三星与ASML扩大合作，High NA EUV将首次用于DRAM量产

三星电子（Samsung Electronics）与ASML于2026年9月8日宣布扩大半导体制造合作，聚焦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻以及新一代12英寸光掩模平台，目标直指未来前沿芯片生产。两家公司表示，三星计划到2028年将ASML High NA EUV系统用于DRAM大规模量产，如果实现，这将成为高数值孔径EUV技术首次应用于存储芯片量产。

这一举措之所以备受关注，在于它预示High NA EUV技术可能在未来多个工艺世代中重塑存储与逻辑芯片制造的格局，同时也意味着半导体行业在沿用数十年的6英寸光掩模体系之后，光掩模基础设施即将迎来重大变化。

12英寸光掩模平台

三星将加入一项行业计划，为未来的High NA EUV制造开发12英寸光掩模平台。过去几十年来，半导体行业一直使用6英寸光掩模，更大的掩模尺寸有望提升晶圆厂生产效率、降低制造成本，并消除某些先进图案化工艺中的拼接限制。

三星表示，将与行业伙伴共同开发所需的光掩模技术及配套基础设施。由于三星在存储和代工制造领域均有布局，并积累了EUV量产经验，其参与将为这一平台迁移提供重要支撑。

三星电子副董事长兼首席执行官全永贤（Young Hyun Jun）表示：“AI时代正在改变半导体行业，也提升了整个价值链中技术创新的重要性。三星致力于通过突破性技术和强大的合作伙伴关系，保持在先进半导体制造（包括存储和代工）领域的领导地位。通过进一步加强与ASML的合作，我们正在为下一代AI与半导体创新奠定基础。”

High NA EUV走向DRAM制造

三星还计划到2028年将ASML High NA EUV光刻系统引入未来的DRAM大批量生产。与现有EUV系统相比，High NA EUV具备更高分辨率，有望推动DRAM制程进一步微缩，同时让制造商简化工艺并提高生产效率。这次部署也将为High NA技术提供继先进逻辑制造之后的另一个重要验证场景。

ASML总裁兼首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）表示：“多年来，三星一直是ASML最重要的创新伙伴之一。我们共同推动了支撑现代半导体制造的技术进步。随着行业进入由人工智能驱动的新时代，与客户的紧密合作变得更加重要。我们期待与三星携手推动下一波半导体创新。”

两家公司表示，将继续探索在先进存储技术及新的半导体制造方法上的合作。