Polar与imec合作在美量产8英寸e-mode GaN器件

美国代工厂Polar Semiconductor与比利时imec旗下设计及制造服务部门IC-Link by imec宣布合作，将在Polar位于美国明尼苏达州布卢明顿（Bloomington）的晶圆厂生产8英寸（200mm）增强型（e-mode）GaN器件，面向AI数据中心、汽车、航空航天与国防、工业电网等关键市场。

根据协议，imec将向Polar授权GaN-on-Si工艺、器件及外延生长技术，Polar利用其明尼苏达州工厂制造e-mode GaN器件。初始协议聚焦40V至650V电压范围，未来计划向更低和更高电压扩展，以应对数据中心800V转12V等主要市场趋势。

从试产到量产的一体化支持

客户可通过IC-Link by imec提前获得该GaN技术，从而加快开发，并顺利过渡到完整制造服务。imec的技术、IC-Link的设计与制造支持服务，以及Polar的制造能力和销售网络将整合，为双方共同客户群提供综合解决方案。

在美国构建GaN研发与制造基地

Polar董事长Reza Kazerounian表示，此次合作强化了Polar建立美国本土GaN卓越中心（Center of Excellence）的战略和持续投资，并将提供创新功率技术，增强面向国防、AI、汽车等重要产业的美国国内供应链。他称，imec在半导体的创新方面拥有世界级专业知识和领导力，是加速Polar GaN路线图和技术开发目标的理想合作伙伴。

imec首席研发项目组合负责人Thomas Piliszczuk表示，基于15年以上的GaN研发，imec希望将GaN技术与IC-Link从设计到制造的客户支持服务以及Polar的制造能力相结合。通过与覆盖国际生态系统的合作伙伴协作，双方将能够为AI和数据基础设施、汽车、工业系统、航空航天及其他相关增长市场，提供可快速实现高能效、高速电力解决方案的可扩展GaN产品。