铠侠否认与SK海力士联合生产，NAND涨价下优先稳价铠侠CEO否认与SK海力士洽谈联合生产，称深化合作面临反垄断障碍，闪迪与铠侠现有协议也限制第三方共产。铠侠优先稳定NAND价格，企业级SSD价格大涨，并接近以长期协议覆盖50%出货量。2026-09-10 08:42:548行业资讯
新锐MOSFET推出适配储能与逆变电源的系列应用方案针对储能行业快速发展下功率半导体器件的更高要求，新锐MOSFET推出覆盖低压大电流、650V高压平台的系列产品，适配BMS充放电保护、逆变变换场景，多封装可选，可提升整机运行效率与安全性。2026-09-10 08:40:027品牌动态
三星泰勒2纳米产能预订一空，特斯拉博通Arm下单三星首座泰勒晶圆厂尚未投产，2nm产能已被预订一空，客户包括特斯拉AI5/AI6芯片、博通通信芯片及Arm AI芯片。工厂最快9月底试运行，2027年量产，初期月产能5万片。泰勒二号厂筹备加快，计划2030年量产。2026-09-10 08:27:524行业资讯
B350A-13-F国产替代本文对比美台B350A-13-F与国产富芯森美SS36A两款肖特基二极管的电气参数、性能特点，说明国产SS36A兼容性强、散热表现更优，可实现B350A-13-F的可靠替代，为行业用户选型提供实用参考。2026-09-10 08:22:488国产替代
MBRA340T3G国产替代本次参数对比显示，富芯森美推出的MBRA340T3G器件，与安森美同型号产品的所有核心电气参数完全一致，可完美实现MBRA340T3G的国产替代，满足国产化替换需求。2026-09-10 08:07:477国产替代
新加坡国立大学开发原子级非晶碳绝缘薄膜，可突破芯片互连瓶颈新加坡国立大学团队开发出原子级厚度的非晶碳绝缘薄膜，厚度仅0.8纳米时仍维持低介电常数1.35，并兼具绝缘与阻挡铜离子迁移功能，有望解决芯片互连瓶颈。相关成果已发表于《自然·电子学》。2026-09-09 19:13:477行业资讯
半导体制造瓶颈催生AI分析需求，助力良率提升生成式AI热潮持续三年，半导体行业瓶颈转向制造产能。晶圆厂和设备商利用数据分析与AI挖掘产线潜力，提升良率与吞吐量。Spotfire通过AI辅助分析放大工程师能力，案例显示可缩短验证周期，AI并非取代人类，而是加速排查过程。2026-09-09 19:01:418行业资讯
三星与ASML扩大高NA EUV合作，2028年首次用于DRAM量产三星电子与ASML扩大高NA EUV合作，计划最晚2028年首次将其用于DRAM量产，并加入12英寸光掩膜行业倡议。双方将推进先进存储与逻辑芯片的微缩和制造效率提升，适应AI时代需求。2026-09-09 18:46:379行业资讯
Intel与ASML发布高NA EUV量产进展：晶圆破百万片并推拼接技术SPIE 2026前夕，Intel Foundry与ASML宣布高NA EUV累计处理晶圆超100万片，套刻精度与吞吐量达预期。双方推出基于6英寸掩膜的拼接技术，支持大型芯片量产，并规划未来向6×12英寸掩膜过渡。2026-09-09 18:14:3012行业资讯
台积电与阿斯麦启动高NA EUV 12英寸掩模版联合开发9月8日，台积电与ASML宣布启动12英寸掩模版联合开发，以扩大高NA EUV曝光图案面积，消除现行6英寸掩模版需要拼接的制约；计划2031年建成试产线，2033年达到量产导入条件。台积电预计2030年起量产导入高NA EUV。2026-09-09 17:43:278行业资讯
