SK海力士拟将HBM4E基底芯片交由英特尔代工以缓解成本压力

随着英特尔积极拓展自身芯片以外的代工业务——从先进封装（EMIB）到逻辑制造——存储厂商似乎也在考虑类似的“去台积电化”策略。在HBM4时代，基底芯片（base die）正成为关键差异化因素。据《先驱商业报》（Herald Business）报道，SK海力士正考虑从HBM4E开始，将部分基底芯片交由英特尔代工（Intel Foundry）生产。

若该消息属实，此举也有助于缓解日益增加的成本压力。《先驱商业报》估算，台积电的HBM4基底芯片成本可能已是SK海力士基于1b工艺制造的核心晶粒的3到4倍，且这一差距预计在HBM4E上还会进一步扩大。

但鉴于HBM中长期供应协议（LTA）占比较高，将这些更高的代工成本转嫁给客户可能并不容易。报道补充称，将英特尔引入基底芯片供应链，可让SK海力士在成本管理上获得更大灵活性，同时提升供应稳定性。

《先驱商业报》解释，SK海力士在HBM3E及之前一直自行生产基底芯片，到HBM4时，由于基底芯片承担了更多逻辑与性能要求，才转由台积电生产。该公司目前量产的HBM4采用台积电12nm级工艺制造的基底芯片。

除制造外，SK海力士也在扩展基底芯片的设计能力。据NewsPim报道，SK海力士美国设在加利福尼亚州圣何塞的HBM架构设计团队（HBM Architect Design Team），正直接与美国主要客户合作，进行HBM和3D堆叠DRAM的基底芯片设计。

针对《先驱商业报》的报道，SK海力士回应称，难以确认与技术路线图相关的细节，“部分报道并不属实”。

基底芯片：HBM的新战场

有意思的是，《商业邮报》（Business Post）指出，如果英特尔能证明自己能以有竞争力的良率和成本向SK海力士交付HBM基底芯片，三星电子和美光也可能考虑采用英特尔代工。

无论如何，基底芯片正成为存储厂商关注的焦点。据S-Journal报道，三星在自家4nm代工工艺上自行制造HBM4基底芯片，整合了核心DRAM、逻辑芯片和先进封装。

值得注意的是，对HBM基底芯片的强劲需求已开始提振三星的代工业务。三星在7月30日的财报中表示，HBM4出货量上升，加上来自美洲客户对HBM基底芯片的需求增强，帮助改善了代工业务的营收和业绩。

相比之下，美光继续使用1-beta DRAM生产HBM4存储芯片，预计将在HBM4E中采用1-gamma DRAM。与SK海力士一样，其标准及定制HBM4E的逻辑芯片预计也将由台积电制造。