&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;（1）热<a href="https://www.bomman.com/global-search?searchWord=%E7%94%B5%E9%98%BB">电阻</a>一般根据测量温度范围选用。测量温度精度要求较高，无剧烈扰动、测量温差等场合，宜选用热
电阻。
　　（2）测量设备、管道外壁温度时，选用表面热电阻。
　　（3）一个测温点需要在两地显示或要求备用时，选用双支式测温元件。
　　（4）一个测温口需要测量多点温度时（如触媒层测量），选用多点（多支）式专用热电阻。
　　（5）在爆炸危险场所，选用隔爆型热电阻。
　　（6）对测温元件在弯曲安装或快速响应要求时，可选用铠装热电阻。

热电阻一般根据测量温度范围选用。测量温度精度要求较高，无剧烈扰动、测量温差等场合，宜选用热电阻。

铠装热电阻的选用方法

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索尼集团11月5日发布2026财年第二季度合并财报。受益于电影、游戏与网络服务（G&amp;NS）等内容业务增收，当季销售额达3兆4294亿日元，同比增长10%（增加3215亿日元）；营业利润同样受这些业务拉动，同比增长45%（增加1934亿日元），达到6223亿日元。
税前利润为6232亿日元，同比增长41%（增加1814亿日元）；净利润4496亿日元，同比增长44%（增加1382亿日元）。全年营业利润预期由此前7月时的1兆7200亿日元上调1500亿日元，至1兆8700亿日元。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">图像传感器：营收下滑，利润反增12%</h2>
第二季度，成像与传感解决方案（I&amp;SS）业务在营收减少的情况下仍实现利润增长。当季销售额为5776亿日元，同比减少6%（减少370亿日元）。产品结构改善与汇率因素（增加409亿日元）带来正面影响，但移动设备用图像传感器收入下滑及销量减少拖累了整体表现。另一方面，得益于汇率利好，该业务营业利润增长12%（增加164亿日元），达1546亿日元。
受此推动，索尼将该业务全年营业利润预期从7月时的4200亿日元上调300亿日元至4500亿日元。公司一方面将熊本地震影响计为负面因素，另一方面把成本下降与汇率利好列为上调依据。全年销售额预期则从7月时的2兆1100亿日元微调至2兆1200亿日元（增加100亿日元），基本维持持平判断。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">熊本地震影响仍在，设备投资低于上年</h2>
索尼同日公开的补充资料显示，图像传感器制造主工序的第二季度平均晶圆投入量为14万7000片，低于上年同期的15万5000片。产能自2025财年起大体维持在约16万片水平，从上述数据可以看出，7月28日发生的熊本地震造成工厂受灾，对生产形成了影响。
设备投资方面，I&amp;SS业务在2026财年长期资产投资计划中列支2400亿日元，其中面向图像传感器的投资为2200亿日元，低于上一财年的2467亿日元。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">内容业务成为全公司业绩支柱</h2>
如前所述，索尼集团2026财年第二季度合并业绩主要依靠表现强劲的内容业务支撑。具体来看，G&amp;NS业务营业利润增加997亿日元至2201亿日元，电影业务营业利润增加787亿日元至926亿日元。其中电影业务的增长，主要得益于《蜘蛛侠：崭新之日》（Spider-Man: Brand New Day）的影院票房收入增加。

索尼2026财年第二季度销售额3.4294万亿日元，同比增长10%；营业利润6223亿日元，同比增长45%，主要受电影和游戏业务拉动。图像传感器业务营收下滑6%，利润却增长12%。全年营业利润预期上调至1.87万亿日元。

索尼2026财年二季度销售额增长10%，内容业务拉动利润增长45%

据美国半导体工业协会（SIA）公布的数据，2026年9月全球半导体销售额为1726亿美元，同比增长146.8%，环比增长7.9%，刷新历史最高纪录。2026年第三季度（7月至9月）半导体销售额（三个月移动平均值）为5177亿美元，环比增长24.1%。
SIA总裁兼首席执行官迈克尔·罗宾斯表示：“半导体市场在第三季度持续增长。全年销售额在所有主要地区也保持稳健，这再次表明行业的全球布局，以及其在推动创新、生产率和经济竞争力方面不可或缺的作用。”
分地区和国家看，9月所有市场同比和环比均实现增长：
<ul style="font-size:15px;color:#333;font-family:-apple-system,BlinkMacSystemFont,'Segoe UI','PingFang SC','Microsoft YaHei',sans-serif;letter-spacing:0.5px;padding-left:28px;margin:10px 0;line-height:1.9">
<li style="margin:4px 0">美洲：销售额655.8亿美元，同比增长191.7%，环比增长11.0%。</li>
<li style="margin:4px 0">亚太/其他：销售额482.9亿美元，同比增长141.4%，环比增长6.9%。</li>
<li style="margin:4px 0">中国：销售额425.8亿美元，同比增长124.9%，环比增长4.2%。</li>
<li style="margin:4px 0">欧洲：销售额95.3亿美元，同比增长102.5%，环比增长8.1%。</li>
<li style="margin:4px 0">日本：销售额66.0亿美元，同比增长73.4%，环比增长8.7%。</li>
</ul>
此外，SIA于11月4日表示，已呼吁国会通过《2026年两党美国可负担性与就业法案》（Bipartisan American Affordability and Jobs Act of 2026，S.5653）。该法案旨在简化美国联邦政府的许可与环境审查流程，以增强美国竞争力，并促进国内半导体生产与创新。该法案由参议院环境与公共工程委员会主席雪莱·摩尔·卡皮托（共和党）和首席成员谢尔登·怀特豪斯（民主党），以及参议院能源与自然资源委员会主席迈克·李（共和党）和首席成员马丁·海因里希（民主党）作为两党法案提出。SIA指出，许可制度改革将加快美国建设速度并提升竞争力。
SIA还发表声明，欢迎GlobalFoundries（GF，格芯）被选为纽约州马耳他（Malta）两座半导体制造工厂的运营公司。这两座工厂是日美战略投资倡议（SII）下的首个半导体项目，将由美国和日本共同拥有。SIA表示，这一合作证明了日美伙伴关系的牢固，通过扩大美国关键半导体制造能力，将维持数万个就业岗位，并强化支撑美国经济和国家安全保障的供应链。
该项目投资规模最高达210亿美元：首笔100亿美元投资将支持建设一座新的半导体工厂，投产后每年将在美国新增约90万片（300mm晶圆）产能；追加110亿美元将建设另一座具备类似产能的工厂。两座工厂均通过美国总统特朗普的日美战略投资倡议，由日本全额出资。GF计划今年下半年开工建设首座工厂。

SIA数据显示，2026年9月全球半导体销售额1726亿美元，同比增长146.8%，创历史新高；三季度达5177亿美元，环比增24.1%，各地区均实现增长。

2026年9月全球半导体销售额达1726亿美元，同比增长146.8%创新高

产业技术综合研究所（产总研）10月27日宣布，其与电子信息技术产业协会（JEITA）等产学官相关机构合作，汇聚多年来在晶圆质量评估和器件可靠性评估方面积累的技术经验，为推动SiC（碳化硅）功率半导体普及，参与制定了规定SiC外延晶圆缺陷试验方法的国际标准“IEC 63068-5”，并助力该标准发布。该标准采用X射线形貌术（XRT）法。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">SiC面临的课题与标准发布历程</h2>
随着进一步降低电力损耗的需求，功率半导体需求正在快速扩大。SiC是其中的代表，业界强烈要求其兼顾高效率与高可靠性。此前，通过光学检测方法和光致发光（PL）法的国际标准化，SiC外延晶圆的质量评估方法已实现体系化，晶圆质量得到提升，SiC功率器件的社会应用也随之推进。
然而，要进一步提高器件良率和可靠性，仍存在一个课题：SiC晶体中含有传统方法难以检测的“器件杀手缺陷”（device killer defect）。XRT法的特点在于能够在整个晶圆范围内可视化这类缺陷，明确传统方法无法捕捉的可靠性阻碍因素，并大幅提升晶圆质量评估的精度。
由此，晶圆质量评估技术可以适当地反馈到晶圆制造工艺中，有望进一步提升SiC外延晶圆质量。其结果是，由缺陷引起的器件性能波动和可靠性下降将得到抑制，高性能、高可靠SiC功率器件的实现有望加速。
此外，通过建立与国际接轨的质量评估基础，将促进SiC产品在电动汽车和电力基础设施领域的普及，并有助于通过提高电力利用效率来减少CO2排放，以及增强日本国内功率半导体产业的竞争力。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">本次研究成果</h2>
产总研关注SiC外延晶圆中存在的器件杀手缺陷对器件良率和可靠性的影响，自2001年左右起长期开展晶圆质量与器件可靠性相关性的研究。但在当时，缺陷定义和检查方法尚未统一，各机构和企业采用不同标准，因此很难在共同基础上讨论缺陷引发的问题。
为解决这一课题，在2010年度启动的新能源产业技术综合开发机构（NEDO）项目中，产总研推进了缺陷分类整理、光学检测法、PL法、XRT法等多种方法的相关性评估，以及阐明缺陷与器件特性之间的关系，并通过产学合作构建了缺陷评估的基础框架。2015年度以后，在经济产业省委托项目下，正式推进晶体缺陷评估方法的国际标准化活动，在开发JEITA标准的同时，与国际电工委员会（IEC）TC 47/WG 5的海外专家反复协商，推动技术规格的国际协调。
其结果是，2019年缺陷分类和光学检测方法、2020年PL法、2022年两种方法的综合评估标准相继发布，为SiC晶圆质量提升和器件社会应用作出很大贡献。另一方面，新课题也显现出来：这些方法难以检测的器件杀手缺陷需要应对。
为此，以产总研为中心，围绕能够检测传统方法难以检测缺陷的XRT法，推进了研发与试验方法标准化的一体化工作。基于这些成果，制定了行业标准JEITA标准，并将内容作为国际标准草案由日本向IEC提出。经过IEC TC 47/WG 5的国际审议，“IEC 63068-5”于2026年10月发布。
今后，SiC晶圆和器件制造商将逐步采用符合该标准的质量评估方法，从而能够可视化包括传统难以检测缺陷在内的晶圆质量。这将推动降低质量波动、提高良率、改善可靠性的制造管理，并通过高可靠SiC功率器件的稳定供应和成本降低，为电动汽车和可再生能源设备的普及扩大作出贡献。尤其是在汽车领域，降低成本的要求强烈，有望通过该标准带来的质量改善实现成本降低。
此外，在有望实现耐压超过10kV的超高耐压功率器件实用化的电力基础设施领域，通过提高晶圆质量来提升可靠性也极为重要，这将有助于可再生能源设备的普及扩大以及社会基础设施的安全性和稳定性提升。
该标准基于日本先行制定的JEITA标准实现国际标准化。日本国内企业积累的SiC晶圆质量评估技术作为国际通用基准得到应用，将更容易向海外展示日本SiC产品的可靠性。这有助于提升海外市场竞争力、稳定供应高质量SiC产品，并为强化日本半导体产业和确保经济安全作出贡献。
此外，整合光学检测法、PL法和XRT法三种试验方法的缺陷判别方法也已作为JEITA标准完成制定。基于该标准的IEC新标准项目于2026年7月提出。随后，在2026年7月24日至10月16日进行的各国投票中获得批准，计划正式作为新的IEC标准开发项目启动。
今后，产总研将与各国专家合作推进IEC 63068-6的国际标准开发，同时利用符合IEC标准的SiC晶圆质量试验方法，开展产学官合作的联合研究和技术支持。此外，还将通过学术会议和研讨会等活动推进普及，促进国际标准的落地和进一步升级。这将大幅推进SiC晶圆质量评估国际标准体系的完成，并有望强化支撑高性能、高可靠SiC功率器件实现的质量评估基础。

日本产总研与JEITA等合作制定的SiC外延晶圆缺陷试验方法国际标准IEC 63068-5发布，采用X射线形貌术，可检测传统方法难发现的器件杀手缺陷，有望提升晶圆质量与器件可靠性。

SiC外延晶圆缺陷检测新国际标准发布，X射线形貌术入选

2026年11月5日
OpenAI首席执行官Sam Altman于10月31日在韩国与约50名三星集团高管会面。当前，用于人工智能基础设施的内存芯片需求持续给半导体供应带来压力。会议地点为首尔以南龙仁市的三星人力资源开发中心。
三星在官方公告中表示，双方讨论内容涵盖AI技术开发、新兴商业机会，以及AI对企业决策的影响。来自三星电子、金融和生物科技业务的高管出席了会议。
尽管此次访问正值DRAM和高带宽内存（HBM）供应紧张之际，三星并未宣布新的内存供应合同，也未披露额外的采购承诺。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">延续“星际之门”协议</h2>
此次OpenAI与三星会谈延续了双方在2025年10月建立的战略合作关系。当时，三星电子与OpenAI签署意向书，涵盖用于“星际之门”（Stargate）计划的内存半导体和AI基础设施。
三星当时预计，OpenAI的潜在需求最高可达每月90万片DRAM晶圆。该数字代表潜在需求，而非已确认的月度供应订单。
该协议还涉及三星SDS参与数据中心开发和企业AI服务；三星物产（Samsung C&amp;T）与三星重工（Samsung Heavy Industries）同意研究浮动数据中心。此后，双方讨论已从内存扩展至更广领域。
9月，eeNews Europe报道称，OpenAI和三星正在探索下一代处理器开发，这增加了在现有内存合作关系之外开展代工合作的可能性。当时未披露OpenAI处理器的制造合同。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">内存短缺令AI基础设施扩张复杂化</h2>
DRAM供应压力反映出AI数据中心、企业服务器和传统电子产品制造商之间的竞争。AI加速器需要HBM，以便对模型数据实现高带宽访问；而围绕这些加速器的服务器也会消耗大量传统DRAM。
为满足这一需求，三星一直在扩展其先进内存产品组合。2026年2月，该公司宣布HBM4实现商业出货，并说明其12层产品的传输速度为每引脚11.7 Gbit/s，容量为24至36 GB。
据《Electronic Times》报道，Altman在访韩期间还会见了SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）。SK海力士是另一家主要HBM供应商，也是OpenAI现有的基础设施合作伙伴。
除基础设施采购外，三星也在扩大AI的内部应用。该公司表示，已向约2300名高管提供AI培训，并计划在2027年2月前将培训扩展至全体员工。此次OpenAI与三星的最新会谈是该计划的一部分，而非公开宣布扩大现有内存供应协议。

OpenAI CEO Altman与约50名三星高管会面，讨论AI技术与商业机会，延续“星际之门”合作，但未宣布新内存供应合同。

OpenAI与三星高层会晤：AI芯片需求紧俏，双方合作再升级

11月4日，Panasonic Industrial Devices Materials Taiwan（PIDMTW）位于新竹湖口的工厂发生重大爆炸与火灾，引发市场对AI服务器所用高端超低损耗铜箔基板（CCL）供应的担忧。据《经济日报》报道，此次事故可能影响全球约4%的高端CCL供应，并可能促使订单转向台湾CCL厂商。
这一估算反映松下在市场上的重要地位。《工商时报》引述供应链消息称，松下MEGTRON系列约占全球高端CCL市场的20%，而湖口厂又占该系列全球产能的20%，相当于全球供应约4%。《经济日报》引述业界消息补充，湖口厂是松下先进MEGTRON系列的重要生产枢纽，产品包括M6、M7、M8等超低损耗材料。
不过，《工商时报》指出，松下湖口厂主要生产M6等级材料，同时开发更先进产品。报道称，M8材料可能仍处于试产阶段，产能爬坡尚未开始。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">停工时间拉长 或加剧CCL短缺</h2>
除即时供应影响外，停产持续时间可能构成更大挑战。《经济日报》引述分析师指出，无尘室与设备精度要求严格，可能使复产过程漫长；设备更换与客户重新认证可能使生产延迟数月甚至更久。
时点也使供应担忧加剧。报道称，NVIDIA与四大美国云服务供应商（CSP）正在加大订单，而CCL交期本已吃紧，松下湖口厂受损可能进一步收紧超低损耗材料供应。
据《经济日报》报道，若客户寻找替代来源，此次供应中断也可能为台湾CCL供应商带来机会，包括台光电子（Elite Material，EMC）、台燿科技（Taiwan Union Technology，TUC）、联茂电子（ITEQ）与腾辉电子（Ventec）。
这些供应商已在推进技术路线图，以把握AI服务器与高性能计算需求增长。《工商时报》称，EMC正在开发M10等级EM-898K4材料；TUC已推出基于石英玻璃布的TU-963Q，以及无玻璃布树脂涂覆铜（RCC）方案。
与此同时，在全球CCL供应趋紧背景下，松下自身也在扩大产能。公司3月新闻稿宣布，计划向Panasonic Industrial Devices Materials (Guangzhou) Co., Ltd.（广州工厂）投资约75亿日元，新增一条生产线，专门生产MEGTRON多层电路板材料；该产线计划于2027年4月启动初期生产，并于同财年稍后进入量产。

11月4日松下新竹湖口厂发生爆炸火灾，该厂约占全球高端CCL供应4%。业界关注MEGTRON系列超低损耗材料供应趋紧，订单或转向台光电子等台湾CCL厂商。

松下新竹湖口厂爆炸火灾，全球约4%高端CCL供应受关注

在台积电CoWoS产能持续吃紧的背景下，英特尔正将其先进封装技术——嵌入式多芯片互连桥（EMIB）及EMIB-T——作为替代方案推向台前。据ZDNet Korea报道，英特尔晶圆代工封装业务总监Kyu-oh Lee表示，EMIB不采用全尺寸中介层（interposer），而是使用小型、局部化的硅桥，使硅晶圆利用率超过90%；相比之下，基于中介层的设计约为60%。
报道称，与传统硅中介层不同，EMIB仅在需要的位置放置小型硅桥来连接芯片，从而提升成本效率。尤其值得一提的是，EMIB-T将硅通孔（TSV）集成到桥接结构中，以实现供电，已获得业界积极关注。
因此，该技术据称正受到美国大型科技企业的青睐。产业消息人士认为，Google的TPU v9产品线可能在HumuFish和TriggerFish中采用英特尔EMIB-T，而WhaleFish预计使用台积电CoWoS-L。另据ZDNet报道，亚马逊也计划将EMIB-T引入其定制AI芯片。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">更大AI芯片封装或推动EMIB桥接数超过70</h2>
除潜在客户采用外，AI芯片封装尺寸扩大也可能为英特尔EMIB带来新的增长机会。据ZDNet Korea援引Lee的说法，2026年商用的AI芯片封装尺寸最高可达120×120 mm，集成12个HBM堆栈和20个以上EMIB桥接。
这一数字还将继续上升。目前开发中的AI芯片目标封装尺寸至少为120×180 mm，配备16个或更多HBM堆栈以及至少38个桥接。Lee指出，展望更远期，英特尔设想推出240×240 mm封装，集成超过32个HBM堆栈和70个以上EMIB桥接。
桥接数量上升也可能为英特尔供应链下游创造机会。据《经济日报》此前报道，台湾晶圆代工厂联电（UMC）在其台湾和新加坡晶圆厂，利用成熟的12英寸晶圆制程生产EMIB硅桥。
与此同时，台积电也通过CoWoS技术推进更大尺寸AI芯片封装。根据TrendForce，台积电CoWoS-L预计在2026年支持5.5倍光罩尺寸（reticle-size）封装，集成四个小芯片（chiplet）和12个HBM堆栈；到2028年，该技术预计扩展至14倍，可容纳20个小芯片和20个HBM堆栈。

台积电CoWoS产能吃紧，英特尔以EMIB及EMIB-T切入先进封装，硅晶圆利用率超90%，成本优于中介层方案，获谷歌、亚马逊等AI芯片客户关注，2026年封装桥接数或超20个。

台积电CoWoS产能吃紧，英特尔EMIB封装瞄准AI芯片大厂

中国NAND闪存巨头长江存储（YMTC）成为股市动荡的最新受影响者。据路透社报道，该公司已暂停其上海IPO计划。消息人士称，长江存储最初计划在10月底或11月初启动发行，如今可能视市场情况寻求在2027年上半年上市。
路透社援引一份内部通知报道，长江存储将暂停归因于“多种因素”，但未作进一步说明；此次推迟可能持续数月。报道显示，其母公司CCSH Corporation原计划通过在上海科创板IPO募资330亿元人民币（约合49亿美元），并于8月提交申请。
不过，另一名行业消息人士表示，关于暂停的说法可能不准确，并称长江存储的IPO进程仍在推进。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">市场抛售引发中国IPO审查收紧</h2>
此次推迟正值中国股市大幅下挫。路透社称，中国基准沪深300指数10月下跌8.5%，创十多年来最差月度表现；追踪上海上市半导体和AI企业的科创50指数截至10月底较7月高点已暴跌40%。
市场大跌促使监管层对新股发行加强审查，这为长江存储的IPO雄心再添障碍。路透社报道，中国证监会（CSRC）已非正式敦促投行放缓AI和半导体公司的IPO活动。
据Maeli Business援引英国《金融时报》称，在股市持续低迷之际，中国金融监管机构已要求投行暂时暂停IPO和大规模售股。报道还称，最新限制被视为北京上月推出的股市稳定措施的延伸，相关措施包括鼓励上市公司回购股份，并呼吁投资者不要抛售持股。
同时，随着北京加大稳市力度，长江存储的国内存储同行长鑫存储（CXMT）正着手扩大股份回购计划。长鑫存储于7月在上交所科创板上市。据香港中通社报道，长鑫存储11月4日宣布，董事长朱一明提议将回购上限提高一倍多，把拟回购金额从10亿至20亿元提高到25亿至50亿元。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">IPO受挫引发长江存储扩产计划疑问</h2>
随着IPO计划推迟，市场关注这将对长江存储的产能扩张和技术路线图产生何种潜在影响。这家中国NAND制造商已大举投资研发，以支撑其增长雄心。据EBN此前报道，2023年至2025年，长江存储累计研发投入达142亿元，占营收5%以上；研发人员4796人，占员工总数30%以上；注册发明专利总数达5611项。
长江存储的扩张雄心远不止研发。据路透社4月报道，该公司计划新增三座晶圆厂，全面投产后产能可能翻倍以上。路透社指出，每座新厂预计月产能达到10万片，而现有两座工厂合计月产能为20万片。武汉第三座工厂计划今年晚些时候开始运营，到2027年月产能目标为5万片。

受股市大幅下挫与IPO审查收紧影响，长江存储据称已暂停上海科创板IPO计划，原拟募资330亿元，或视市场情况推迟至2027年上半年上市，其扩产计划引发关注。

长江存储暂停上海IPO计划 股市动荡下或推迟至2027年上市

美国中期选举中，通常支持对AI数据中心加强监管的民主党取得重大进展，并在得克萨斯州获胜。得州是台湾代工制造商的重要制造枢纽。据《经济日报》报道，过去两年，得州凭借优厚的投资激励政策，吸引了纬创（Wistron）、纬颖（Wiwynn）、鸿海（Foxconn）、英业达（Inventec）和仁宝（Compal）等主要台厂进驻。如今政治风向变化，引发外界对台湾AI服务器供应链可能受到影响的关注。
得州当选州长吉娜·伊诺霍萨（Gina Hinojosa）的胜选，令该州AI基础设施前景增添不确定性。据路透社报道，伊诺霍萨承诺，在采取更有力的社区保护措施之前，将暂停批准新的数据中心项目。《得州论坛报》指出，她的提案涉及供水、电力成本和社区监督等问题，可能给AI基础设施建设带来新的障碍。
尽管存在不确定性，台厂仍在推进得州投资。据《工商时报》报道，鸿海、和硕（Pegatron）、仁宝、纬创和纬颖均维持扩产时间表，合计承诺投资额超过70亿美元。和硕得州工厂已开始出货NVIDIA GB200和GB300系统；仁宝计划于2026年第四季度试产，并于2027年第一季度量产。
《工商时报》引述机构投资者观点称，AI的战略重要性并未改变，但未来政策可能更强调在增长与风险管理之间取得平衡，尤其是在数据中心审批、电力供应和成本分摊要求方面。
TrendForce集邦咨询警告，选举后州级数据中心政策可能收紧，得克萨斯州、俄亥俄州和佐治亚州可能对新项目出台暂停令。三州合计占美国规划数据中心相当大的比例。计划于2027年投产的项目大多已开工建设，而计划在2028年及以后的项目面临更大延期风险，具体取决于拟议限制是否生效。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">台厂推进得州AI扩产</h2>
在此背景下，主要台厂继续扩大在美国的生产布局。鸿海董事长刘扬伟此前表示，公司在休斯敦运营六座工厂，并正进一步扩产。据《经济日报》报道，鸿海在得州的AI业务聚焦Level 11（机架整合）和Level 12（集群整合），而其在美国和墨西哥的扩张主要由新的AI业务需求驱动。
纬创于7月在达拉斯附近的沃思堡（Fort Worth）启用D1工厂，这是其在美国的首座制造基地。《经济日报》指出，纬创总裁兼首席执行官Jeff Lin（林建勋）预计，规模更大的D2工厂将于2027年开始运营，并可能视订单情况建设D3工厂。与此同时，据该报道，纬颖9月在埃尔帕索（El Paso）附近的索科罗（Socorro）启用新工厂，第二栋建筑预计于2027年第二季度投产。其得州长期园区计划涵盖现有及未来设施，总楼面面积规划超过170万平方英尺。

美国中期选举民主党在得州获胜，当选州长拟暂停新数据中心审批，引发对台AI服务器供应链关注；鸿海、纬创等台厂仍推进扩产，合计投资超70亿美元，但2028年后项目面临延期风险。

美中期选举后得州AI数据中心政策添变数 台厂续扩产

据《日经》援引消息人士报道，日本三井化学（Mitsui Chemicals）正计划从日本政府支持的日本投资公司（JIC）手中收购半导体材料制造商JSR，交易估值超过1.3万亿日元（约82亿美元）。若交易完成，将成为日本化工行业史上最大规模的收购。
针对上述报道，三井化学回应称，相关信息并非基于公司正式公告；但公司承认正在探索包括潜在收购JSR在内的多种选项，以提升企业价值，并强调尚未作出任何决定。
JIC于2024年以超过1万亿日元收购JSR，随后将该公司私有化。据《日经》报道，此后该基金一直在剥离不盈利业务，以推动JSR更加聚焦半导体材料。随着重组推进，JIC一直在权衡包括出售或潜在重新上市在内的多种选项。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">三井-JSR交易或重塑芯片材料市场并引发供应担忧</h2>
除交易规模外，这项收购还可能显著增强三井化学在先进半导体材料领域的地位。据《经济日报》报道，该潜在收购可能重塑全球半导体光刻胶（photoresist）市场；JSR长期与东京应化工业（TOK）和住友化学（Sumitomo Chemical）并列为领先供应商。业界观察人士认为，JSR估计占据30%的市场份额，并在先进EUV（极紫外）光刻胶领域拥有强势地位；若三井化学将其收入囊中，可能跻身日本半导体光刻材料供应商第一梯队。
三井化学已在特种化学品、基板及先进封装材料领域拥有较强布局。《经济日报》强调，将这些业务与JSR的前道光刻胶业务结合，可能使三井化学形成更广泛的产品组合，覆盖前道光刻材料以及后道先进封装薄膜和树脂。
两家公司在EUV光刻领域还拥有互补业务。据Postation指出，三井化学依据ASML授权生产EUV pellicles（极紫外光罩薄膜），JSR则供应先进光刻胶，双方在光刻工艺中服务重叠客户。
值得注意的是，据《经济日报》报道，这一潜在整合可能引发对台积电（TSMC）和英特尔（Intel）等芯片制造商供应商集中度上升的担忧。报道还指出，先进制程所用光刻胶的认证极为严格，涉及3nm、2nm以及未来高数值孔径（High-NA）EUV光刻，这使得更换供应商的成本尤其高昂。

日经报道三井化学拟从JIC收购JSR，估值超1.3万亿日元，或成日本化工业最大收购；三井称非正式公告，正探索选项未决定。交易或增强其光刻胶地位，引发供应商集中担忧。

三井化学拟收购JSR 估值超1.3万亿日元

光通信近年来已成为科技企业愈发重要的投资领域。华为、阿里巴巴、腾讯、小米、百度、中兴通讯等企业通过投资拓展相关布局，覆盖光芯片、光模块等环节。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">华为：以投资并购向上游光通信延伸</h2>
作为光传输与光接入设备供应商，华为自身已拥有成熟的光通信业务。与此同时，华为主要通过投资平台 Hubble Technology Investment 布局上游技术，涉及光芯片与硅光子等方向；其投资范围包括磷化铟（InP）衬底、薄膜铌酸锂、VCSEL 及其他激光芯片、特种光纤和高速连接器。
在材料环节，Hubble 于 2020 年 12 月向云南锗业子公司 Xinyao Semiconductor 投资人民币 3000 万元，取得 23.91% 股权，成为后者第二大股东。Xinyao Semiconductor 聚焦半导体材料，产品包括 InP。
光芯片是华为另一重点投资方向，其持股公司包括 Yuanjie Semiconductor、Everbright Photonics 和 Milphoton Semiconductor。
Yuanjie 开发 DFB、EML 激光芯片，以及用于 800G 和 1.6T 光模块的连续波（CW）光源。Milphoton Semiconductor 专注高速 InP 光芯片，产品面向 800G 和 1.6T AI 计算应用等。
Hubble 还投资了特种光纤厂商 Changjin Photonics。该公司开发稀土掺杂特种光纤，Hubble 在其 IPO 前持有 3.80% 股权。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">阿里巴巴：围绕云计算需求投资硅光与光互连</h2>
阿里巴巴更直接地投资了与云计算和 AI 基础设施高速互连需求相关的领域。其投资组合涵盖硅光模块和光互连芯片，其中 Crealights Technology 与 Shanghai Xizhi Technology（Lightelligence）值得关注。
Crealights 为 AI 数据中心提供光互连产品，包括光模块和有源光缆。Xizhi 被媒体报道称为有望成为首家上市的 AI 硅光公司，产品包括 LightSphere X——一个分布式光交换 GPU 超节点平台，已在多个拥有数千块 GPU 的集群中部署。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">腾讯：瞄准数据中心内部光互连</h2>
腾讯也是 Xizhi 的投资方。根据其上市文件，Tencent Mobility 在 Xizhi 上市前持有 4.19% 股权，上市后降至 3.56%。
腾讯还投资了该领域另外两家公司 JaguarMicro 和 Qting Optoelectronic。JaguarMicro 开发面向数据中心网络与存储的 DPU 芯片及加速方案。Qting Optoelectronic 专注高精度 3D 光学检测设备，包括用于检测光通信模块的系统。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">其他参与者：投资存在重叠，切入点各异</h2>
小米、百度、中兴通讯和联想也已投资光通信。
小米的投资与阿里巴巴、华为存在重叠。小米相关实体与阿里巴巴均为 Crealights 股东。
小米与华为在光芯片公司上的投资也有交集。小米投资了 Vertilite；小米旗下实体 Hainan Jimu Venture Capital 持有 Photonx Technology 约 6.48% 股权。
百度、中兴通讯和联想同样投资了 Crealights 和 Xizhi，但各自切入点和投资时间有所不同。

华为、阿里巴巴、腾讯、小米、百度、中兴通讯等企业加速投资光通信，覆盖光芯片、光模块等环节。华为通过Hubble平台向上游材料与激光芯片延伸，阿里、腾讯则聚焦硅光与数据中心光互连。