韩国DRAM出口量降额升，AI内存供应趋紧价格大涨

韩国DRAM出口量下滑，但出口额与单价大幅攀升，反映出内存供应趋紧的态势。据《首尔经济》援引韩国国际贸易协会8月31日发布的数据，用于AI芯片的DRAM（包括HBM和低功耗双倍数据率内存LPDDR）出口量从5月的约6.8179亿颗降至7月的5.9174亿颗，降幅为13.2%。尽管出货量减少，出口额却从114.3亿美元升至135.5亿美元，增长18.5%；平均单价则从16.76美元飙升至22.90美元，涨幅达36.6%。

内存厂商对长期协议（LTA）的依赖日益加深，进一步收紧了现货市场的供应，因为大部分产能已锁定给主要客户，留给现货市场的余量所剩无几。据称，三星电子的存储器部门已将约70%的产能通过LTA锁定至2031年，其主要客户包括英伟达、微软和谷歌。

现货市场的紧张状况使得现货价与LTA价之间出现惊人差距。《首尔经济》指出，一款36GB的HBM3E产品现货价约为2100美元，是其LTA价格的4到5倍。与此同时，准备进入量产阶段的16层HBM4产品，现货报价约为3500美元。

LTA重塑内存供应与生产

LTA的扩大也在改变内存厂商的库存结构。据Dealsite数据，三星电子的半导体存货资产从去年底到2026年上半年增长了32%，达到38.06万亿韩元，其中在制品（WIP）库存增加35%，至29.71万亿韩元。SK海力士也呈现类似趋势，总库存增长26%至17.99万亿韩元，在制品库存增长20%至11.08万亿韩元。与以往下行周期中库存上升往往反映芯片滞销不同，业内人士表示，此次库存增长部分源于为满足LTA所承诺的未来需求而提前备料和扩大生产。

客户方面也在积极锁定长期供应。据Tom's Hardware报道，英伟达将其长期采购承诺从2027财年第一季度的1190亿美元提高到第二季度的2790亿美元。此类承诺以往主要覆盖台积电的晶圆代工、先进封装以及HBM，但英伟达表示，最新增加的承诺主要与内存采购相关。

不过，对内存厂商而言，更依赖LTA也有代价。《全球经济新闻》指出，长期合约能带来更稳定的盈利，但在现货价格飙升时可能限制额外收益。短期内DRAM供应预计仍将紧张，而全球AI投资的步伐和新产能投放的时点，将是决定中长期供需平衡的关键。

据TrendForce，在内存供应紧张的情况下，多家美国云服务提供商（CSP）已签署多年期LTA。TrendForce预计，2026年第三季度服务器DRAM合约价将环比上涨13%至18%，且由于市场仍处于供不应求状态，后续报价可能进一步上调。