ASML与台积电三星英特尔深化合作，推进12英寸High-NA EUV掩模

ASML正与台积电、三星和英特尔深化合作，共同推进高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术，并加快向12英寸光掩模过渡。台积电今日公布的信息显示，合作方计划于2031年建立一条12英寸掩模试产线，为12英寸High-NA光刻系统在2033年进入先进制程量产铺平道路。

台积电目前尚未在先进节点商业化中部署High-NA EUV，但已设定目标在2030年启动量产。台积电预计，随着制程节点演进，需要采用High-NA EUV的层数将持续增加，这主要源于AI应用对晶体管架构复杂度的更高要求。初期High-NA EUV仍将使用现有6英寸掩模进入量产，但改用12英寸掩模有助于提升晶圆厂产能、降低芯片制造成本，并消除拼接限制。更大的掩模最终将让先进芯片制造商充分释放High-NA EUV的潜力，使未来几代尖端芯片更具成本效益。

目前，英特尔仍是High-NA EUV量产采用领域的领先代工厂，相关部署始于18A制程。据ASML最新新闻稿，英特尔代工（Intel Foundry）已累计使用High-NA EUV加工超过100万片晶圆，工作范围涵盖设备认证与测试、研发，以及在部分Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器的选定层上进行量产。ASML称，英特尔代工从2024年安装首套商用EXE系统，到完成最新一代工具认证，再到发运首款采用High-NA制造的量产逻辑产品，一直是行业采纳High-NA技术的关键领先者之一。因此，ASML认可英特尔代工在High-NA领域的开创性贡献，及其采用6英寸掩模创造价值的创新实践，并肯定其对6×12英寸掩模演进的长期支持。