ASML高数值孔径EUV量产条件成熟 英特尔率先导入18A

本周开幕的SEMICON Taiwan 2026上,ASML高级副总裁兼High-NA EUV产品管理负责人Greet Storms向科技新报(TechNews)表示,随着芯片制造商加速推进先进制程,High-NA EUV用于大规模量产(HVM)的条件正日益成熟。

据经济日报报道,目前全球已有4家客户的10套High-NA EUV系统投入运行,另有3套正在发运和安装中。

Intel将High-NA EUV引入18A生产

据风传媒(Storm Media)报道,在值得关注的采用者中,英特尔已将High-NA EUV用于大规模生产,制造基于Intel 18A工艺、代号Panther Lake的部分Core Ultra Series 3(酷睿Ultra 3系列)处理器;这是首款采用该技术进入量产阶段的逻辑产品。

High-NA EUV生产率将向210 WPH迈进

据科技新报(TechNews),Storms透露,ASML的High-NA EUV(EXE)系统累计曝光晶圆数已超过135万片。此外,已通过认证的EXE:5200B系统在验收测试中实现了每小时135片晶圆(WPH)的吞吐量,证明其具备HVM所需的生产率。

风传媒引述Storms指出,ASML为High-NA EUV制定了多代生产率路线图。在AB模式下,吞吐量预计将从EXE:5200B的135 WPH逐步提升至EXE:5200C的160 WPH、EXE:5200D的175 WPH,并将在本十年末达到EXE:5400E的180 WPH。在AA模式下,吞吐量预计将超过210 WPH。更长远来看,ASML还在规划High Productivity EXE:5600,目标吞吐量超过250 WPH,不过该公司尚未透露确定的HVM时间表。

High-NA EUV为DRAM微缩开辟新路

ASML还强调了High-NA EUV在存储制造中的潜力。据科技新报(TechNews)引述Storms,High-NA的先进成像能力可支持多达5个未来的2D DRAM工艺节点,从而延续其在存储微缩中的作用。报道还指出,0.55-NA平台相对于0.33-NA EUV有一个关键优势:后者可能需要复杂且成本高昂的多重图案化(multi-patterning)。前者更高的分辨率可以在一次曝光中图案化更多层,从而有可能降低工艺复杂度、缺陷率和周期时间,同时降低整体制造成本。

SK海力士与三星布局内存High-NA EUV

据ZDNet报道,SK海力士(SK hynix)去年下半年引入了首台High-NA EUV系统用于量产开发,向下一代产品的大规模生产迈出早期一步。The Elec在2025年的一篇报道中指出,这家存储芯片巨头已在M16工厂安装了ASML的EXE:5200B,该工厂是DRAM生产基地。

与此同时,据ZDNet报道,三星(Samsung)在内存领域采用High-NA EUV的时间表披露得较少,但其目标是将High-NA EUV用于预计在2030年前后量产的1nm逻辑工艺。

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