长鑫存储筹备HBM3E有限量产 良率仅20%-30%面临挑战

据路透社援引知情人士消息，中国长鑫存储（CXMT）正筹备启动HBM3E的有限量产，尽管仍面临显著的良率挑战。消息称，CXMT当前HBM3E良率仅为20%至30%，远低于SK海力士（SK hynix）约70%的水平。公司已向多家国内AI芯片设计商交付HBM3E样品，并预计在未来两个月内开始有限量产。CXMT向客户提供了两个版本的芯片：标准设计，以及为改善制造良率而进行修改的版本。

路透社指出，低良率预计将使CXMT的HBM3E制造成本高于海外竞争对手的同类产品，因为相当一部分芯片必须报废或返工。尽管如此，CXMT仍在推进相关工作，原因是中国AI芯片制造商持续面临先进内存短缺，难以扩大生产。据报，CXMT早在2024年就开始内部研发HBM技术。

性能仍是另一项挑战。路透社称，测试显示CXMT的HBM3E表现更接近SK海力士上一代HBM3，而非SK海力士的HBM3E。这一结果凸显出CXMT与SK海力士、三星电子（Samsung Electronics）和美光（Micron）等HBM领先厂商之间的技术差距，后者主导全球供应。

报道认为，此举也凸显中国先进AI内存短缺；在美国限制获取外国技术的背景下，先进AI内存是北京在国家支持下推动扩大英伟达（NVIDIA）AI处理器国产替代的关键组件。

供应短缺下，中国AI芯片厂商寻求国产HBM

内存短缺已在推高中国AI芯片制造商的成本。路透社9月指出，华为（Huawei）、寒武纪（Cambricon）、沐曦（MetaX）和天数智芯（Iluvatar CoreX）据报已将当前和下一代AI芯片价格上调20%至50%，因内存成本上升使扩产努力更加复杂。报道还称，在美国出口限制收紧后，中国芯片制造商越来越多地依赖昂贵的灰色市场HBM供应。

此前的报道还列出了CXMT HBM3E的潜在客户。首尔经济日报（Seoul Economic Daily）9月援引The Information称，阿里巴巴旗下芯片设计部门平头哥（T-Head）和寒武纪科技（Cambricon Technology）据报正在测试该内存，以用于其自研处理器。若开发按计划推进，采用CXMT HBM3E的产品最早可能在2027年上市。

CXMT自身对其HBM开发进展披露甚少。据南方都市报（Southern Metropolis Daily）报道，公司管理层在9月的一次投资者简报会上没有直接回应有关该技术的问题，仅表示将按照既有路线图继续开发产品和工艺。报道援引的一位分析师指出，虽然HBM3E样品可能已经交付，但这些样品能否满足国内客户要求，或CXMT多快能实现稳定、大规模生产，仍不清楚。