三星披露HBM5与zHBM细节 性能最高达HBM4E八倍

继8月Hot Chips 2026之后，三星电子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代HBM与zHBM的更多细节。据Newspim报道，9月1日，三星电子内存产品规划副总裁Jangseok Choi表示，HBM5的目标性能将达到HBM4E的2倍，每瓦性能提升20%。

该报道还指出，性能提升的同时，HBM5的热阻将降低20%，以应对日益强大的AI加速器产生的高热量。

此外，根据Tom's Hardware 6月报道，三星还将HBM5的基础芯片（base die）从HBM4和HBM4E所使用的4nm工艺转向自研2nm节点。另一方面，据SeDaily报道，三星正在为HBM5准备12层、16层和20层DRAM堆叠，预计在HBM4E之后于2028年左右量产。

zHBM：目标性能为HBM4E的8倍

在HBM之外，三星还在开发zHBM。据Newspim报道，zHBM的目标性能为HBM4E的8倍，每瓦性能为HBM4E的3倍，同时将热阻降低75%–90%。三星表示，zHBM采用不同于常规HBM的新架构，将内存直接堆叠在处理器顶部，而非将内存放置在AI加速器（xPU）旁边。由于缩短了数据传输距离，该架构可提供更高带宽和更高能效。据Hankyung报道，zHBM预计在2029年之后推出。

zNAND-O：目标实现DRAM级速度与NAND级容量

在NAND方面，三星也在开发下一代存储技术。据News Tomato报道，zNAND-O计划于2028年提供样品，目标是为大规模数据存储提供10倍于DRAM的位密度，同时提供7倍于NAND的读取带宽和能效。该技术旨在满足AI对DRAM级速度和NAND级容量的日益增长的需求，尤其是生成式AI和大语言模型（LLM）的需求。

CUBE战略：覆盖四大内存方向

在SEMICON Taiwan 2026之前举行的Memory Executive Summit上，三星还介绍了下一代内存的“CUBE”框架。据TechNews报道，Choi表示该战略围绕四个优先方向：容量（Capacity）、利用（Utilization）、带宽（Bandwidth）和效率（Efficiency）。该报道进一步解释，容量方面，三星计划垂直扩展内存以增加容量，而无需扩大印刷电路板（PCB）面积；利用方面，三星认为3D内存不仅仅是堆叠层数，还需优化架构以及逻辑与内存的布局以降低延迟；带宽方面，三星旨在用垂直高速通道取代水平数据路径，缩短die-to-die距离；效率方面，重点在于功耗与热管理，最小化移动每比特数据所需的能量，并最大化每瓦性能。