三星与SK海力士或推迟混合键合导入时间，16层HBM4E将成最早应用节点
据多方产业链消息，三星电子与SK海力士正对在高带宽存储器（HBM）中应用混合键合（hybrid bonding）的时间表进行重新评估。韩国媒体ZDNet援引知情人士观点称，尽管混合键合被认为是实现16层及以上堆叠的关键路径，但该技术从研发向量产平滑过渡仍需克服多项工程挑战，两家头部厂商的实际采纳节点可能较行业先前预期出现延后。
混合键合是一种无需传统微凸块（microbump）的垂直互连方案，通过在芯片间直接实现铜-铜键合，可大幅缩短互连距离、提升信号完整性并允许更紧密的层间堆叠。这一技术原本被寄望于HBM4世代（预计支持12层与16层配置）就能规模落地，从而支撑人工智能与高性能计算场景对带宽的持续攀升需求。然而，随着产品路线图逐渐清晰，面对键合界面缺陷密度控制、芯片平整度保障以及量产吞吐率提升等多重工程瓶颈，业界态度日渐审慎。供应链透露，将混合键合导入高复杂度的逻辑-存储混合堆叠流程，对前道与后道工艺的协同提出了极高要求，良率爬坡曲线比早期模型所推测的更为陡峭。
受此影响，两家主要HBM供应商倾向于将可靠度更高的微凸块方案继续沿用于早期的HBM4产品，从而保障出货节奏与客户供应稳定性。而混合键合的首个大规模应用场景，大概率将出现在层数更高的HBM4E（第5代HBM的增强版）上，特别是16层堆叠版本。三星半导体已于近日宣布其行业首批HBM4E样品开始送样，此举被市场解读为其在先进封装领域保持技术话语权的关键布局，但内部人士表示，量产机型对键合技术路径的最终选择仍取决于未来几个季度的关键工艺验证结果。
SK海力士方面也在推进类似策略，其已与主要逻辑芯片伙伴联合优化混合键合流程，并储备了相关量产能力，但管理层在近期的技术论坛中明确表示，只有当技术成熟度与投资回报比达到公司设定的严格标准时，才会触发真正的规模转换。这一相对保守的节奏，或许正反映出高附加值半导体创新从实验室走向晶圆厂所必须经历的现实权衡。
