SK海力士美国AI内存工厂奠基 将于2029年量产HBM4E

SK海力士8月27日在美国印第安纳州西拉法叶举行AI内存工厂奠基仪式，迈出在美国建设HBM生产据点的第一步。这座新工厂是SK海力士的首个美国AI内存生产基地，占地面积约133英亩（约47万平方米），将配备高带宽内存（HBM）封装与最终测试线，以及先进封装研发测试平台（test bed）。按照规划，HBM的前道工序（晶圆工艺）将在韩国国内完成，随后送抵美国进行后道工序。

这项投资总额超过40亿美元，已于2024年12月依据美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act）获得4.58亿美元补贴，并有望获得最多5亿美元的美国政府贷款。新工厂的洁净室计划于2028年下半年启用，HBM4E则将在2029年第三季度开始量产。

在奠基仪式上，SK海力士与普渡大学（Purdue University）签署了先进封装领域联合研发谅解备忘录（MOU），旨在促进以印第安纳州半导体制造工厂为核心的协同合作。此外，相关方面还发布联合声明，承诺为退役驻韩美军（USFK）人员提供就业和职业发展机会。

SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）表示，美国是AI创新中心，集聚了主要客户、研究机构及强大的产业生态系统，这是公司选择在此建厂的原因。他希望通过供应“美国制造”的HBM，快速响应持续增长的AI内存需求，并稳定保障对美客户的下一代内存供应。同时，SK海力士计划通过与当地大学、研究机构和半导体产业的合作及就业创造，打造技术、人才与产业共同成长的美国AI内存生态系统。

内存供应短缺问题也受到关注。SK集团会长崔泰源今年3月曾表示，整个行业超过20%的供应缺口将持续到2030年；郭鲁正则在7月指出，2027年将是供应状况最严峻的一年。在当天的记者会上，郭鲁正重申内存短缺将持续到2030年底，并解释称目前看不到需求下滑的迹象，AI产业在2030年后仍将继续增长，即使放缓也会较为温和。他还以产品已从通用型转向部分或完全定制化为依据，认为与客户的协作使得未来需求更易预判。

对于美国动态随机存取存储器（DRAM）前道工厂，郭鲁正表示选址尚未确定，目前正与多个地方政府就电力、用水及政府优惠政策等条件进行谈判。他还表示，只要该地区能提供机会，并且能与客户共同开拓新的业务机遇，公司对新厂选址持开放态度，无论哪个地区或国家。

关于间接投资的铠侠（Kioxia），郭鲁正表现出谨慎态度。SK海力士目前持有铠侠可转换债券（CB），若转换为股票将成为其第一大股东。但郭鲁正表示，“关于铠侠的持股，目前尚无确定计划。我们希望能像为美国AI产业做贡献一样，为日本国内的半导体事业也作出贡献。”他同时透露，子公司Solidigm的首次公开募股（IPO）仍处于讨论阶段。