长鑫存储前三季度预盈131亿元，三季度净利环比增速降至个位数

长鑫存储（CXMT）在10月31日业绩发布前预计，2026年前三季度营收为265亿至270亿元，同比增长逾7倍。据《科创板日报》报道，市场另一关注点在于其利润动能放缓：据东方财富，公司第三季度净利润环比增速已大幅收窄至个位数。

前三季度预计扭亏，产能维持高利用率

在10月19日召开的临时股东大会上，长鑫存储进一步说明业绩展望，预计2026年前三季度归属于股东的净利润为131亿至132.5亿元。据《南华早报》报道，相较去年同期净亏损5.3亿元，这将意味着公司业绩大幅反转。

针对股东关于产能和需求的提问，长鑫存储表示，合肥和北京工厂持续保持高利用率，订单饱满。

三季度净利环比增速降至1%–4%

尽管前三季度展望亮眼，长鑫存储的季度数据却呈现不同图景。据东方财富，公司第三季度营收预计为114.69亿至119.69亿元，环比增长15.25%–20.28%；净利润预计仅增长1%–4%，至53.40亿至54.90亿元。

这一放缓与上半年形成明显反差：2026年第二季度，长鑫存储净利润翻倍以上增长至52.84亿元。东方财富将利润动能降温归因于DRAM价格涨幅趋缓，这可能压缩了利润进一步扩张的空间。

36氪指出，长鑫存储在2025年显著受益于存储涨价，DDR与LPDDR平均售价（ASP）同比分别上涨61%和24.46%，带动相关收入分别增长515.36%和105.59%。这一势头延续至2026年上半年，DDR与LPDDR收入分别达到69.47亿元和78.19亿元；但第三季度价格涨幅放缓，开始拖累盈利增长。

这一趋势也反映在中国存储模组厂商江波龙（Longsys）的业绩预告中：据爱集微，江波龙净利润从2026年第一季度的3.86亿元升至第二季度的6.72亿元后，第三季度预计为3.42亿至4.32亿元，环比最大降幅达49%。

价格动能降温与集邦咨询（TrendForce）的展望一致。集邦咨询预计，2026年第三季度传统DRAM合约价环比涨幅为13%–18%，NAND Flash为10%–15%。该机构指出，存储价格创纪录高位正推动PC和智能手机客户接近可承受上限，从而抑制进一步涨价。

扩产与产品升级下的盈利考验

在此背景下，长鑫存储面临的关键挑战是：在推进产品路线图与扩大产能的同时，维持利润增长。36氪指出，公司在2026年上半年财报中披露，折旧费用同比增长27.85%至14.51亿元；未来数年持续产能投资预计将进一步加大盈利压力。

据36氪，长鑫存储目前在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营一座，每座月产能最高10万片晶圆。公司还在扩建合肥测试设施，同时在上海开发新的DRAM和HBM产线。

展望未来，长鑫存储能否维持盈利动能，将取决于其10月31日业绩结果以及第四季度DRAM价格走势。在工厂高利用率、产能还将扩张的情况下，关键问题在于公司能否把LPDDR6、LPDDR5X以及新兴4F²架构方面的进展转化为新的增长驱动。随着DRAM价格涨幅趋缓，其10月31日业绩发布或将进一步揭示：产品升级和产能扩张能否在当前定价周期之后继续支撑利润增长。