Nexperia(安世)
主营产品
二极管双极性晶体管逻辑器件ESD保护器件MOSFET
应用领域
汽车工业消费电子移动设备通信基础设施
类目：
- 稳压二极管
- 三极管(BJT)
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 逻辑门
- 肖特基二极管
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 数字晶体管
- 反相器
- 转换器/电平移位器
- 开关二极管
- 模拟开关/多路复用器
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 触发器
- 移位寄存器
- 单稳态多谐振荡器
- 计数器/分频器
- 锁存器
- 通用二极管
- 电压基准芯片
- 达林顿管
- EMI滤波器(RC,LC网络)
- I/O扩展器
- LED驱动
- 雪崩二极管
- 快恢复/高效率二极管
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- 特殊逻辑IC
- 时钟发生器/频率合成器/PLL
- 功率电子开关
- 数字比较器
- 共模滤波器
- 其他接口
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 超势垒整流器(SBR)
- 浪涌保护器
- DC-DC电源芯片
- 电池管理
- 专业电源管理(PMIC)
- OLED驱动
- 射频卡芯片
- 实时时钟(RTC)
封装：
- SOT-23
- SOD-323
- SOT-23(TO-236AB)
- SOD-123
- SOD-123F
- TSSOP-14
- SOD-323F
- TO-236AB
- TSSOP-16
- SOT-323
- SOD-523
- SOD-123W
- SOD-128
- DFN1006-2
- SOD-523(SC-79)
- TSSOP-5-1.3MM
- TSSOP-20
- SOD-882
- SOD-80C
- SOT-363
- SOT-223
- SOIC-14
- TSSOP-6
- XSON-6(1X1.5)
- SOT-89
- SOT-669
- DSN0603-2
- SOIC-16
- LFPAK56(POWERSO-8)
- XSON-6(1X1)
- SO-16
- SOT-89-3
- SOD27(DO-35)
- VSSOP-8-0.5MM
- DHVQFN-14-EP(2.5X3)
- SOT-883-3
- DHVQFN-16-EP(2.5X3.5)
- SOT-323-3
- SC-70
- TSSOP-6(SOT-363)
- SOT-457
- SO-14
- SC-74A
- SOT-353
- SOT-753
- DO-41
- SC-74
- SOT-883
- X2-SON-5-EP(0.8X0.8)
- XSON-8(1X1.4)
- SOT-23-3
- SOP-14
- LFPAK56D
- SOT-223-3
- D2PAK
- DFN2020-6
- XSON-8(1X2)
- TSSOP-8
- SOIC-20-300MIL
- TSSOP-24
- TSSOP-5
- DHVQFN-20-EP(2.5X4.5)
- SOD-323(SC-76)
- TSSOP-8-3.0MM
- TSSOP-6-1.3MM
- TSOP-6
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOT-223-4
- SC-88
- TO-277
- SO-20-300MIL
- DFN1412D-3
- LFPAK-56
- SOD-323F(SC-90)
- LFPAK33-8
- 0201
- SOT23
- DFN2020MD-6
- LFPAK-56-5
- DFN2020D-3
- SOT-666
- SOT-143
- SOT-666-6
- DFN1006BD-2
- DFN1010-3
- TSSOP-48-6.2MM
- DFN-6-MD(2X2)
- SC-79(SOD-523)
- SOT-1210
- DFN1010D-3
- MINIMELF
- DFN-3(2X2)
- SC-76,SOD-323
- VSSOP-8
- SOD-123F-2
- SOD-323-2
- X2-SON-8(0.8X1.4)
- SOT-323(SC-70)
- SOT1210
- DFN-6(2X2)
- DFN2020-3
- DPAK
- SOD-882(DFN1006-2)
- SOD523
- DFN-3(1X0.6)
- DFN-3(1X1.1)
- LFPAK56E-4
- MLPAK(3.3X3.3)
- MLPAK33-8
- SOP-16
- DFN0603-2
- SC-79
- SC-90
- SOD27(SC-40)
- X2-SON-6(0.8X1)
- DFN0606-3
- DFN1010-6
- DFN2510-10
- DHVQFN-24-EP(3.5X5.5)
- 0603
- DHVQFN-14(2.5X3)
- LFPAK-33-8
- SOT-353-5
- SOT-663-3
- SOT323(SC-70)
- XQFN-12(1.7X2)
- DFN1608-2
- SC-74(TSOP-6)
- SOT89
- 1
- CFP-3
- SOD-323F-2
- SOD-882D
- SOD-962-2
- SOD323F
- SOT-1205
- X2-SON-4(0.6X0.6)
- CFP-15
- DFN1006D-2
- DHVQFN-20(2.5X4.5)
- SOD-962
- SOT-1061
- DFN-6-EP(2X2)
- DFN1006B-3
- DFN1412-6
- DFN2510A-10
- DHXQFN-14(2X2)
- XQFN-16(1.8X2.6)
- DFN-3(1.1X1)
- DFN1110D-3
- MLPAK33
- SOD-323HP
- SOT323
- TSSOP-48
- XQFN-10(1.4X1.8)
- XSON-6(0.9X1)
- DFN-3(1.4X1.2)
- DFN-3(1X1)
- DFN1006-3L
- LFPAK-33
- LFPAK-56D
- SOT-143B
- SOT-665-5
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- TSOP-6-1.5MM
- DFN-6-EP(1.4X1.2)
- DHXQFN-16(2X2.4)
- HUSON-6(2X2)
- MLPAK-33
- SOD-123HP
- SOT-363-6
- TSSOP-48-4.4MM
- DFN-6(1X1)
- DFN1010B-6
- DFN2510D-10
- DHVQFN-16(2.5X3.5)
- LFPAK56,POWER-SO8
- REEL
- SC-70,SOT-323
- SSOP-16-150MIL
- TO-236AB-3
- CFP-15-B
- DFN-3L(1X0.6)
- DFN2020-6(2X2)
- DFN2020D-6
- DFN2020M-6
- DO-213AC
- SOD323
- UQFN-12(1.7X2)
- 20-TSSOP
- DFN-1006-2
- DFN1608D-2
- DHVQFN16(2.5X3.5)
- DO-34
- LFPAK-56D-8
- SOD-993B
- SOT-143-4
- SOT1205
- SOT1289
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：65V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制库存：5691574复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年内
1+￥0.0368
3000+￥0.0292
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合计￥0.04
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二极管配置：1对串联式复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：1434249复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年内
1+￥0.0428
3000+￥0.034
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二极管配置：1对串联式复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：42复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年外
9.8折
1+￥0.041944
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二极管配置：1对共阴极复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对共阴极 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：1429967复制
最小包 : 3000复制
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批次：25+
1+￥0.0403
3000+￥0.032
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二极管配置：独立式复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：1406279复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年内
1+￥0.0324
3000+￥0.0258
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：1183448复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.0409
3000+￥0.0325
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：960763复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.034
3000+￥0.027
量大可议价
合计￥0.03
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：345mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN复制库存：938689复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.0585
3000+￥0.0466
量大可议价
合计￥0.06
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二极管配置：独立式复制
正向压降(Vf)：1.25V@200mA复制
直流反向耐压(Vr)：250V复制
整流电流：200mA复制
描述：通用二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA复制库存：925729复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0555
3000+￥0.044
量大可议价
合计￥0.06
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 30V 600mA NPN复制库存：916446复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.0655
3000+￥0.052
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存：787744复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.0705
3000+￥0.056
量大可议价
合计￥0.07
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：300mA复制
导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道复制库存：738785复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0643
3000+￥0.051
量大可议价
合计￥0.06
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二极管配置：独立式复制
耗散功率(Pd)：400mW复制
整流电流：250mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 2个独立式 1.25V@150mA 100V 250mA复制库存：719617复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0447
3000+￥0.0355
量大可议价
合计￥0.04
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极性：单向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：20V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：15A@8/20us复制
描述：20V-夹子-15A（8-20µs）-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-DFN1006-2复制库存：624026复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.074
10000+￥0.0607
量大可议价
合计￥0.07
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 40V 200mA NPN复制库存：600226复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0731
3000+￥0.058
量大可议价
合计￥0.07
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 40V 200mA NPN复制库存：581660复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0819
3000+￥0.065
量大可议价
合计￥0.08
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