SK海力士扩产1c DRAM工艺 为HBM4E量产蓄力

随着服务器与AI应用对高价值内存需求增长，SK海力士正在加快向更先进DRAM工艺迁移。据韩媒Chosun Biz报道，SK海力士正在迅速扩大第六代10纳米级（1c）DRAM的产量，该工艺将成为下一代HBM4E的核心内存die（裸片）。SK海力士目前正为2027年量产HBM4E做准备；韩联社称，公司7月已向客户提供了HBM4E样品。

据Chosun Biz援引的消息，2026年第一季度，1c DRAM约占SK海力士DRAM产量的10%，第二季度为13%；作为对比，三星约为16%，美光约为19%。SK海力士的1c占比预计将在2026年第三季度升至约24%，第四季度约34%，超过三星约31%的水平；到2027年第一季度将达到约35%，首次超过同期约33%的1b工艺，成为SK海力士的主力DRAM工艺。

SK海力士在2Q26财报电话会议上表示，1c DRAM出货量已在该季度开始爬坡。展望下半年，随着HBM4出货量增加，公司预计存储位元（bit）出货增长将更强劲。Chosun Biz补充称，基于1c工艺的通用DRAM出货也有望扩大。

与此同时，三星与SK海力士在HBM4上采取了不同路线。据Chosun Biz报道，三星在HBM4中采用了1c DRAM，目标速率约为11.7Gbps；SK海力士则优先保证量产稳定性，采用经过验证的1b DRAM和MR-MUF封装。报道指出，SK海力士由此在HBM4供货量上保持领先，三星则希望通过更强性能扩大份额。

1c迁移有望提升生产效率与成本效益

SK海力士加快向1c工艺迁移预计不仅有利于制程升级，还能带来成本与生产效益。通过提高单片晶圆产出的bit数量，新工艺有望改善成本竞争力，并从下半年起为DRAM盈利能力提供支撑。不过，Chosun Biz援引的行业人士警告称，这一转换只有在量产良率提升、客户认证时间表同步跟上的情况下才有意义。

竞争延伸至1d DRAM

着眼更长期，竞争已经延伸到第七代10纳米级（1d）DRAM。据The Bell报道，三星据称目标9月完成1d开发，12月开始量产准备；SK海力士则据称目标12月完成开发、2027年6月开始量产准备，较三星落后六个月。报道还称，三星可能在2027年底左右启动初始量产，而SK海力士更晚的进度可能使其量产启动进一步延后。三星计划将1d DRAM用于预计2030年前后推出的HBM5E；SK海力士尚未披露其1d应用计划。