晶盛机电SiC衬底技术突破,12英寸送样验证并加速全球产能布局
8月24日,JSG(晶盛机电)发布投资者关系活动记录,披露了其在半导体设备、碳化硅(SiC)衬底及金刚石材料三大业务板块的最新进展。
碳化硅衬底及全球产能扩张
技术突破:依托自主研发的SiC单晶生长炉,以及8英寸至12英寸生长工艺的持续迭代,JSG对热场设计与气相前驱体分布进行了优化,攻克了热场不均匀、晶体开裂等行业核心难题,在12英寸超大尺寸SiC晶体生长方面取得关键技术突破。
商业化进展:目前12英寸产品正处于客户送样验证阶段。JSG已实现8英寸SiC衬底的量产,并具备12英寸衬底的小批量供货能力。
全球布局:JSG正在马来西亚槟城建设8英寸SiC衬底产业化基地,同时在中国银川推进8英寸SiC衬底配套晶体项目。这一双基地架构旨在加速推进年产90万片6英寸及8英寸SiC衬底项目的投产进程,其中槟城基地计划于2027年投入生产。
金刚石材料与半导体设备
金刚石材料:JSG已完成大尺寸金刚石晶圆材料的核心技术攻关,成功开发出8英寸多晶金刚石晶圆,并掌握了1至8英寸全规格金刚石晶圆的生长工艺,同时建成了大尺寸金刚石量产(HVM)产线。
半导体设备:JSG已实现12英寸外延(Epi)设备的商业化,其原子层沉积(ALD)系统已进入头部晶圆厂进行验证。












