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三星3nm芯片良率仅五成,无法满足高通
2023-10-09 17:18:0520

据韩媒报道,三星和台积电发展3nm制程时存在某些问题,两家公司仍难以确保良品率(良品占总产量的比例)超过60%,尚未达到市场所期望的良率。

 

此前,有消息称,三星电子3nm良率超过60%,已成功交付中国客户。但就这款芯片而言,其工艺并不包括逻辑芯片的SRAM(静态随机存取存储器,负责临时存储数据的关键部件)。因此,这并不能被认为是完整的3nm工艺。

 

 

GAA是指一种技术,其中栅极围绕构成半导体的晶体管中电流流过的通道的四个侧面。栅极是控制电流的器件,与沟道的接触面越多,数据处理速度和功率效率就越高。相比于FinFET仅覆盖沟道的三个侧面,覆盖全部四个侧面自然增加了工艺难度。

 

据悉,三星电子先于台积电开始量产3nm GAA,但为了吸引大客户,必须保证一定的良率并建立量产体系。一位熟悉三星电子的人士表示,“估计三星电子最新的3nm工艺目前的良率仍在50%左右”,并补充道,三星想要赢得高通、甚至是自己公司的LSI(芯片组和调制解调器)部门等主要厂商的3nm移动芯片订单,明年需要达到至少70%的良率。同时,像高通这样的公司必须为这批晶圆支付全价,包括有缺陷的晶圆。

 

这也表示,如果三星无法满足良率要求,那么高通下一代旗舰芯片,很可能不会选择三星。

 

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