出的疑虑，但目前内部看法分歧。

市场分析机构Susquehanna Financial Group近期最新发布的研究报告显示，8月份芯片交付时间比上月增加了6天，达到约21周。

再创纪录！芯片交期逐月拉长，8月已达21周

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多，加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制，因此，硅光电二极管得到了广泛应用。
测量光电二极管的暗电流
测量光电<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1">二极管</a>的暗电流，必须在一个不透光的密闭容器中进行，所以作者选择了热电致冷器件作为控温器件，它具有体积小、效率高等优点。要获得光电二极管暗电流的温度特性参数，必须在一个温度范围内每隔$t℃进行恒温控制来测量暗电流。又因为光电二极管暗电流非常小，在10-13～10-12A量级，所以设计关键有两点：
1、恒温控制;
2、微电流测量。
　　本设计用热电致冷器件、温度探测器和一个反馈放大电路构成恒温控制系统，并设计了一个微电流计来精确测量暗电流。
温度控制系统
　　该系统的一个重要器件是帕尔贴（PelTIer）器件，又称半导体热电致冷器件，它的原理是帕尔贴效应：当电流通过两种不同半导体的结时，该结致冷还是发热取决于电流的方向，放热或吸热率正比于电流的大小，并取决于结温。实际的热电致冷器件是由多对热电对在电气上串联，在热传导上并联组成的。热电对由铋碲化合物
　　掺杂形成的P型和N型半导体构成，它们和铜片相连，铜片则与电气绝缘而导热良好的瓷板相连接。给器件通以极性的直流电，即可给物体致冷，改变所加直流电极性即可变致冷为加热。单层热电器件两端的温差最大可达70℃，串联（多层器件）使用可提高温差，并联使用则可增加其泵热能力。
　　将帕尔贴器件置于恒温金属块和散热器之间，待测光电二极管紧贴恒温块表面，各导热面之间均涂以导热油。
作为温度探测器的LM35具有线性好、工作范围大（-55～+150℃）、工作<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>小（《60LA）等优点，并且可在4～20V下工作，自身产生的热量非常小，输出阻抗也很小。测试中将LM35装在金属块的一个孔中，以监视温度.LM35输出一个与摄氏温度成正比的电压（10mV/℃），送入一大功率运算放大器OPA541的输入端，此运算放大器被接成比例式放大器。运放输出直接接帕尔贴器件，输出电流的大小和电压的极性由电位器调节控制，即调节电位器就可以得到不同的恒温温度，当环境温度改变时，运放的负反馈会自动调节输出电流以维持金属块和光电二极管的温度恒定。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-06-03%2F946201ebafb84b9eac27ccd2f98cd7da-bWNldV81MjMzNDc5NjU0NjE2MjI3MDg1Mjg5NTUuanBn.jpg" width="317" height="317" />
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微电流计的设计
　　测量光电二极管暗电流的微电流计主要由运放TL061、5G7650和A/D转换器ICL7107构成.TL061为高输入阻抗、低功耗的运算放大器，2与6脚之间的系列电阻均为阻值误差小于+0.1%、温度系数小于+50&amp;TImes;10-6/℃的精密电阻，K为量程选择开关，组成I/V变换器。光电二极管的暗电流由Im端输入，由TL061的6脚输出电压信号。设输入电流为I，则输出电压为
　　U=I&amp;TImes;R，
　　运放5G7650使前级输出的电压信号进一步放大，其放大倍数为
　　KU=1+R2/R1.
　　其中R1、R2、R3要选择阻值较大的精密电阻。经两级放大后的电压信号送到显示电路，显示电路的核心是一片31/2位的A/D转换器ICL7107，ICL7107采用双列直插封装，有40个引出端.2～20脚、22～25脚为字段驱动端。其中2～8脚是个位字段驱动端，9～14脚和25脚为十位字段驱动端，15～18脚和22～24脚为百位字段驱动端，19～20脚为千位字段驱动端。此数字面板表最大计数值为1999，当超过此数值时，面板仅千位显示&ldquo;1&rdquo;，其余各位消隐，表示过载。该面板表量程为0～22mV，故分辨率为100LV.由此可算出该微电流计的电流最小分辨率为（取中间级放大倍数KU=10）：
　　I=（100LV/10）/100m8=10-13A=0.1pA，
　　此分辨率足以对光电二极管暗电流进行测量。
　　温度显示电路与上面一样也采用一片ICL7107，将LM35电压输出端的引线接入ICL7107的3脚，30脚与电源地相连即可。量程选择0～2V，而LM35温度每升高1℃输出电压增加10mV，且0℃时输出电压为0，故该表可显示的温度范围为0～200℃，满足测试要求

 光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多，加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制，因此，硅光电二极管得到了广泛应用。

测量光电二极管的暗电流

瞬态抑制二极管的特点
1、将TVS 二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A 以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL 器件，遇到超过30ms 的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS 二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。
3、将<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=TVS%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1">TVS 二极管</a>加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-06-03%2F8c4a7c3504ca49e4aea75ca048c946c3-bWNldV83ODM5MDgzMjU0NTE2MjI3MDY3MTg1NDUuanBn.jpg" width="342" height="342" />
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瞬态抑制二极管选用技巧
1、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。
2、TVS 的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。
3、 TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
4、在规定的脉冲持续时间内，TVS 的最大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定 最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和&ldquo;高端&rdquo;容限。
6、根据用途选用TVS 的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS 阵列更为有利。
7、温度考虑。瞬态<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度 工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR 随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。

对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。

瞬态抑制二极管选用技巧

<h3>1、快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;快恢复<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1">二极管</a>（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
注意事项
（1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
（2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。3）测正向导通压降时，必须使用R&amp;TImes;1档。若用R&amp;TImes;1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R&amp;TImes;1k档测量，正向电阻就等于2.2k&Omega;，此时n&prime;=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值（0.6V）。
<h3>2、超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode）</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;超快恢复二极管是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间Trr比FRD更短，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
<h3>3、肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管作用
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT的开关电路里面，通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，74ALS，74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>稍大些。选用时要全面考虑。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images%2F2021-06-02%2Ff605b4d2cc014d74b5f9ffc9708b1caf-bWNldV8yNTg3NzAyNDYxMjE2MjI2MjI0MjE2NDcuanBn.jpg" />
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<h3>4、检波二极管</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;检波二极管是用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特
性。
检波二极管作用
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于一般二极管检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
<h3>5、开关二极管</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行&ldquo;开&rdquo;、&ldquo;关&rdquo;而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。
开关二极管工作原理
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10&Mu;&Omega;以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;以上的描述，其实适用于任何一支普通的二极管，或者说是二极管本身的原理。但针对于开关二极管，最重要的特点是高频条件下的表现。
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;高频条件下，二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗，并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路，高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过，二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。
<h3>6、PIN型二极管（PINDiode）</h3>
&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征（Intrinsic）半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管。正因为有本征（Intrinsic）层的存在，PIN二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF开关和RF保护电路，也有用作光电二极管（PhotoDiode）。PIN二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。
PIN二极管在不同偏置下的工作状态
（1）正偏下：PIN二极管加正向电压时，P区和N区的多子会注入到I区，并在I区复合。当注入载流子和复合载流子相等时，电流I达到平衡状态。而本征层由于积累了大量的载流子而电阻变低，所以当PIN二极管正向偏置时，呈低阻特性。正向偏压越大，注入I层的电流就越大，I层载流子越多，使得其电阻越小。下图是正偏下的等效电路图，可以看出其等效为一个很小的电阻，阻值在0.1&Omega;和10&Omega;之间。
（2）零偏下：当PIN二极管两端不加电压时，由于实际的I层含有少量的P型杂质，所以在IN交界面处，I区的空穴向N区扩散，N区的电子向I区扩散，然后形成空间电荷区。由于I区杂质浓度相比N区很低，多以耗尽区几乎全部在I区内。在PI交界面，由于存在浓度差（P区空穴浓度远远大于I区），也会发生扩散运动，但是其影响相对于IN交界面小的多，可以忽略不计。所以当零偏时，I区由于存在耗尽区而使得PIN二极管呈现高阻状态。
（3）反偏下：反偏情况跟零偏时很类似，所不同的是内建电场会得到加强，其效果是使IN结的空间电荷区变宽，且主要是向I区扩展。此时的PIN二极管可以等效为电阻加电容，其电阻是剩下的本征区电阻，而电容是耗尽区的势垒电容。下图是反偏下PIN二极管的等效电路图，可以看出电阻范围在1&Omega;到100&Omega;之间，电容范围在0.1pF到10pF之间。当反向偏压过大，使得耗尽区充满整个I区，此时会发生I区穿通，此时PIN管不能正常工作了。

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用

高频二极管的分类有哪些？

&nbsp; &nbsp; &nbsp; <a href="https://www.bomman.com/">振动速度传感器</a>一般由内部永久磁铁，支撑弹簧，线圈，外壳和信号电缆构成。一般来说，速度传感器是
直接和被测物体刚性连接在一起的；当被测量物体发生振动时，速度传感器和被测物体一起运动，但是由于速
度传感器内的支撑弹簧的存在，使得永久磁铁和线圈做相对运动，如此一来线圈切割磁力线，速度传感器就成
了一个小型的发电机。
振动速度传感器安装方式
　　振动速度传感器通常是用来测量轴承的振动，在少数情况下也会用来测量转轴振动。在测量振动速度的时
候，如果传感器安装方式不正确或者安装不牢固，都会造成测量结果失真或者由于振动引起传感器损坏。因
此，我们要慎重选择振动速度传感器的安装方式。
　　当传感器用于测量转轴振动时，安装通常采取在现场用手扶、橡皮泥粘粘水磁吸盘固定、螺栓固定等四种
方式。在临时性振动测量中，大多数采用手扶传感器的方式，这种方法测量灵活、使用方便，特别是当振动速
度传感器数量缺少和传感器互换性不好时，有着特殊的优点;缺点在于测试误差相对较大，而且工作强度也大。
　　用橡皮泥粘粘传感器也比较方便，测量结果正确性相对于手扶效果会好得多。需要注意的是，橡皮泥不能
将振动速度传感器粘贴到垂直平面上，只能固定于水平面上，例如测量轴承座顶部垂直、水平、轴向振动。在
粘接牢靠，频率在50Hz时，该方法最大能量300&mu;m振动。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/1e8b68be81d14988a8ce5f2c75b4e433-bWNldV8yNzU5OTIzNjQxMTYzMjMwMzM4NDcwOC5qcGc.jpg" width="370" height="368" />
&nbsp;
　　橡皮泥还有一个缺点，就是粘接力受温度影响较大，温度较高和较低都会使粘接力显著降低，因此它不适
用于固定温度较高的汽轮机高中压转子和带盘车轮的轴承中测量的速度传感器；冬季冷态启动时，轴承温度过
低也不宜采用。
　　永磁吸盘固定速度传感器较橡皮泥的方式会更方便，而且目前国内也能制造出尺寸为&phi;50或50mm*50mm的
永磁吸盘，其吸力可达196N，用这样的吸盘固定500g以下的振动速度传感器，吸附在水平面上，最大可测量
1000&mu;m振动。缺点在于一般机组轴承座表面都涂有泥子或者油漆，这会导致吸盘的吸力降低，所以当吸附在垂
直平面上、振幅较大时，还需扶手辅助一下，避免传感器脱落而摔坏。
　　用螺栓直接将速度传感器固定在轴承上，不仅可以可靠地测量轴承座顶部三个方向的振动，而且还可以测
量垂直平面上两个方向的振动。这种安装方法是四种安装方法中最牢固的一种。
　　总之，振动速度传感器的安装要视测量的需要，根据不同的工作环境，选择以上四种方式中的最适合一
种，这样才能保证测量的顺利进行，减少测量和试验误差。

振动速度传感器一般由内部永久磁铁，支撑弹簧，线圈，外壳和信号电缆构成。

振动速度传感器的安装方式

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;霍尔<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E4%BC%A0%E6%84%9F%E5%99%A8">传感器</a>是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855&mdash;1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔传感器作用
　　霍尔传感器的作用： 车上的霍尔传感器又叫凸轮轴位置传感器。作用是判缸点火，就是说是调整点火时间的。他坏掉的话不影响着车，但是发动机不能正常运行，很严重。对油耗不是影响不影响的问题，是不完全不能控制。要更换。 霍尔传感器的工作原理：
　　霍尔<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>传感器是根据霍尔原理制成的。它有两种工作方式，即磁平衡式和直式。霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、（次级线圈）和放大电路等组成。
　　1、直放式电流传感器（开环式）
　　众所周知，当电流通过一根长导线时，在导线周围将产生一磁场，这一磁场的大小与流过导线的电流成正比，它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出。这一信号经信号放大器放大后直接输出，一般的
　　额定输出标定为4V。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/a066070adbdb421d9cf99a75189acf90-bWNldV8xMDQ0ODI1MjIxNjMyMzAwODkzMDA0LmpwZw.jpg" width="343" height="257" />
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　　2、磁平衡式电流传感器（闭环式）
　　磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器，即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈，电流所产生的磁场进行补偿， 从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。
　　磁平衡式电流传感器的具体工作过程为：当主回路有一电流通过时，在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上， 所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通，从而获得一个补偿电流Is。 这一电流再通过多匝绕组产生磁场 ，该磁场与被测电流产生的磁场正好相反，因而补偿了原来的磁场， 使霍尔器件的输
　　出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘 所产生的磁场相等时，Is不再增加，这时的霍尔器件起指示零磁通的作用 ，此时可以通过Is来平衡。被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。 一旦磁场失去平衡，霍尔器件就有信号输出。经功率放大后，立即就有相应的电流流过次级绕组以对失衡的磁场进行补偿。从磁场失衡到再次平衡，所需的时间理论上不到1&mu;s，这是一个动态平衡的过程。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。

霍尔传感器的作用

&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;电量传感器是一种电量的前端信号取样装置，可以将被检测的电量通过特定的转换，变成用户所需要的信
号进行输出，按照输出类型的不同，有模拟量输出及数字量输出之分。
电量传感器原理
　　当电量传感器输出信息满足某种标准要求时，也称电量变送器。随着科学技术的不断发展，工业控制或检
测（监测）系统对电量隔离传感器的要求也越来越高，特别是在产品的稳定性、检测精度和功能方面。由于数
字化产品不论其性能还是功能，如非线性校正和小信号处理方面，模拟产品是不可比拟的。
　　因此，电量传感器的数字化是一种必然趋势。具有传感检测、传感采样、传感保护的<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%BA%90">电源</a>技术渐成趋势，
检测电流或电压的传感器便应运而生并在我国开始受到广大电源设计者的青睐。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-22/926bd2dfdfcb483ba9a38a4ca315d069-bWNldV80NDQxNzkxNzExMTYzMjMwMDMyMDE0NS5qcGc.jpg" width="378" height="351" />
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电量传感器分类
　　依据输入信号特点，可以分为：直流电量传感器
　　最常见的是分流器、电阻分压器等；
　　交流电量传感器（一般适用于工频正弦波测量）
　　最常见的是电磁式电压互感器、<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%AE%B9">电容</a>式<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>互感器、电磁式电流互感器等；变频电量传感器（适用于各种
频率及波形的交流电量测量）
　　如霍尔电压传感器、霍尔电流传感器、罗氏线圈及变频功率传感器等。工频电量是变频电量的一种特例，
因此，变频电量传感器通常可以作为工频交流电量传感器使用，此外，除了罗氏线圈不能用于直流测量之外，
其它几种传感器还可作为直流电量传感器使用。
　　依据输出信号特点，可以分为：模拟量输出电量传感器数字量输出电量传感器
　　由于数字式电量传感器可以直接输出数字量，对于许多应用系统可以省去A/D采集模块，可以减轻系统设计
工作。并且，相对模拟量而言，数字信号的抗干扰能力较强，尤其是数字信号可以方便的采用光纤传输，可以
完全避免传输环节的损耗和干扰，为实现复杂电磁环境下高精度测量提供了科学的保障。

电量传感器是一种电量的前端信号取样装置，可以将被检测的电量通过特定的转换，变成用户所需要的信号进行输出，按照输出类型的不同，有模拟量输出及数字量输出之分。

电量传感器的原理及分类

<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2021-09-18/a225e88918bc4997a5f70a08696178c8-bWNldV82ODczMDMyNTQzMTYzMTk1MzYyODg5OC5qcGc.jpg" width="724" height="120" />
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电力二极管的结构特点
电力<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1">二极管</a>（PowerDiode，PD）是指可以承受高电压、大电流，具有较大耗散功率的二极管，它与其他电力电子器件相配合，作为整流、续流、电压隔离、钳位或保护元件，在各种变流电路中发挥着重要作用。
电力二极管与小功率电力二极管的结构、工作原理和伏安特性相似，但它的主要参数的规定、选择原则等不尽相同，使用时应当引起注意。
电力二极管的内部结构也是一个PN结，其面积较大，最新研制出的特殊二极管如快速恢复二极管，在制作工艺上有新的突破，使开关时间大为减少。
电力二极管引出两个极，分别称为阳极A和阴极K，使用的符号也与中、小功率电力二极管一样，如图1所示。由于电力二极管的功耗较大，它的外形有螺旋式和平板式两种。螺旋式二极管的阳极紧拴在散热器上。平板式二极管又分为风冷式和水冷式，它的阳极和阴极分别由两个彼此绝缘的散热器紧紧夹住。
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电力二极管的基本特性
1、静态特性
（1）主要是指其伏安特性
（2）正向电压大到一定值（门槛<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E5%8E%8B">电压</a>Uto），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与If对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降Uf。
（3）承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。
2、动态特性
因为结电容的存在，电压&mdash;电流特性是随时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，并且往往专指反映通态和断态之间转换过程的开关特性。
由正向偏置转换为反向偏置
（1）电力二极管并不能立即关断，而是须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。
（2）在关断之前有较大的反向<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E6%B5%81">电流</a>出现，并伴随有明显的反向电压过冲。
延迟时间：td=t1-t0
电流下降时间：tf=t2-t1
反向恢复时间：trr=td+tf
恢复特性的软度：tf/td，或称恢复系数，用Sr表示。a）正向偏置转换为反向偏置b）零偏置转换为正向偏置
由零偏置转换为正向偏置
先出现一个过冲Ufp，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如2V）。
正向恢复时间Tfr
出现电压过冲的原因：电导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存，在达到稳态导通之前管压降较大；正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大，Ufp越高。

电力二极管（PowerDiode，PD）是指可以承受高电压、大电流，具有较大耗散功率的二极管，它与其他电力电子器件相配合，作为整流、续流、电压隔离、钳位或保护元件，在各种变流电路中发挥着重要作用。

电力二极管的结构特点与基本特征

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