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类目：
- 稳压二极管
- 三极管(BJT)
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 逻辑门
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 数字晶体管
- 开关二极管
- 反相器
- 转换器/电平移位器
- 模拟开关/多路复用器
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 触发器
- 移位寄存器
- 锁存器
- 计数器/分频器
- 通用二极管
- 电压基准芯片
- 单稳态多谐振荡器
- 达林顿管
- 雪崩二极管
- EMI滤波器(RC,LC网络)
- LED驱动
- 快恢复/高效率二极管
- I/O扩展器
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- 功率电子开关
- 特殊逻辑IC
- 时钟发生器/频率合成器/PLL
- 其他接口
- 共模滤波器
- 数字比较器
- 浪涌保护器
- DC-DC电源芯片
- 电池管理
- 专业电源管理(PMIC)
- OLED驱动
- 射频卡芯片
- 实时时钟(RTC)
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 数码管驱动
- 信号缓冲器/中继器/分配器
封装：
- SOT-23
- SOD-323
- SOT-23(TO-236AB)
- SOD-123
- SOD-882
- SOD-123F
- TSSOP-14
- SOD-323F
- SOT-323
- TO-236AB
- TSSOP-16
- SOD-523
- SOD-123W
- SOD-80C
- SOD-523(SC-79)
- DFN1006-2
- SOT-223
- TSSOP-20
- SOD-128
- SOIC-14
- SOT-363
- SOIC-16
- SOT-89
- TSSOP-5-1.3MM
- XSON-6(1X1.5)
- TSSOP-6
- XSON-6(1X1)
- DSN0603-2
- SOT-323-3
- SOT-89-3
- SOT-883-3
- VSSOP-8-0.5MM
- SO-16
- TSSOP-6(SOT-363)
- SC-74A
- SC-70
- SOD27(DO-35)
- DO-41
- SC-74
- SOT-353
- LFPAK56(POWERSO-8)
- SOT-669
- DHVQFN-14-EP(2.5X3)
- X2-SON-5-EP(0.8X0.8)
- DHVQFN-16-EP(2.5X3.5)
- SOT-457
- SO-14
- SOT-223-3
- DFN1412D-3
- SOT-753
- SOT-883
- XSON-8(1X1.4)
- SOIC-20-300MIL
- TSSOP-5
- SOP-14
- TSSOP-8
- SOT-23 (TO-236AB)
- LFPAK-56
- SOD-323(SC-76)
- TSSOP-24
- DFN2020-6
- TSSOP-6-1.3MM
- SC-88
- SOT-223-4
- SOT-23-3
- DHVQFN-20-EP(2.5X4.5)
- LFPAK56D
- MINIMELF
- TSOP-6
- TSSOP-8-3.0MM
- SC-79(SOD-523)
- SOD-323F(SC-90)
- 0201
- DFN1006-2(SOD-882)
- DPAK
- SOT-666-6
- 3-XDFN 裸露焊盘
- SO-20-300MIL
- TO-277
- DFN2020MD-6
- TSSOP-48-6.2MM
- DFN-3(1.4X1.2)
- DFN1010D-3
- LFPAK33-8
- MLPAK(3.3X3.3)
- SOT-1210
- DFN-3(2X2)
- LFPAK-56-5
- SOT-143
- X2-SON-8(0.8X1.4)
- DFN1010-3
- DFN2510D-10
- TSSOP
- DFN-3(1X1.1)
- SOD-323-2
- SOT-323(SC-70)
- D2PAK
- VSSOP-8
- DFN-3(1.1X1)
- DFN1110D-3
- LFPAK56E-4
- SOT-666
- XSON-8(1X2)
- DFN1006BD-2
- SC-90
- SOD-323F-2
- SOD-882(DFN1006-2)
- 0603
- DFN-3(1X0.6)
- DFN0603-2
- UMT
- X2-SON-4(0.6X0.6)
- DHVQFN-24-EP(3.5X5.5)
- SC-74(TSOP-6)
- SOD-882D
- SOT-663-3
- SOT1210
- 14-SO
- DFN1010-6
- DO-35
- LFPAK,SOT-669
- SOT-323 (SC-70)
- DFN1412-6
- DHVQFN-14(2.5X3)
- MLPAK-33
- SOD-323HP
- SOD27(SC-40)
- SOIC
- CFP-15-B
- DFN-6(2X2)
- DFN0606-3
- DFN2020-3
- DHXQFN-14(2X2)
- SC-76,SOD-323
- SOD-962
- 6-TSSOP
- DFN1608-2
- DFN2020D-3
- DFN2020D-6
- DFN2510A-10
- DHVQFN-20(2.5X4.5)
- SOT-353-5
- TSSOP-48
- 16-SO
- DFN-3(1X1)
- DFN-6-MD(2X2)
- DFN1006-3L
- DHXQFN-16(2X2.4)
- DO-34
- SOP-16
- SOT-1061
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- UMD
- X2-SON-6(0.8X1)
- XQFN-12(1.7X2)
- XQFN-16(1.8X2.6)
- CFP-15
- CFP-3
- DFN1006B-3
- DFN2020-6(2X2)
- HUSON-6(2X2)
- LFPAK-33-8
- SOT-363(SC-88)
- SOT1216
- SOT323(SC-70)
- DFN-6(1X1)
- DFN-6-EP(1.4X1.2)
- DFN1006D-2
- DFN1010B-6
- DFN2510-10
- DFN2510D
- DHVQFN-16(2.5X3.5)
- TSOP-6-1.5MM
- UPAK
- 20-TSSOP
- LFPAK56,POWER-SO8
- SOD-123HP
- SOD323
- SOT-1289
- SOT-143B
- SOT1289
- SSOP-16-150MIL
- X1-DFN1006-3
- XSON-6(1.1X1.1)
- D2PAK (TO-263)
- DFN-3L(1X0.6)
- DFN-6-EP(2X2)
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- LFPAK-33
- LFPAK-56D
- SC-70,SOT-323
- SOD-993B
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：65V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制库存：1708058复制
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二极管配置：1对共阴极复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对共阴极 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：1691880复制
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二极管配置：1对串联式复制
正向压降(Vf)：800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)：30V复制
整流电流：200mA复制
描述：肖特基二极管 1对串联式 800mV@100mA 30V 200mA复制库存：1099405复制
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：345mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN复制库存：967427复制
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：847224复制
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：300mA复制
导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道复制库存：697211复制
最小包 : 3000复制
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存：674212复制
最小包 : 3000复制
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反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：20V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：15A@8/20us复制
描述：20V-夹子-15A（8-20µs）-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-DFN1006-2复制库存：631136复制
最小包 : 10000复制
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1+￥0.0878
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：623497复制
最小包 : 3000复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：360mA复制
导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道复制库存：507323复制
最小包 : 3000复制
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二极管配置：1对串联式复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：466728复制
最小包 : 3000复制
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1+￥0.0447
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晶体管类型：PNP复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 40V 600mA PNP复制库存：300023复制
最小包 : 3000复制
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批次：两年内
1+￥0.0504
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：65V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制库存：290563复制
最小包 : 3000复制
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：284699复制
最小包 : 3000复制
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：14V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：12A@8/20us复制
描述：ESD二极管 PESD5V0S1BL,315 F1 5V SOD-882复制库存：284270复制
最小包 : 10000复制
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：14V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：12A@8/20us复制
描述：ESD二极管 PESD5V0S1BL,315 F1 5V SOD-882复制库存：265复制
最小包 : 10000复制
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN复制库存：268996复制
最小包 : 3000复制
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1+￥0.058
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：24V复制
钳位电压：41V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：5A@8/20us复制
描述：41V-夹子-5A（8-20µs）-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-TO-236AB复制库存：203671复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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反向截止电压(Vrwm)：5V复制
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反向电流(Ir)：5nA复制
描述：-夹子-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-TO-236AB复制库存：193035复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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1+￥0.12
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晶体管类型：PNP复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA PNP复制库存：189319复制
最小包 : 3000复制
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描述：44V-夹子-5A（8-20µs）-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-SOD-323复制库存：187692复制
最小包 : 3000复制
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描述：ESD二极管 PESD5V0S1BSF,315复制库存：152721000复制
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：113594870复制
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二极管配置：独立式复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：95253000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 3000复制
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制造商：Nexperia USA Inc.复制
系列：Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q复制
包装：散装复制
零件状态：在售复制
描述：TRANS PREBIAS复制库存：89030000复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 10000复制
增量 : 1复制
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10000+￥0.05346
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：45V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN复制库存：80210000复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 10000复制
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合计￥455.4
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：6.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：9A@8/20us复制
描述：ESD二极管 PESD5V0C1BSFYL复制库存：76464000复制
最小包 : 9000复制
起订量 : 9000复制
增量 : 1复制
RoHS
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合计￥2867.04
5-7 工作日内发货数据手册复制
极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：4V复制
钳位电压：5.1V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：20A@8/20us复制
描述：TVS DIODE 4V 5.1V复制库存：72612000复制
最小包 : 9000复制
起订量 : 9000复制
增量 : 1复制
RoHS
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9000+￥0.30668
合计￥2760.12
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二极管配置：1对共阴极复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
整流电流：215mA复制
直流反向耐压(Vr)：100V复制
描述：开关二极管 1对共阴极 1.25V@150mA 100V 215mA复制库存：71928000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 3000复制
增量 : 1复制
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3000+￥0.07832
合计￥234.96
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：12.8V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：2A@8/20us复制
描述：ESD二极管 PESD5V0V1BDSF,315复制库存：71460000复制
最小包 : 9000复制
起订量 : 9000复制
增量 : 1复制
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描述：-
库存：67572000复制
最小包 : -复制
起订量 : 9000复制
增量 : 1复制
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