imec用CAR与High-NA EUV实现22nm间距图形化，验证A14/A10逻辑工艺潜力

要点

imec利用CAR与High-NA EUV成功形成22nm pitch的线/间隔结构。
还形成了包含中心距28nm通孔的精细随机逻辑结构。
证明CAR有望在A14/A10逻辑工艺的多个层中继续使用。

imec在9月8日至11日于美国举行的国际会议“2026 SPIE Photomask Technology + EUV Lithography Conference（SPIE 2026）”上报告称，其已证明长期用作半导体曝光材料的化学放大光刻胶（CAR）在High-NA EUV光刻中具备图形化精细间距随机逻辑结构的可能性。

此次研究使用的逻辑结构为22nm pitch的线/间隔结构，以及中心距（center-to-center）28nm的通孔。imec表示，这些成果表明CAR可用于A14/A10逻辑工艺中多个层的High-NA EUV单次图形化。

相关SEM图像显示，利用CAR的High-NA EUV光刻所形成的紧间距逻辑金属与通孔结构图形化结果包括：24nm pitch SRAM（刻蚀后检查）、24nm pitch PnR（刻蚀后检查）、22nm pitch蛇形（meander）结构的e-test（电学测试，显影后检查），以及中心距28nm的随机逻辑通孔（显影后检查）。（来源：imec）

面向A14/A10世代，延伸CAR应用边界

根据imec最新的逻辑技术路线图，High-NA EUV光刻预计将应用于A14/A10逻辑节点；在这些节点上，以激进间距实现高可靠图形化至关重要。该技术也将成为imec主导、面向2nm及以后SoC的“NanoIC试点线”中的重要技术。imec、ASML以及图形化合作伙伴正采取整体方案，共同优化整个图形化生态系统，以加速High-NA EUV的量产采用。这既包括验证新型光刻胶材料（MOR：金属氧化物光刻胶）及相关工艺、刻蚀技术等，也包括提升现有高可靠性CAR工艺技术的性能。

形成22nm pitch布线与中心距28nm通孔

imec在此次研究中表明，利用CAR可通过单次High-NA EUV曝光图形化22nm线/间隔。具体而言，在低至22nm pitch的蛇形和叉形测试结构中实现了良好的图形保真度；同时还验证了与先进工艺节点随机逻辑设计相关的紧间距逻辑金属和通孔结构，包括T2T（图形顶端间距，tip-to-tip）26nm的24nm pitch SRAM版图、T2T 28nm的24nm pitch PnR（布局布线）结构，以及中心距28nm的随机逻辑通孔结构。