High NA EUV量产提速 英特尔代工与ASML展示掩模拼接技术

2026年9月8日，在加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议上，英特尔代工（Intel Foundry）与ASML展示了高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）的最新进展。双方正加大力度，推动该技术深入更广泛的半导体制造环节。

上述进展表明，High NA EUV正快速从研发阶段迈向量产，而掩模版尺寸与拼接是该技术普及过程中需要解决的关键制造难题。

High NA EUV步入量产

英特尔代工透露，目前已有超过100万片晶圆在设备认证、研发和量产环节使用High NA EUV完成处理。该技术已用于英特尔酷睿Ultra系列3处理器（Intel Core Ultra Series 3，代号Panther Lake）部分型号的选定芯片层。英特尔表示，套刻精度、吞吐量和设备可用性均达到预期；在英特尔18A工艺上，于选定层使用High NA EUV制造的产品，性能达到或超过采用传统0.33数值孔径EUV系统制造的可比层。

“从2024年安装首套商用EXE系统，到完成最新一代工具的认证，再到出货首款采用High NA制造的高产量逻辑产品，英特尔代工已成为业界采用High NA技术的关键领导者之一。”ASML总裁兼首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）表示，“ASML认可英特尔代工在High NA领域的开创性工作，以及其借助6英寸掩模版创造价值的创新，也感谢其长期支持6×12英寸掩模版的演进。”

掩模拼接衔接过渡

对于现阶段希望采用High NA EUV的客户，英特尔表示可以沿用业界当前使用的6英寸掩模版：设计既可在可用掩模区域内完成，也可借助英特尔代工的拼接技术及配套工艺设计套件（PDK）工具。同时，英特尔与ASML正联合掩模制造商、自动化供应商、EDA（电子设计自动化）公司、材料供应商和半导体制造商，共同推进向6×12英寸掩模版的过渡，以简化未来的High NA EUV扩展。

“开发未来日益复杂AI产品的企业，需要的是已具备生产条件且易于使用的制造创新。”英特尔执行副总裁、英特尔代工联合总经理纳加·钱德拉塞卡兰（Naga Chandrasekaran）表示，“就光刻能力而言，英特尔代工专注于在6英寸掩模上近期实现High NA EUV应用，无论是否采用拼接，并推动完成向6×12英寸掩模版的过渡。我们将继续与ASML及整个行业紧密合作，以实现这一转型。”

产业生态成形

英特尔代工已推动更大尺寸掩模格式超过三年，目标是让设备、设计和材料供应商围绕统一的制造基础设施形成协同。在本届SPIE会议上，ASML与英特尔还展示了半场掩模拼接（half-field reticle stitching）技术成果。该方法旨在使芯片制造商无需等待更大掩模版生态成熟，即可采用High NA EUV。

（作者：Asma Adhimi）